第十一屆中國電子信息博覽會（CITE 2023）將于2023年4月7-9日登陸深圳會展中心（福田）,，以“創(chuàng)新引領(lǐng) 協(xié)同發(fā)展”為主題,，在80000平方米展示面積打造全產(chǎn)業(yè)鏈科技應(yīng)用場景，硬科技同臺“飆技”,，掀起一場信息產(chǎn)業(yè)的新浪潮,！屆時，上海功成半導(dǎo)體科技有限公司將在1號館1C033展位亮相,。

上海功成半導(dǎo)體科技有限公司（CoolSemi）成立于2018年5月,，總部位于上海，在無錫,、深圳,、成都等地設(shè)立分公司。功成半導(dǎo)體以市場需求為導(dǎo)向,，技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動,，致力于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,，為客戶提供高效可靠的產(chǎn)品。主要從事低壓屏蔽柵SGT,、高壓超結(jié)SJ,、溝槽柵場截止型IGBT、SiC SBD,、SiC MOSFET,、GaN HEMT、功率模塊IPM,、功率IC的設(shè)計和研發(fā),。

展品1

展品名稱：SJ MOSFET

展品類別：功率器件

展品特點：SJ  MOSFET（Super Junction  MOSFET）超結(jié)功率器件采用N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)硅基MOS器件的理論極限,，相對于傳統(tǒng)平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方關(guān)系,，SJ  MOSFET的導(dǎo)通電阻與擊穿電壓達到近似線性的關(guān)系。因此SJ  MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on),、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時得到明顯降低,，成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的高效率典型功率器件。

CoolSemi的高壓SJ  MOSFET,，在全球領(lǐng)先的華虹宏力Deep-Trench工藝平臺上,，采用專利器件結(jié)構(gòu)及特色工藝，開發(fā)出了覆蓋500V~1000V電壓平臺和14mΩ~4000mΩ導(dǎo)通電阻的G1,、G2,、G3、G4,、G5系列產(chǎn)品,。憑借針對開關(guān)速度、反向恢復(fù)時間,、開關(guān)損耗,、EMI兼容性,、高可靠性的獨特優(yōu)化設(shè)計,，產(chǎn)品不僅在充電樁、工業(yè)電源,、5G通訊,、光伏、新能源車載充電機等工業(yè)和車載產(chǎn)品上大量使用,，也在TV電源,、適配器、PD快充,、LED照明,、顯示器等消費領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,。

典型應(yīng)用產(chǎn)品：充電樁、工業(yè)電源,、5G通訊,、光伏、新能源車載充電機等工業(yè)和車載產(chǎn)品上大量使用,，也在TV電源,、適配器、PD快充,、LED照明,、顯示器等消費領(lǐng)域

展品2

展品名稱：IGBT

展品類別：功率器件

展品特點：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極晶體管，是在普通VDMOS基礎(chǔ)上,，晶圓背面增加了P+注入,，利用電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)在漂移區(qū)增加載流子數(shù)量，從而大幅度降低器件的導(dǎo)通電阻和芯片面積,。IGBT器件電流密度高且功耗低,，能夠顯著提高能效、降低散熱需求,，適用于高電壓,、大電流等大功率場景。

Coolsemi的IGBT采用目前業(yè)內(nèi)最新的trench FS工藝,，依托于國內(nèi)成熟且工藝領(lǐng)先的8寸/12寸晶圓生產(chǎn)線,，擁有更低的導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗，以及更強的可靠性,。目前功成IGBT產(chǎn)品根據(jù)應(yīng)用場景的不同,，擁有F、S,、D,、L等系列，覆蓋了600V~1200V以及5A~100A的功率范圍,，廣泛應(yīng)用于通用逆變器,、光伏逆變器、UPS,、感應(yīng)加熱設(shè)備,、大型家電、電焊接,、開關(guān)電源以及汽車電子等領(lǐng)域,。

典型應(yīng)用產(chǎn)品：通用逆變器、光伏逆變器、UPS,、感應(yīng)加熱設(shè)備,、大型家電、電焊接,、開關(guān)電源以及汽車電子等領(lǐng)域,。