三代半導(dǎo)體即寬禁帶半導(dǎo)體,，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻,、高效、高功率,、耐高壓,、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,，切合節(jié)能減排,、智能制造、信息安全等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求,，是支撐新一代移動(dòng)通信,、新能源汽車、高速軌道列車,、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件,，已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。

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氮化鎵是一種寬能隙材料,，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢(shì),，但降低成本的可能性卻更大。業(yè)界認(rèn)為,，在未來(lái)數(shù)年間,，氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等價(jià)格,。

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓,、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),，并可與成本極低,、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率,、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng),、電動(dòng)機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

由于對(duì)高速,、高溫和大功率半導(dǎo)體器件需求的不斷增長(zhǎng),，使得半導(dǎo)體業(yè)重新考慮半導(dǎo)體所用設(shè)計(jì)和材料,。隨著多種更快、更小計(jì)算器件的不斷涌現(xiàn),，硅材料已難以維持摩爾定律,。由于氮化鎵材料所具有的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，如噪聲系數(shù)優(yōu)良,、最大電流高,、擊穿電壓高、振蕩頻率高等,，為多種應(yīng)用提供了獨(dú)特的選擇,，如軍事、宇航和國(guó)防,、汽車領(lǐng)域,，以及工業(yè)、太陽(yáng)能,、發(fā)電和風(fēng)力等高功率領(lǐng)域,。

推薦一款來(lái)自臺(tái)灣美祿的GaN／氮化鎵 － MGZ31N65，該芯片常溫常壓下是纖鋅礦結(jié)構(gòu),。是現(xiàn)今半導(dǎo)體照明中藍(lán)光發(fā)光二極管的核心材料,。工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設(shè)備來(lái)外延生長(zhǎng)。

GaN半導(dǎo)體材料有二種基本結(jié)構(gòu)：纖鋅礦（Wurtzite,， WZ）和閃鋅礦（Zinc blende,， ZB）。常溫常壓下惟有纖鋅礦結(jié)構(gòu)為穩(wěn)定相,。纖鋅礦結(jié)構(gòu)由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c／8套構(gòu)而形成,，所屬空間群為或P63mc。

GaN／氮化鎵 － MGZ31N65的特性：

650V,， 6．5A,， RDS （on）（typ．）＝ 250mΩ＠VGS ＝ 8V

非常低的QRR

減少交叉損失

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無(wú)鹵素要求的包裝

臺(tái)灣美祿在GaN／氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹(shù)，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善,。

更多信息可以來(lái)這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<