下圖顯示了集電極開路開關(guān)電路的典型布置,，該電路可用于驅(qū)動機(jī)電型設(shè)備以及許多其他開關(guān)應(yīng)用。NPN晶體管基極驅(qū)動電路可以是任何合適的模擬或數(shù)字電路,。晶體管的集電極連接到要切換的負(fù)載,，晶體管的發(fā)射極端子直接接地。
對于 NPN 型集電極開路輸出，當(dāng)控制信號施加到晶體管的基極時,，它會導(dǎo)通,，并且連接到集電極端子的輸出通過現(xiàn)在導(dǎo)通的晶體管結(jié)點(diǎn)被下拉到地電位連接的負(fù)載并將其打開。因此,，晶體管開關(guān)并傳遞負(fù)載電流 I L,，其使用歐姆定律確定為：
負(fù)載電流，I load = 負(fù)載電壓 / 負(fù)載電阻
當(dāng)晶體管正基極驅(qū)動被移除(關(guān)閉)時,，NPN 晶體管停止導(dǎo)通,，負(fù)載(可能是繼電器線圈、螺線管,、小型直流電機(jī),、燈等)斷電并關(guān)閉。然后輸出晶體管可用于控制外部連接的負(fù)載,，因?yàn)?NPN 晶體管集電極開路的電流吸收開關(guān)動作可作為開路 (OFF) 或短路 (ON),。
這里的優(yōu)點(diǎn)是集電極負(fù)載不需要連接到與晶體管驅(qū)動電路相同的電壓電位，因?yàn)樗梢允褂幂^低或較高的電壓電位,，例如 12 伏或 30 伏直流電,。
同樣簡單的數(shù)字或模擬電路也可用于通過簡單地改變輸出晶體管來切換許多不同的負(fù)載。例如,，10mA 時為 6 VDC(2N3904 晶體管),，或 3 安培時為 40 VDC(2N3506 晶體管)，甚至使用集電極開路達(dá)林頓晶體管,。
集電極開路輸出示例 No1
作為學(xué)校項(xiàng)目的一部分,，需要來自 Arduino 板的 +5 伏數(shù)字輸出引腳來驅(qū)動機(jī)電繼電器。如果繼電器線圈的額定電壓為 12 VDC,、100Ω,，并且在其集電極開路配置中使用的 NPN 晶體管的直流電流增益 (Beta) 值為 50，則計(jì)算操作繼電器線圈所需的基極電阻,。
通過線圈的電流可以使用歐姆定律計(jì)算為：I = V/R
因此,，對于直流電流增益為 50 的 NPN 晶體管，需要 2.4mA 的基極電流,，忽略約 0.2 伏的集電極-發(fā)射極飽和電壓 (V CE(sat) ),。回想一下,，晶體管的直流電流增益是指產(chǎn)生集電極電流需要多少基極電流,。
當(dāng)晶體管完全導(dǎo)通時，基極-發(fā)射極結(jié) (V BE )兩端的壓降將為 0.7 伏,。因此,，所需的基極電阻 R B的值計(jì)算如下：
那么集電極開路晶體管電路將是：
集電極開路
雖然 NPN 集電極開路晶體管電路產(chǎn)生“電流吸收”輸出,，即 NPN 晶體管集電極開路端子會將電流吸收到地 (0V)，PNP 型晶體管也可用于集電極開路配置以產(chǎn)生所謂的“電流源”輸出,。
PNP 集電極開路輸出
上面我們已經(jīng)看到,，集電極開路輸出的主要特點(diǎn)是負(fù)載信號在完全導(dǎo)通時通過 NPN 雙極晶體管的開關(guān)動作主動“下拉”到地電平，在關(guān)斷時再次被動拉回產(chǎn)生電流吸收輸出,。
但是我們可以創(chuàng)建相反的開關(guān)條件,，方法是使用 PNP 雙極晶體管的集電極開路輸出主動將其輸出切換到電源軌，并使用外部連接的“下拉”電阻器在關(guān)斷時再次將輸出被動拉低,。
對于 PNP 型集電極開路輸出,，晶體管只能將輸出高電平切換到電源軌，因此其輸出端必須通過外部連接的“下拉”電阻器再次被動拉低,，如圖所示,。
集電極開路 PNP 晶體管電路
然后我們可以看到，NPN 型或 PNP 型集電極開路輸出配置只能在 ON 時主動將其輸出拉低至地,，或拉高至電源軌(取決于晶體管類型)，但其集電極端必須拉高如果連接的負(fù)載無法做到這一點(diǎn),，則通過使用連接到其輸出端子的上拉或下拉電阻被動地向上或向下,。所用輸出晶體管的類型及其開關(guān)動作會產(chǎn)生電流吸收或電流源條件。
除了在集電極開路配置中使用雙極晶體管外,，還可以在其開源配置中使用 n 溝道和 p 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 或IGBT,。
與雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 需要基極電流來驅(qū)動晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)不同，常開(增強(qiáng)型)MOSFET 需要在其柵極 (G) 端子上施加合適的電壓,。MOSFET 的源極 (S) 端子直接連接到地或電源軌,，而開漏 (D) 端子連接到外部負(fù)載。
將 MOSFET(或 IGBT)用作漏極開路(OD)器件時,，在驅(qū)動功率負(fù)載或連接到更高電壓電源的負(fù)載時,，遵循與集電極開路輸出(OC)相同的要求，因?yàn)槭褂蒙侠蛳吕娮柽m用,。唯一的區(qū)別是 MOSFET 通道熱功率額定值和靜態(tài)電壓保護(hù),。
開漏增強(qiáng) MOSFET 配置
教程總結(jié)
我們已經(jīng)在本教程中看到關(guān)于集電極開路輸出的信息，它可以提供電流吸收器或電流源輸出,，具體取決于所使用的雙極晶體管的類型,，NPN 型或 PNP 型。
當(dāng) NPN 型晶體管處于“導(dǎo)通”狀態(tài)時,，它將提供或“吸收”一條接地路徑,。當(dāng)處于“OFF”狀態(tài)時，其輸出端可能浮動,，除非集電極開路輸出通過上拉電阻連接到正電源電壓,。
PNP 型晶體管的反之亦然,。當(dāng)它處于“ON”狀態(tài)時，它將提供或“提供”來自電源軌的路徑,。當(dāng)處于“OFF”狀態(tài)時,，其輸出端可能懸空，除非集電極開路輸出通過下拉電阻接地(0V),。
集電極開路輸出或漏極開路輸出的優(yōu)點(diǎn)是要切換或控制的負(fù)載可以連接到獨(dú)立的電壓源,，和/或不同于控制電路使用的電源電壓，并且它們可以“吸收”或“源”外部提供的電壓取決于它是接地還是源,。唯一的限制是輸出開關(guān)晶體管或 e-MOSFET 的最大允許電壓和電流額定值,。
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