上周,，英特爾位于愛爾蘭的Fab 34晶圓廠完成了第一臺EUV光刻機的安裝,，而這也是歐洲首個具備EUV工藝的晶圓廠。

而按照intel的說法,，F(xiàn)ab 34工廠將在下半年量產(chǎn)intel 4工藝,，也就是7nm，比預(yù)計的時間可能會提前一點點,。

為何intel要將7nm,，命名為intel 4？很多網(wǎng)友表示,，這是因為intel覺得自己的7nm,，可以對標臺積電、三星的4nm工藝,，所以搞了個4出來,，從命名上扳回一局，掩蓋自己的工藝落后的尷尬局面,。

那么intel的7nm究竟有多厲害,？能不能與臺積電、三星的4nm相媲美,？我們還是按照摩爾定律的基本原則來說一說,。

摩爾定律里面關(guān)于芯片的性能，主要是以晶體管密度為基礎(chǔ)的,，說是每18個月,，晶體管密度就要翻一倍，所以我們也說晶體管密度這個指標,，可能比較靠譜一點,。

如上圖所示，英特爾的7nm工藝,，其晶體管密度是1．8億個每平方毫米,。

而臺積電的5nm工藝，其晶體管密度是1．73億個每平方毫米,，說起來比intel的7nm還差一點,。

至于臺積電的3nm工藝，晶體管密度則達到了2．9億個每平方毫米,，與intel的5nm,，也就是intel 3工藝差不多了。

再看看三星,，5nm工藝時,，晶體管密度是1．27億個每平方毫米,，確實比不上英特爾的7nm。甚至三星的3nm時,，其晶體管密度也只有1．7億個晶體管每平方毫米,，比臺積電的5nm還遜色一點，自然也比不過英特爾的7nm了,。

由此可見,，英特爾拿7nm工藝來取個intel 4工藝，對標臺積電,、三星的4nm是真的沒錯的,。同樣類推，我們還可以得出intel 3工藝,，其實是5nm工藝,，對標的是臺積電的3nm。

其實過去的這幾年以來,，很多人都說臺積電,、三星的XXnm工藝造假，連高通曾經(jīng)都這樣表示過,，但對于芯片廠商們而言,，更先進的工藝，更有噱頭,，更有賣點,，所以大家也都不介意它不是不造假了，甚至是大家一起努力將這個假的變成真的,。

只有英特爾一直在遵循摩爾定律,，最后倒讓大家認為它工藝落后了，所以將自己的工藝改名,，讓大家看不出具體是XXnm來,，也算是英特爾耍的一個“小聰明”。