經(jīng)過幾年的追趕,，國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片由合肥長鑫在2019年量產(chǎn),，首發(fā)的是19nm工藝,，今年合肥長鑫就要推出下一代的17nm工藝內(nèi)存芯片了,，不過首發(fā)產(chǎn)品不是傳聞中的DDR5,，而是DDR4,。

來自大摩的分析稱,，合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經(jīng)達到了40%,，預(yù)計Q2季度就會給客戶供應(yīng)產(chǎn)品,，其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內(nèi)存更有優(yōu)勢,。

至于生產(chǎn)方面,，大摩稱合肥長鑫的產(chǎn)能今年會增加到8萬片晶圓/月，并在北京新建工廠,，量產(chǎn)17nm工藝內(nèi)存芯片,。

此前的報道中，長鑫還會研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5,、LPDDR5等內(nèi)存,，再下一代的10G5工藝中，除了DDR5,、LPDDR5之外還有GDDR6顯存,。

此外，長鑫在2020年,、2021年分別實現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月,、6萬片晶圓/月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓/月,，未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓/月,。