《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術(shù) > 解決方案 > 適用于65W氮化鎵1A2C國產(chǎn)PD快充方案

適用于65W氮化鎵1A2C國產(chǎn)PD快充方案

2023-03-03
來源:工采網(wǎng)電子元件
關(guān)鍵詞: 芯片 IC 電源

  65W快充是目前快充市場出貨的主流規(guī)格;氮化鎵具有高可靠性,,能夠承受短時間過壓,;將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗,,提升開關(guān)頻率,,附帶地降低廢熱的產(chǎn)生,進而減小元器件的體積同時能提高效率,。


  四川美闊推出了一款1A2C65W氮化鎵(GaN)快充方案,,快充方案支持90~264V寬輸入電壓,,輸出支持5V/3A,9V/3A,,12V/3A,,15V/3A,20V/3.25A,,內(nèi)置MGZ31N65-650V氮化鎵開關(guān)管,;采用PD3.0協(xié)議IC


1.png



  空載損耗低于50mW,;控制IC可支持頻率高達160 kHz,,峰值效率達到91.62%,方案尺寸為60*60*30mm,,功率密度達到1.5W/cm3,。


  電路原理圖:


2.png



  充電器主控芯片采用美闊的GaN氮化鎵功率芯片MGZ31N65。其內(nèi)置驅(qū)動器以及復(fù)雜的邏輯控制電路,,250mΩ導(dǎo)阻,,耐壓650V,支持2MHz開關(guān)頻率,,采用8*8mm QFN封裝,,節(jié)省面積。


3.png



  具有良率高,,驅(qū)動電路簡單,,抗干擾能力強,封裝全面,,動態(tài)電阻低等優(yōu)勢,,良率高,產(chǎn)能大,,持續(xù)成本優(yōu)化,,競爭力不斷提升。


  PCB布局圖:


4.png






  其優(yōu)勢:


  1,、返馳式谷底偵測減少開關(guān)損失


  2,、輕載Burst Mode增加效率


  3、最佳效能可達91%,;空載損耗低于50mW


  4,、控制IC可支持頻率高達160 kHz


  5、系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾


  6,、可輸出65W功率,;控制IC可直接驅(qū)動GaN


  ◆進階保護功能如下:


  (1) VDD過電壓及欠電壓保護


  (2) 導(dǎo)通時最大峰值電流保護


  (3) 輸出過電壓保護(4) 輸出短路保護


  美闊65W 1A2C有線快充模塊為高功率密度設(shè)計,多接口輸出,,小巧緊湊,。模塊正反面均使用散熱片覆蓋,,并纏繞膠帶固定。輸入線通過過孔焊接連接,,便于在充電插排中應(yīng)用,,滿足各類手機和電源適配器、LED照明驅(qū)動器,、LCD顯示器電源,、帶充電界面排插…供電需求。


  




更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected]