《電子技術(shù)應(yīng)用》
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意法半導(dǎo)體非易失性存儲器取得突破,,率先在業(yè)界推出串行頁EEPROM

2022-06-30
來源:意法半導(dǎo)體
關(guān)鍵詞: 意法半導(dǎo)體 存儲器 EEPROM

  2022 年 6 月 30 日,,中國—— 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀,,意法半導(dǎo)體率先業(yè)界推出了串行頁EEPROM (Serial Page EEPROM)。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器,,擦寫靈活性,、讀寫性能和超低功耗獨步業(yè)界,前所未有,。意法半導(dǎo)體新的串行頁EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32,,稍后在適當(dāng)?shù)臅r候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。

  

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  這個創(chuàng)新架構(gòu)讓設(shè)計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數(shù)據(jù),,這種組合在以前是沒有的,。更高的存儲器集成度可以減少終端產(chǎn)品的物料清單(BoM)成本,縮短上市時間,,增加應(yīng)用價值,,并實現(xiàn)尺寸更小的超低功耗模塊,從而延長電池使用壽命,。這些器件非常適合實現(xiàn)多合一非易失性存儲器,,用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊、可穿戴設(shè)備,、醫(yī)療健康,、電子價簽、智能表計和 5G 光纖模塊等新系統(tǒng)設(shè)計,。

  作為一個全新的開發(fā)成果,,串行頁EEPROM 整合意法半導(dǎo)體的e-STM 40nm非易失性存儲器(NVM)單元專利技術(shù)與新的智能存儲頁架構(gòu),兼?zhèn)涓叽嫒萘?、字?jié)擦寫靈活性和高耐擦寫次數(shù),,既有利于固件管理,又能簡化數(shù)據(jù)記錄,。新產(chǎn)品還具有讀取,、擦除和寫入時間短的特點,上傳下載速度快可以降低制造成本,,減少應(yīng)用停機(jī)時間,。快速上電和四路輸出讀操進(jìn)一步加快應(yīng)用喚醒速度,。

  集成這種新的簡化的存儲器可優(yōu)化企業(yè)擁有成本,,提高產(chǎn)品易用性,簡化軟件開發(fā),提升產(chǎn)品可靠性,。串行頁 EEPROM是一個成本比 FRAM 更低的非易失性存儲器解決方案,,功耗比串行閃存(serial Flash)更低,功能和易用性比Dataflash產(chǎn)品更好,。

  詢價和申購樣片,,請聯(lián)系意法半導(dǎo)體銷售代表。





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