隨著疫情,、地緣政治影響，全球各國積極鞏固半導體資源及建立生產供應鏈,。在各地補助支持政策的推波助瀾下,，強調全球多元生產及彈性供應的國際存儲芯片大廠美光，也身處半導體供應鏈重組的浪潮中,。在全球不景氣沖擊下,，鎧俠、SK海力士陸續(xù)采取減產或降低資本支出以自保,，美光日前也宣布第4季起同步減產DRAM和NAND Flash約二成,，并持續(xù)下調資本支出，包括2022～2023年資本支出調降幅度高達四成,。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202212/441826.htm
在下游市場需求下降與景氣復蘇反轉時間難料下,，存儲廠正試圖透過供給調節(jié)來加速市場秩序恢復平衡。盡管美光在資本支出投入轉趨保守,，但仍預期供應鏈庫存調整有望于2023年初獲得改善,，且終端需求將于第2季開始反彈。美光預估2023年需求增長將接近DRAM和NAND的長期增長率,，也就是DRAM增長率約為14%~16%,、NAND約在28%,，且2023年的供給增長將會低于需求增長，DRAM供給增長率將下滑,，NAND Flash供給僅有個位數增長,。
存儲產業(yè)周期雖然面臨下滑，借由1β DRAM制程節(jié)點和232層3D NAND量產,，美光不僅得以繼續(xù)大幅降低成本,，同時借由先進制程技術的投資與研發(fā)遠景，在各國政府的半導體補助及優(yōu)惠政策中發(fā)揮如魚得水的效益,，更牽動未來20年全球存儲產業(yè)的制造規(guī)劃與布局,。
面對消費力疲弱及國際競爭局勢動蕩的雙重挑戰(zhàn)、各國對半導體芯片的高額補助及多重管制將成為大趨勢,，產業(yè)競爭在地緣政治的拉扯牽動中更加嚴峻,。
美光全球布局調整
拜登政府的《芯片與科學法案》（Chips and Science Act；CHIPS Act）激勵下,，美國本土制造的大旗飄揚,，美光近期接連宣布多項重大投資，包含預計2030年底前將投資400億美元,，在美國建立“尖端存儲制造”業(yè)務,；9月進一步宣布在愛達荷州總部斥資150億美元的建廠計劃；將于紐約州建造全新DRAM巨型工廠,，預計在長達20年內分4期投入1,000億美元計劃—將是美國史上最大存儲廠的投資案,。
作為美國代表性半導體大廠，美光響應政府政策的措施應是理所當然,。過去美光曾對外表達,，在美國生產存儲的成本比亞洲高出35%~45%，故政府提供補貼誘因將是決定建置晶圓廠的重要考量之一,。根據市場報告估計,，美光可望在“芯片法案”取得高達121億美元的補貼款，其金額僅次于英特爾,。
美國DRAM產能比重的急速躍升,，將對全球存儲產業(yè)版圖消長帶來關鍵影響。美光預計第一階段將投資200億美元,，可望于2024年開工及2025年起陸續(xù)實現量產,，正式啟動美國制造的生產大計。
再回溯至2021年下半,，當時美光的新廠投資地點尚未定案,，日本也曾是美光積極評估的選項之一，曾傳出日本政府將提供巨額補貼,，美光可望將砸下8,000億日元在日本興建先進DRAM新工廠,、并預計2024年啟用生產,。盡管設廠案應是無疾而終，但也顯見政府支援對于長期持續(xù)性研發(fā)投資是具有重要影響,，也符合國際大廠在分散供應及降低政治風險的綜合考量,。
半導體在地制造的風潮持續(xù)蔓延，在芯片產業(yè)沉寂多年后,，日本政府啟動半導體產業(yè)復興執(zhí)行計劃,，2022年3月1日通過相關補助法案，不僅是臺積電熊本廠確定名列補助之列,，美光領先推動1β DRAM制程量產后,，其廣島廠也成功爭取補貼入袋，日本政府大方提供美光約465億日元,。
對美光來說,，這筆補貼如同是臨空而降的肥美果實。根據近年來先進DRAM技術的發(fā)展藍圖,，美光一直是依照既定計劃且按部就班推動技術升級,，DRAM制程采取每年推進1個世代為目標，并以中國臺灣,、日本兩地輪流交替來主導量產最新制程，在中國臺灣A3廠區(qū)2021年順利展開量產1α納米,，廣島廠的1β節(jié)點制程也隨即啟動腳步,，在2022年如期完成量產任務，中國臺灣預計2023年初將跟進量產1β節(jié)點制程,，同時臺中A3廠也準備提前導入第一臺EUV,，將在下一階段的1γ節(jié)點開始采用EUV設備。但這筆補助卻非憑空得來,，美光也的確為了技術升級而積極投入研發(fā),，執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，過去3年來,，美光已花費數億美元投入1β的研發(fā),，預期未來導入量產之后，在接下來的2年將會花費約10億美元進行1β技術的良率提升,。在過去4~5年內,，美光也成為日本最大的外商投資者。
日本砸下重金補貼半導體產業(yè),，能否重振昔日風光仍有待觀察,，但這波補助正好是迎合日本政府推動新一波半導體業(yè)的制造復興風潮，除了加強在地生產以免遭受“斷鏈”危機,，更能藉由美,、日陣線共同攜手,，強化半導體供應鏈的目標，達成支持日本國內半導體業(yè)所需要的先進存儲芯片供應,。
美光仍重視中國臺灣,，將引入美光首臺EUV
在美光目前主要生產據點中，雖然日本和中國臺灣均是美光DRAM的制造中心,，生產最先進的DRAM節(jié)點,，但美光在臺投資金額更為龐大。中國臺灣分廠提供約達65% DRAM產能供應,，而日本比重約當35%,。美光在未來20年內持續(xù)提高在美國本土生產比重，美光強調采取多樣化,、靈活且有彈性的供應鏈,，對滿足美光客戶的全球需求而言是至關重要，這也是美光的競爭優(yōu)勢,。
相較于美光預計未來2年內將在日本投資10億美元,，過去3年來，美光平均每年在臺投資金額達到30億美元,。根據規(guī)劃,，接下來美光將推動最先進的1γ技術，預計2024年在臺落地量產,，并采用昂貴的EUV設備,。美光之所以選擇中國臺灣作為第一個采用EUV設備的生產基地，主要是考量到中國臺灣半導體生態(tài)系統(tǒng)的完善性,，尤其是臺積電采用EUV設備發(fā)揮領頭效應,，設備商ASML也會考量在中國臺灣已有不同廠商采用需求，并持續(xù)在中國臺灣提高投資及培訓人才計劃,。
由于EUV設備非常昂貴且復雜,，在整體產業(yè)生態(tài)、機器可靠性,，例如光罩,、微影及技術人才等相關環(huán)節(jié)都要能相互搭配，對成本考量評估謹慎的美光來說,，2024年1γ制程導入EUV設備,，是基于技術、效能與成本等綜合因素下的選擇,。
在廣島廠1β節(jié)點進入量產之際,，日本媒體也關心到未來廣島廠是否將加入EUV設備生產。美光回應時隱約透露出兩地客觀環(huán)境的差異,，包括日本對于新設廠的各項環(huán)保條件要求非常嚴苛,，如廢氣,、廢水、毒物處理等等,，雖然目前已在申請相關文件之中,，但美光仍無法評估新建廠的時機點。
更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<
