《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計(jì) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Fujitsu推出12Mbit ReRAM存儲(chǔ)密度居同系列之首

Fujitsu推出12Mbit ReRAM存儲(chǔ)密度居同系列之首

2022-03-16
來源:電子創(chuàng)新網(wǎng)
關(guān)鍵詞: Fujitsu 12MbitReRAM ReRAM

  Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited于3月15日宣布推出12Mbit電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)——MB85AS12MT。目前可提供評(píng)估樣品,。

  鏈接:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/reram/spi-12m-mb85as12mt.html

  這款新產(chǎn)品是一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器,,具有12Mbit的大存儲(chǔ)密度,封裝尺寸非常小,,約為2mm x 3mm,。讀取電流也極低,讀取操作期間平均為0.15mA,。因此,,將MB85AS12MT安裝在頻繁進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取操作的電池供電設(shè)備中,,可以最大限度地減少電池消耗。

  該產(chǎn)品具有封裝尺寸小和讀取電流小的特點(diǎn),,非常適合用于助聽器和智能手表等可穿戴設(shè)備,。

  圖1:MB85AS12MT封裝(頂部和底部)

  

1.jpg

  圖2:ReRAM使用實(shí)例

  

2.jpg

  MB85AS12MT可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。新的ReRAM產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度是現(xiàn)有8Mbit ReRAM的1.5倍,,但二者封裝尺寸都是WL-CSP(晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)且引腳分配也一樣,。新產(chǎn)品可在小封裝尺寸中存儲(chǔ)大約90頁報(bào)紙的字符數(shù)據(jù)。

  MB85AS12MT使用的WL-CSP與經(jīng)常用于具有串行外設(shè)接口(SPI)的存儲(chǔ)器件的8針SOP相比,,可以節(jié)省約80%的安裝面積,。

  圖3:安裝面積比較

 

3.jpg

  憑借上述功能,這款ReRAM產(chǎn)品可以解決開發(fā)可穿戴設(shè)備時(shí)使用閃存或EEPROM所產(chǎn)生的以下問題,。

  圖4:客戶問題和解決方案:

  

4.jpg

  Fujitsu Semiconductor Memory Solution將繼續(xù)開發(fā)各種低功耗存儲(chǔ)器產(chǎn)品,,以滿足客戶的要求。

  關(guān)于Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited

  Fujitsu Semiconductor Memory Solution專注于提供高質(zhì)量和高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器,,如鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM)和電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM),。公司總部位于橫濱,于2020年3月31日成立,,是Fujitsu Semiconductor Limited的子公司,。公司擁有全球銷售和開發(fā)網(wǎng)絡(luò),在日本乃至整個(gè)亞洲,、歐洲和美洲都設(shè)有工廠,,旨在向全球市場(chǎng)提供半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案。

  更多信息,,請(qǐng)參見:https://www.fujitsu.com/jp/fsm/en/





圖片.jpg


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請(qǐng)及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。