在臺(tái)積電和三星的3nm工藝量產(chǎn)云里霧里的時(shí)候,，Intel宣布它的Intel 4工藝也將在今年下半年量產(chǎn)，如此一來臺(tái)積電和三星的3nm工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)可能成為泡影,。

近幾年來臺(tái)積電和三星幾乎保持著1－2年升級(jí)一代芯片制造工藝的腳步,，到如今它們投產(chǎn)的最先進(jìn)工藝已是5nm，而Intel則在去年底才投產(chǎn)10nm,；臺(tái)積電和三星在今年下半年量產(chǎn)3nm,，而Intel則在今年下半年量產(chǎn)7nm。

從納米工藝的數(shù)字來看,，Intel無疑已遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電和三星,，不過這僅僅是它們?cè)诿矫娴牟町悾欢谛酒圃旃に嚨膶?shí)際性能方面,，其實(shí)差距并沒有如名字那么大,，Intel甚至還稍微領(lǐng)先于三星。

對(duì)于芯片制造工藝的性能,，去年臺(tái)媒digitimes曾根據(jù)晶體管密度給出了不同的評(píng)論,，對(duì)Intel、臺(tái)積電,、三星三家芯片制造廠的工藝做了比較,，根據(jù)晶體管密度，Intel的10nm工藝達(dá)到1．06億個(gè)晶體管每平方毫米,，而臺(tái)積電,、三星的7nm工藝才分別為0．97、0．95億個(gè)晶體管每平方毫米,。

并且越到后面的先進(jìn)工藝,，三者的差距就越大，digitimes認(rèn)為Intel的7nm工藝與臺(tái)積電的5nm工藝相當(dāng),，而三星的5nm工藝則比臺(tái)積電落后四分之一,，預(yù)計(jì)三星的3nm工藝晶體管密度才能達(dá)到臺(tái)積電5nm工藝和Intel 7nm工藝水平。

Intel在芯片制造工藝命名上吃了虧,，因此Intel新任CEO基辛格上任后也開始依照臺(tái)積電和三星的命名規(guī)矩,，對(duì)它的芯片制造工藝改名，10nm工藝被改名為Intel 7工藝,，7nm工藝則被改名為Intel 4工藝,。

目前Intel、臺(tái)積電,、三星等在芯片制造工藝上展開了激烈的競(jìng)賽,，Intel預(yù)計(jì)在今年下半年量產(chǎn)Intel 4工藝后只比臺(tái)積電稍微落后，卻比三星領(lǐng)先,，正力爭(zhēng)提前量產(chǎn)Intel 20和Intel 18A工藝,，力求在2025年量產(chǎn)Intel 18A工藝反超臺(tái)積電。

臺(tái)積電也不甘示弱,，臺(tái)積電加速了它的2nm工藝進(jìn)程,，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)2nm,，比原計(jì)劃提前一年；當(dāng)下的3nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)立即轉(zhuǎn)入研發(fā)1．4nm工藝,，力爭(zhēng)在2025年量產(chǎn),，以保持對(duì)Intel的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

但是Intel背后有美國(guó)的支持,，為了支持Intel加速先進(jìn)工藝研發(fā)，目前美國(guó)計(jì)劃將520億美元的芯片補(bǔ)貼優(yōu)先給包括Intel在內(nèi)的美國(guó)企業(yè),，臺(tái)積電和三星順應(yīng)美國(guó)要求后在美國(guó)設(shè)廠卻可能無法得到這筆補(bǔ)貼,；同時(shí)ASML也在美國(guó)的要求下擴(kuò)大它在美國(guó)的工廠，并優(yōu)先將第二代EUV光刻機(jī)交給Intel,。

在諸多因素影響下,，孤軍奮戰(zhàn)的臺(tái)積電還能否加速2nm、1．4nm工藝研發(fā)就存在疑問,，面對(duì)種種困難,，臺(tái)積電如今已悄悄降低了對(duì)美國(guó)芯片的依賴度，今年一季度中國(guó)大陸芯片貢獻(xiàn)的營(yíng)收占比達(dá)到了11％,，較去年的6％大幅提升,，似乎臺(tái)積電認(rèn)識(shí)到了中國(guó)大陸芯片的重要性，希望依靠中國(guó)大陸芯片制衡美國(guó)芯片,。