上周,，英特爾位于愛(ài)爾蘭的Fab 34晶圓廠完成了第一臺(tái)EUV光刻機(jī)的安裝,，而這也是歐洲首個(gè)具備EUV工藝的晶圓廠。

而按照intel的說(shuō)法,，F(xiàn)ab 34工廠將在下半年量產(chǎn)intel 4工藝,，也就是7nm，比預(yù)計(jì)的時(shí)間可能會(huì)提前一點(diǎn)點(diǎn),。

為何intel要將7nm,，命名為intel 4？很多網(wǎng)友表示,，這是因?yàn)閕ntel覺(jué)得自己的7nm,，可以對(duì)標(biāo)臺(tái)積電、三星的4nm工藝,，所以搞了個(gè)4出來(lái),，從命名上扳回一局，掩蓋自己的工藝落后的尷尬局面,。

那么intel的7nm究竟有多厲害,？能不能與臺(tái)積電、三星的4nm相媲美,？我們還是按照摩爾定律的基本原則來(lái)說(shuō)一說(shuō),。

摩爾定律里面關(guān)于芯片的性能，主要是以晶體管密度為基礎(chǔ)的,，說(shuō)是每18個(gè)月,，晶體管密度就要翻一倍，所以我們也說(shuō)晶體管密度這個(gè)指標(biāo),，可能比較靠譜一點(diǎn),。

如上圖所示，英特爾的7nm工藝,，其晶體管密度是1．8億個(gè)每平方毫米,。

而臺(tái)積電的5nm工藝，其晶體管密度是1．73億個(gè)每平方毫米,，說(shuō)起來(lái)比intel的7nm還差一點(diǎn),。

至于臺(tái)積電的3nm工藝，晶體管密度則達(dá)到了2．9億個(gè)每平方毫米,，與intel的5nm,，也就是intel 3工藝差不多了,。

再看看三星，5nm工藝時(shí),，晶體管密度是1．27億個(gè)每平方毫米,，確實(shí)比不上英特爾的7nm。甚至三星的3nm時(shí),，其晶體管密度也只有1．7億個(gè)晶體管每平方毫米,，比臺(tái)積電的5nm還遜色一點(diǎn)，自然也比不過(guò)英特爾的7nm了,。

由此可見(jiàn),，英特爾拿7nm工藝來(lái)取個(gè)intel 4工藝，對(duì)標(biāo)臺(tái)積電,、三星的4nm是真的沒(méi)錯(cuò)的,。同樣類(lèi)推，我們還可以得出intel 3工藝,，其實(shí)是5nm工藝,，對(duì)標(biāo)的是臺(tái)積電的3nm。

其實(shí)過(guò)去的這幾年以來(lái),，很多人都說(shuō)臺(tái)積電,、三星的XXnm工藝造假，連高通曾經(jīng)都這樣表示過(guò),，但對(duì)于芯片廠商們而言,，更先進(jìn)的工藝，更有噱頭,，更有賣(mài)點(diǎn),，所以大家也都不介意它不是不造假了，甚至是大家一起努力將這個(gè)假的變成真的,。

只有英特爾一直在遵循摩爾定律,，最后倒讓大家認(rèn)為它工藝落后了，所以將自己的工藝改名,，讓大家看不出具體是XXnm來(lái),，也算是英特爾耍的一個(gè)“小聰明”。