隨著智能化浪潮加速,，汽車行業(yè)有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)變革升級(jí),，加速步入萬(wàn)物互聯(lián)＋萬(wàn)物智聯(lián)的新時(shí)代。當(dāng)前消費(fèi)電子已先一步步入智能時(shí)代,，而汽車行業(yè)正面臨著智能化產(chǎn)業(yè)升級(jí),，整體過(guò)程可以類比功能機(jī)到智能機(jī)。疊加政策端碳中和推動(dòng),，電動(dòng)化浪潮迭起,，看好新能源汽車在智能化＋電動(dòng)化驅(qū)動(dòng)下加速起量,。

汽車芯片從應(yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲(chǔ)芯片,、功率芯片,、模擬芯片、傳感器芯片等,，其中功率芯片價(jià)值量增加幅度最大,。

而新能源汽車相比傳統(tǒng)燃油車，新能源車中的功率半導(dǎo)體價(jià)值量提升幅度更大,，按照傳統(tǒng)燃油車半導(dǎo)體價(jià)值量417美元計(jì)算,，功率半導(dǎo)體單車價(jià)值量達(dá)到87．6美元，按照FHEV,、PHEV,、BEV單車半導(dǎo)體價(jià)值量834美元計(jì)算，功率半導(dǎo)體單車價(jià)值量達(dá)到458．7美元,，價(jià)值量增加四倍多,。功率半導(dǎo)體中，IGBT和SiC表現(xiàn)極為強(qiáng)勢(shì),，被一眾芯片廠商所看好,。

IGBT：決定電動(dòng)車核心性能，乘新能源汽車之風(fēng)揚(yáng)帆起航

汽車電動(dòng)化,、網(wǎng)聯(lián)化,、智能化發(fā)展趨勢(shì)中帶動(dòng)汽車半導(dǎo)體需求大幅度增長(zhǎng)，IGBT應(yīng)用于新能源的電壓轉(zhuǎn)換,，例如：汽車動(dòng)力系統(tǒng),、光伏逆變器等，IGBT功率模塊均是逆變器的核心功率器件,，在電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)半導(dǎo)體價(jià)值量中占比52％,。IGBT透過(guò)控制開(kāi)關(guān)控制改變電壓具備耐壓的特性被各類下游市場(chǎng)廣泛使用，此外由于IGBT工藝與設(shè)計(jì)難度高,，海外企業(yè)憑借多年的積累占據(jù)較大的市場(chǎng)份額,；國(guó)內(nèi)廠商近年來(lái)通過(guò)積極投入研發(fā)成功在國(guó)內(nèi)新能源汽車用IGBT模塊市場(chǎng)中占取到了一定份額，但仍有很大的替代空間,。

IGBT不僅是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體企業(yè)的布局重心,，也是車廠與半導(dǎo)體大廠強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手的破局點(diǎn)。

華潤(rùn)微部分MOSFET和IGBT產(chǎn)品已進(jìn)入整車應(yīng)用,，實(shí)現(xiàn)銷售貢獻(xiàn),，公司2021年IGBT業(yè)務(wù)增速超70％。廣汽集團(tuán)子公司與株洲中車時(shí)代合資設(shè)立青藍(lán)半導(dǎo)體,，圍繞新能源汽車IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）領(lǐng)域開(kāi)展自主技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,。項(xiàng)目,、投資總額4．63億元人民幣，一期規(guī)劃產(chǎn)能年產(chǎn)30萬(wàn)只汽車IGBT模塊,，計(jì)劃2023年投產(chǎn),；二期規(guī)劃產(chǎn)能年產(chǎn)30萬(wàn)只汽車IGBT模塊，計(jì)劃2025年投產(chǎn),。項(xiàng)目全部建成后,，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)60萬(wàn)只汽車IGBT模塊的總產(chǎn)能，利于打開(kāi)雙方在新能源汽車IGBT領(lǐng)域的發(fā)展局面,。

IGBT被應(yīng)用于汽車的多個(gè)零部件中,，是核心器件之一。IGBT是決定電動(dòng)車性能的核心器件之一,，主要應(yīng)用于電池管理系統(tǒng),、電動(dòng)控制系統(tǒng)、空調(diào)控制系統(tǒng),、充電系統(tǒng)等,，主要功能在于在逆變器中將高壓電池的直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)三相電機(jī)的交流電；在車載充電機(jī)（OBC）中將交流電轉(zhuǎn)換為直流并為高壓電池充電,；用于DC／DC轉(zhuǎn)換器,、溫度PTC、水泵,、油泵,、空調(diào)壓縮機(jī)等系統(tǒng)中。

車規(guī)級(jí)IGBT對(duì)產(chǎn)品性能要求要高于工控與消費(fèi)類IGBT,。作為汽車電氣化變革的關(guān)鍵制程,，IGBT產(chǎn)品在智能汽車中具有不可替代的作用。由于汽車電子本身使用環(huán)境較為復(fù)雜,，一旦失效可能引發(fā)嚴(yán)重后果，所以市場(chǎng)對(duì)于車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品的要求要高于工控類與消費(fèi)類IGBT產(chǎn)品,。相比工控與消費(fèi)類IGBT,，車規(guī)級(jí)IGBT對(duì)于溫度的覆蓋要求更高、對(duì)出錯(cuò)率的容忍度更低,、且要求使用時(shí)間也更長(zhǎng),。

車規(guī)級(jí)IGBT在汽車產(chǎn)業(yè)鏈處于中游位置，車規(guī)認(rèn)證是其壁壘之一,。IGBT廠商在汽車產(chǎn)業(yè)鏈中處于中游位置,，其上游包括材料供應(yīng)商、設(shè)備供應(yīng)商以及代工廠,，例如日本信越,、晶瑞股份,、晶盛機(jī)電、日立科技,、高塔,、華虹等；其下游包括Tier 1廠商以及整車廠,。在車載IGBT產(chǎn)業(yè)鏈中,，認(rèn)證壁壘是IGBT廠商進(jìn)入車載市場(chǎng)的壁壘之一。

IGBT廠商進(jìn)入車載市場(chǎng)需要獲得AEC－Q100等車規(guī)級(jí)認(rèn)證,，認(rèn)證時(shí)長(zhǎng)約為12～18個(gè)月,，且在通過(guò)認(rèn)證門檻后，IGBT廠商還需與汽車廠商或Tier 1供應(yīng)商進(jìn)行市場(chǎng)約2～3年的車型導(dǎo)入測(cè)試驗(yàn)證,。在測(cè)試驗(yàn)證完成后,，汽車廠商也往往不會(huì)立即切換，而是要求供應(yīng)商以二供或者三供的身份供貨,，再逐步提高裝機(jī)量,。

IGBT組件數(shù)量隨新能源汽車的動(dòng)力性能提升而增加。IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半,，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)約占整車成本的15～20％,，即是說(shuō)，IGBT約占整車成本的7～10％,。隨著新能源汽車的動(dòng)力性能增強(qiáng),，IGBT組件使用個(gè)數(shù)也在提升，例如MHEV 48V所需IGBT組件數(shù)量約為2～5個(gè),，但BEV A所需IGBT組件數(shù)量則為90～120個(gè),。隨著新能源汽車的動(dòng)力性能增強(qiáng)，IGBT組件數(shù)量也在提升,，帶動(dòng)整體IGBT價(jià)值量提升,。

根據(jù)不同車型，IGBT價(jià)值量也有所不同,，A級(jí)車IGBT價(jià)值最高達(dá)到3900人民幣,。根據(jù)不同車型，汽車通?？煞譃槲锪鬈?、大巴車、A00級(jí),、A級(jí)以上四個(gè)大類,。不同類型的汽車所需要的IGBT價(jià)值量也有所不同。

物流車通常使用1200V 450A模塊，單車價(jià)值量為1000元,；8米大巴IGBT單車價(jià)值量為3000元,、10米大巴IGBT價(jià)值量為3600元；A00級(jí)汽車單車IGBT價(jià)值量約為600～900元,；15萬(wàn)左右的A級(jí)車以上汽車單車IGBT價(jià)值量約為1000～2000元,、20～30萬(wàn)左右的A級(jí)車以上汽車單車IGBT價(jià)值量約為2000～2600元；屬高級(jí)車型的A級(jí)車以上汽車單車IGBT價(jià)值量則約3000～3900元,。

充電樁中的IGBT模塊是負(fù)責(zé)功率轉(zhuǎn)換的核心器件,。根據(jù)充電方式，充電樁可分為直流樁,、交流樁,、無(wú)線充電，其中以直流樁和交流樁為主,。交流樁又叫慢充樁,，只提供電力輸出，無(wú)充電功能,，需要通過(guò)車載充電機(jī)為電動(dòng)車充電,；而直流樁則叫快充樁，與交流電網(wǎng)連接,，輸出可調(diào)直流電,，直接為電動(dòng)汽車的動(dòng)力電池充電，且充電速度較快,。IGBT模塊在充電樁中擔(dān)當(dāng)功率轉(zhuǎn)換的角色,，是充電樁的核心器件之一。

充電樁數(shù)量逐步提升,，帶動(dòng)IGBT需求增長(zhǎng),。隨著新能源汽車的普及，充電樁市場(chǎng)也在不斷擴(kuò)大,。2021年5月至2022年4月,，我國(guó)公共充電樁保有量從88．4萬(wàn)臺(tái)增長(zhǎng)至133．2萬(wàn)臺(tái)。根據(jù)中國(guó)充電聯(lián)盟的數(shù)據(jù),，2022年,，我國(guó)充電樁市場(chǎng)中，直流電樁約為57．7萬(wàn)臺(tái),；交流樁約為75．5萬(wàn)臺(tái)，雖然充電樁市場(chǎng)對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)仍然較小,，但由于充電樁的部署對(duì)于擴(kuò)大新能源汽車來(lái)說(shuō)至關(guān)重要,，所以未來(lái)充電樁用IGBT市場(chǎng)有望快速增長(zhǎng)。

英飛凌在車規(guī)級(jí)功率芯片市場(chǎng)處于領(lǐng)先,。從市場(chǎng)容量看,，我國(guó)車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)規(guī)模從2015年5．92億元增長(zhǎng)至2020年26．85億元,，2015－2020年均復(fù)合增速高達(dá)35．31％。截止2019年,，英飛凌處于絕對(duì)領(lǐng)先位置,，占49．2％；排在第二和第三位分別是比亞迪和斯達(dá),，份額分別為20．0％和16．6％,。

SiC：物理性能優(yōu)勢(shì)＋碳中和需求帶動(dòng)上車進(jìn)程加速

SiC材料相比于Si材料有著顯著的優(yōu)勢(shì)。目前車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體主要采用硅基材料,，但受自身性能極限限制,，硅基器件的功率密度難以進(jìn)一步提高，硅基材料在高開(kāi)關(guān)頻率及高壓下?lián)p耗大幅提升,。與硅基半導(dǎo)體材料相比,，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度,、高熱導(dǎo)率,、高抗輻射能力等特點(diǎn)。下表是三代半導(dǎo)體襯底材料的指標(biāo)參數(shù)對(duì)比,，可看出SiC材料具有Si材料不可比擬的優(yōu)勢(shì),，具體優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：

能量損耗低。SiC模塊的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗顯著低于同等IGBT模塊且隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高,，與IGBT模塊的損耗差越大,，SiC模塊在降低損耗的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)，有助于降低電池用量,，提高續(xù)航里程,，解決新能源汽車痛點(diǎn)。

更小的封裝尺寸,。SiC器件具備更小的能量損耗,，能夠提供較高的電流密度。在相同功率等級(jí)下,，碳化硅功率模塊的體積顯著小于硅基模塊,，有助于提升系統(tǒng)的功率密度。

實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān),。SiC材料的電子飽和漂移速率是Si的2倍,，有助于提升器件的工作頻率；高臨界擊穿電場(chǎng)的特性使其能夠?qū)OSFET帶入高壓領(lǐng)域,，克服IGBT在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的拖尾電流問(wèn)題,，降低開(kāi)關(guān)損耗和整車能耗，減少無(wú)源器件如電容、電感等的使用,，從而減少系統(tǒng)體積和重量,。

耐高溫、散熱能力強(qiáng),。SiC的禁帶寬度,、熱導(dǎo)率約是Si的3倍，可承受溫度更高,，高熱導(dǎo)率也將帶來(lái)功率密度的提升和熱量的更易釋放,，冷卻部件可小型化，有利于系統(tǒng)的小型化和輕量化,。

新能源汽車需求高起帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體在大功率電力電子器件領(lǐng)域起量,。電動(dòng)汽車和充電樁等都需要大功率、高效率的電力電子器件,，基于SiC,、GaN的電子電力器件因其物理性能優(yōu)異在相關(guān)市場(chǎng)備受青睞。第三代半導(dǎo)體有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱,，助力新能源汽車電能高效轉(zhuǎn)換,，推動(dòng)能源綠色低碳發(fā)展。舉例來(lái)看,，到2030年,，如果有3500萬(wàn)電動(dòng)車使用SiC，那么這一制造年生產(chǎn)出的新能源汽車總計(jì)在它們的使用期限中節(jié)約了的能源相當(dāng)于節(jié)省1．92億桶油,，相當(dāng)于節(jié)省82億美元電力成本,。

第三代半導(dǎo)體襯底成本相對(duì)較高，但綜合成本優(yōu)勢(shì)大于傳統(tǒng)硅基,，與傳統(tǒng)產(chǎn)品價(jià)差持續(xù)縮小,。SiC與傳統(tǒng)產(chǎn)品價(jià)差持續(xù)縮小，預(yù)計(jì)SiC 2022年將迎來(lái)增長(zhǎng)拐點(diǎn),， 2026年將全面鋪開(kāi),。

SiC與傳統(tǒng)Si基產(chǎn)品價(jià)差持續(xù)縮小：

1．上游襯底產(chǎn)能持續(xù)釋放,，供貨能力提升,，材料端襯底價(jià)格下降，器件制造成本降低,。

2．量產(chǎn)技術(shù)趨于穩(wěn)定,，良品率提升，疊加產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張,，拉動(dòng)市場(chǎng)價(jià)格下降

3．產(chǎn)線規(guī)格由 4英寸轉(zhuǎn)向 6英寸,， 成本大幅下降,。未來(lái)SiC,、GaN綜合成本優(yōu)勢(shì)顯著,，可通過(guò)大幅提高器件能效＋減小器件體積使其綜合成本優(yōu)勢(shì)大于傳統(tǒng)硅基材料，看好第三代半導(dǎo)體隨著價(jià)格降低有望迎來(lái)大發(fā)展,。

需求測(cè)算：

目前業(yè)界于電動(dòng)車較積極導(dǎo)入SiC的主要裝置和部件有主驅(qū)逆變器,、車載充電器、車外充電器,，SiC功率元件發(fā)揮如下優(yōu)勢(shì)：

1．極佳的內(nèi)在特質(zhì)：高效率,，降低能量損耗；高轉(zhuǎn)換頻率,，增加能量強(qiáng)度,；可在更高的溫度下運(yùn)行，提升長(zhǎng)期可靠性,。

2．性能改進(jìn)和小型化：從Si－IGBT 模組到SiC MOSFET 模組,，體積縮小了50％，效率提升了2％,，器件的使用壽命得到延長(zhǎng),。

3．有助于降低電動(dòng)車用戶的使用成本：提升效率以達(dá)到節(jié)電目的，在相同輸出功率下可增加續(xù)航里程,、提升充電速度,。

使用以上的主驅(qū)逆變器、車載充電器,、車外充電器三者所需要的SiC的晶圓面積測(cè)算可得：

純電動(dòng)汽車： 8英寸晶圓可以滿足13輛車的SiC需求,； 6英寸晶圓可以滿足7輛車的SiC需求。8inch wafer＝ 324．29平方厘米,，假設(shè)良率為50％,，BEV各部件需要的SiC晶圓面積：逆變器＝10平方厘米；OBC＝1．8平方厘米,；DC／DC＝0．9平方厘米,，那么1張8英寸晶圓可以滿足13輛車的SiC需求。6inch wafer＝ 176．7平方厘米,， 假設(shè)良率為50％,，那么1張6英寸晶圓可以滿足7輛車的SiC需求。

油電混合車： 8英寸晶圓可以滿足17輛車的SiC需求,； 6英寸晶圓可以滿足9輛車的SiC需求,。8inch wafer＝ 324．29平方厘米，假設(shè)良率為50％,，BEV各部件需要的SiC晶圓面積：逆變器＝8平方厘米,；OBC＝0．9平方厘米,；DC／DC＝0．5平方厘米，那么1張8英寸晶圓可以滿足17輛車的SiC需求,。6inch wafer＝ 176．7平方厘米,， 假設(shè)良率為50％，那么1張6英寸晶圓可以滿足9輛車的SiC需求,。

我國(guó)新能源汽車SiC需求測(cè)算：

純電動(dòng)汽車占新能源汽車比重為81％,，以此數(shù)據(jù)假設(shè)，我國(guó)2021－2025年新能源汽車相關(guān)8英寸SiC晶圓需求為27．1萬(wàn)片,、34．2萬(wàn)片,、43．3萬(wàn)片、54．7萬(wàn)片,、69．2萬(wàn)片,， 6英寸SiC晶圓需求我國(guó)為48．1萬(wàn)片、60．9萬(wàn)片,、77．0萬(wàn)片,、97．3萬(wàn)片、123．1萬(wàn)片,。

上車情況：

高性能車電驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)比,，碳化硅物理性能優(yōu)勢(shì)凸顯。

價(jià)格持續(xù)降低＋物理性能優(yōu)勢(shì)＋碳中和需求帶動(dòng)碳化硅加速上車,，數(shù)家車企多車型爭(zhēng)先嘗鮮,。三安光電副總經(jīng)理陳東坡預(yù)計(jì)，在2023－2024年,，長(zhǎng)續(xù)航里程的車型基本上80－90％,、甚至100％都會(huì)導(dǎo)入碳化硅（SiC）器件。2022年,，隨著800V高壓平臺(tái)的推進(jìn),，未來(lái)將有更多的SiC器件在車上搭載。國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)將在SiC賽道持續(xù)展開(kāi)競(jìng)賽,。

高電壓高功率超級(jí)快充成為解決用戶充電焦慮的行業(yè)通行方案,，在超級(jí)快充方面多加主機(jī)廠和充電樁服務(wù)商均在布局120－480KW超級(jí)快充，在整車電壓方面,，800V整車電壓成為下一代電動(dòng)車重要選擇,，SiC強(qiáng)勢(shì)入場(chǎng)。

據(jù)英飛凌最新的材料顯示,，我們看到英飛凌是現(xiàn)代EMP系列SiC的主要提供商,；美國(guó)的車企中，根據(jù)當(dāng)前的信息猜測(cè),，可能是第一個(gè)導(dǎo)入SiC的是通用汽車,，因?yàn)橹坝幸粍t消息：Wolfspeed宣布,，與通用汽車達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略供應(yīng)協(xié)議，為通用汽車未來(lái)的電動(dòng)汽車提供碳化硅,；而下圖中亞洲OEM可能是韓國(guó)車企,；小鵬則是第一次明確800V的SiC平臺(tái)。

我國(guó)情況：整車及零部件企業(yè)積極引入SiC,，市場(chǎng)前景十分明確,。

國(guó)內(nèi)新能源汽車企業(yè)首先在OBC和DC DC中應(yīng)用SiC器件，然后逐步滲透到可靠性要求更高的電機(jī)控制器

競(jìng)爭(zhēng)格局：

功率半導(dǎo)體方面,，士蘭微、時(shí)代電氣,、斯達(dá)半導(dǎo),、宏微科技、新潔能積極布局,。

士蘭微自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊在2021年上半年已在國(guó)內(nèi)多家客戶通過(guò)測(cè)試,，并在部分客戶開(kāi)始批量供貨。

時(shí)代電氣2020年乘用車IGBT已獲得廣汽,、東風(fēng)訂單,。斯達(dá)半導(dǎo)2021年上半年應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量，合計(jì)配套超過(guò)20萬(wàn)輛新能源汽車,，同時(shí)基于第七代微溝槽Trench FieldStop技術(shù)的新一代車規(guī)級(jí)650V／750V IGBT芯片研發(fā)成功,，預(yù)計(jì)今年開(kāi)始批量供貨。

宏微科技車規(guī)級(jí)IGBT模塊GV系列產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)對(duì)臻驅(qū)科技（上海）有限公司小批量供貨,，匯川技術(shù),、蜂巢電驅(qū)動(dòng)科技河北有限公司（長(zhǎng)城汽車子公司）和麥格米特正在對(duì)GV系列產(chǎn)品進(jìn)行產(chǎn)品認(rèn)證。

新潔能募資14．5億擴(kuò)建SiC／GaN 項(xiàng)目,，汽車用 1200V SiC MOS 和 650V E－Mode GaN HEMT 首次流片驗(yàn)證完成,，產(chǎn)品部分性能達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。2021 年公司在汽車電子市場(chǎng)重點(diǎn)導(dǎo)入了比亞迪,，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)十幾款產(chǎn)品的大批量供應(yīng),，產(chǎn)品進(jìn)入了多個(gè)汽車品牌的整機(jī)配件廠，汽車電子產(chǎn)品的整體銷售占比快速提升,。

價(jià)值量測(cè)算：車載IGBT及SiC發(fā)展勢(shì)不可擋

關(guān)鍵假設(shè)：

1．汽車銷量與滲透率：根據(jù)國(guó)務(wù)院發(fā)布的《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》以及乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù),，我們預(yù)計(jì)新能源汽車行業(yè)將加速發(fā)展，對(duì)傳統(tǒng)燃油車具有較強(qiáng)的滲透和替代能力,，政策支持力度較大,。我們預(yù)計(jì)2022年全國(guó)新能源汽車銷售將持續(xù)放量，銷量達(dá)445萬(wàn)輛,，到2025年增加至900萬(wàn)輛,，滲透率達(dá)30％

2．車規(guī)級(jí)IGBT價(jià)值量：我們按照IGBT芯片使用數(shù)量估計(jì),，A00／A0級(jí)電動(dòng)乘用車IGBT價(jià)值量平均為1000元，A級(jí)以上電動(dòng)乘用車IGBT價(jià)值量平均為3000元,，插電混動(dòng)乘用車IGBT價(jià)值量平均為2100元,，商用車IGBT價(jià)值量平均為1800元，傳統(tǒng)燃油車IGBT價(jià)值量平均為700元

3．A00／A0級(jí)電動(dòng)車銷量占比：我們預(yù)計(jì)新能源汽車的銷售結(jié)構(gòu)將會(huì)從“啞鈴型”向“紡錘型”優(yōu)化,，A00和A0級(jí)車占比逐漸下降,，預(yù)計(jì)將從2022年占比35％逐漸下降至2025年占比15％

4．等效8英寸晶圓數(shù)量（億片）：我們按照英飛凌生產(chǎn)的FSxxR12KT4系列IGBT模塊中IGBT芯片的平均面積90．17mm?進(jìn)行估算，8英寸晶圓大約可以切出301塊IGBT芯片,。晶圓數(shù)量需求量將從2021年156．54萬(wàn)片大幅增長(zhǎng)至2025年363．61萬(wàn)片

5．IGBT＋SiC市場(chǎng)規(guī)模：我們按照各類型汽車銷售量乘以各類型汽車中IGBT與SiC價(jià)值量,，其中SiC的滲透率逐漸提高，成本大幅降低,。