IEDM 2022 IEEE國際電子器件會議上,，Intel公布了多項新的技術(shù)突破,，將繼續(xù)貫徹已經(jīng)誕生75年的摩爾定律，目標(biāo)是在2030年做到單芯片集成1萬億個晶體管,，是目前的10倍,。

摩爾定律原型

從應(yīng)變硅,、高K金屬柵極、FinFET立體晶體管,，到未來的RibbonFET GAA環(huán)繞柵極晶體管,、PowerVia后置供電，再到2.5D EMIB+3D Foveros,、Foveros Direct/Omni封裝技術(shù),，Intel一直在從各項技術(shù)上推動摩爾定律。

IEDM 2022會議上，Intel披露了三個方面的技術(shù)突破：

1,、下一代3D封裝準(zhǔn)單芯片

基于混合鍵合(hybrid bonding),，將集成密度和性能再提升10倍。

同時,，間距縮小到3微米,，使得多芯片互連密度和帶寬媲美如今的單芯片SoC。

2,、超薄2D材料在單芯片內(nèi)集成更多晶體管

使用厚度僅僅3個原子的2D通道材料,，Intel展示了GAA堆棧納米片，在雙柵極結(jié)構(gòu)上,，在室溫環(huán)境,、低漏電率下，達(dá)成了非常理想的晶體管開關(guān)速度,。

第一次深入揭示了2D材料的電接觸拓?fù)?，可實現(xiàn)更高性能、更有彈性的晶體管通道,。

3,、高性能計算能效、內(nèi)存新突破

Intel研發(fā)了可垂直堆疊在晶體管之上的全新內(nèi)存,，并首次展示了全新的堆疊鐵電電容,，性能媲美傳統(tǒng)鐵電溝道電容，可用于在邏輯芯片上打造FeRAM,。

Intel正在打造300毫米直徑的硅上氮化鎵晶圓,，比標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵提升20倍。

Intel在超高能效方面也取得了新的突破,，尤其是晶體管在斷電后也能保存數(shù)據(jù),，三道障礙已經(jīng)突破兩道，很快就能達(dá)成在室溫下可靠運(yùn)行,。

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