中國(guó)北京,，2023年5月6日——為持續(xù)推進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)的前沿探索和核心技術(shù)攻關(guān)，探討行業(yè)最新創(chuàng)新進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì),，2023中國(guó)電子學(xué)會(huì)【全國(guó)電子信息青年科學(xué)家論壇之第四屆半導(dǎo)體青年學(xué)術(shù)會(huì)議】于2023年5月4日至7日在上海市召開,。會(huì)議以“半導(dǎo)體前沿技術(shù)與集成電路設(shè)計(jì)”為主題，會(huì)議內(nèi)容包括主論壇,、青年學(xué)者沙龍和專題論壇三大板塊,，其中專題論壇將圍繞半導(dǎo)體領(lǐng)域十四個(gè)關(guān)鍵研究方向分專題進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。

　　作為一家全球領(lǐng)先的測(cè)試,、測(cè)量和監(jiān)測(cè)解決方案知名品牌,，泰克近年來與客戶、合作伙伴聯(lián)手一道解決前沿探索過程中的種種難題,，助力半導(dǎo)體與集成電路行業(yè)的技術(shù)發(fā)展和革新,。在【第四屆半導(dǎo)體青年學(xué)術(shù)會(huì)議】期間，泰克將集中展示最新測(cè)試方案,，為神經(jīng)形態(tài)器件與腦類計(jì)算,、低維半導(dǎo)體材料測(cè)試、半導(dǎo)體量子器件測(cè)試等前沿研究提供全面領(lǐng)先解決方案,。

　　為神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)測(cè)試提供定制化開發(fā)和集成

　　類腦計(jì)算是借鑒神經(jīng)科學(xué)處理信息的基本原理,，面向人工智能，發(fā)展新的非馮諾依曼計(jì)算的新技術(shù),，類腦計(jì)算的基礎(chǔ)是人工神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò),。 人工神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)是由大量處理單元互聯(lián)組成的非線性、自適應(yīng)信息處理系統(tǒng),，它通常是由新型高速非易失存儲(chǔ) 器組成的陣列構(gòu)成,，新一代高速存儲(chǔ) 器包括阻變存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器,、鐵電存儲(chǔ)器等兩端器件和半浮柵晶體管,，電解質(zhì)柵晶體管等三端器件,。

　　神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)陣列維數(shù)越高，拓?fù)湓綇?fù)雜,，所需的測(cè)試通道就越多,，測(cè)試成本也越高，測(cè)試流程也會(huì)變得更復(fù)雜,。最新的研究成果顯示,，神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)陣列研究已經(jīng)達(dá)到 32x32 三端器件節(jié)點(diǎn)組成的陣列，并在短期內(nèi)有向更高的維度發(fā)展的趨勢(shì),。 由于神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)陣列測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格昂貴,，連接及流程控制復(fù)雜，通常的解決方法是用 FPGA 搭建測(cè)試裝置,，但測(cè)試精度以及權(quán)威性都無法與由專業(yè)的高精度測(cè)試儀器組成的測(cè)試系統(tǒng)相提并論,。

　　對(duì)適當(dāng)維數(shù)的神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)陣列，如 32x32 兩端節(jié)點(diǎn)或 16x16 三端節(jié)點(diǎn)陣列,，用高精度測(cè)試儀器搭建測(cè)試系統(tǒng)的價(jià)格還是可以接受的,。測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)在于它不僅能夠進(jìn)行功能性測(cè)試，還能以極高的測(cè)試精度完成神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)陣列的訓(xùn)練,，深度學(xué)習(xí)等方面的研究探索,。

　　神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)陣列測(cè)試，首先需要根據(jù)被測(cè)節(jié)點(diǎn)的表征參數(shù)選擇合適的測(cè)試儀器,，其次還要根據(jù)被測(cè)陣列的芯片管教布局定制探卡,，最后要根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目定制軟件，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)試,。泰克憶阻器/神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)測(cè)試系統(tǒng)包含單元測(cè)試及陣列測(cè)試兩大類,，每一大類又包含不同的配置以滿足不同研究階段的測(cè)試需求。泰克公司中國(guó)研發(fā)中心可以為這一領(lǐng)域的客戶提供定制開發(fā)及系統(tǒng)集成,。

　　泰克神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)陣列測(cè)試系統(tǒng) S500,，可以被定制為以下三種配置：

　　1.兩端器件陣列通用測(cè)試方案：a. 全定制化；b. 基于 26 系列源表,；c. 最高 32x32,。

　　2. 三端器件陣列通用測(cè)試方案：a. 全定制化；b. 基于 26 系列源表,；c. 最高 16x16,。

　　3. 極端化表征陣列測(cè)試方案：a. 全定制化；b. 適用于兩端及三端器件陣列,；c. 最高 8x8,；d. 基于 26 系列源表、AWG5208 和 MSO68B。

　　應(yīng)對(duì)二維/石墨烯材料及電子器件測(cè)試挑戰(zhàn)

　　電阻率及霍爾效應(yīng)測(cè)試均是加流測(cè)壓的過程,，需要設(shè)備能輸出電流并且測(cè)試電壓,，這意味著同時(shí)需要電流源和電壓表，并且電流源和電壓表精度要高,，保證測(cè)試的準(zhǔn)確性,。

　　電阻率及電子遷移率通常范圍較大，需要電流電壓范圍都很大的設(shè)備,。 同時(shí),，還需與探針臺(tái)配合，測(cè)試設(shè)備需方便連接,，需易用的軟件,。另外，霍爾效應(yīng)測(cè)試時(shí),，通常要準(zhǔn)備霍爾條 （Hall Bar）,。

　　電輸運(yùn)測(cè)試方案助力半導(dǎo)體量子器件測(cè)試

　　除了低電平測(cè)試儀器,，通常電輸運(yùn)測(cè)試還要配置 SMU 作為直流激勵(lì)源,。特殊情況下還需要 AFG 作為交流激勵(lì)源，采集卡或示波器用于采集鎖放輸出信號(hào),。如果測(cè)試介電常數(shù),，還需配置靜電計(jì)。 高頻輸運(yùn)特性的研究是電輸運(yùn)特性測(cè)試的發(fā)展方向,，研究高頻輸運(yùn)特性時(shí),，需配置帶寬達(dá) GHz 的任意波形發(fā)生器。

　　單一被測(cè)樣品測(cè)試方案 —— 6221/2182A 一套 ,，24XX 或 26XX 一臺(tái) ,，選配 （ 各一臺(tái) ） ：AFG31252、2002 八位半數(shù)字萬用表,、6514 或 6517 或 6430（ 測(cè)試介電常數(shù)）,。

　　高頻輸運(yùn)特性測(cè)試方案 —— 高頻輸運(yùn)特性測(cè)試， 在一般輸運(yùn)特性配置基礎(chǔ)上,，需增配 AWG 系列任意波形發(fā)生器,。泰克提供 AWG5200 及 AWG70000 系列任意波形發(fā)生器。

　　除此之外,，泰克還為半導(dǎo)體自旋電子器件與物理測(cè)試,、半導(dǎo)體光電子材料與器件測(cè)試、化合物半導(dǎo)體器件與集成測(cè)試,、柔性電子器件與應(yīng)用測(cè)試,、半導(dǎo)體傳感器與微納機(jī)電系統(tǒng)測(cè)試、集成電路設(shè)計(jì)與EDA測(cè)試、集成芯片與先進(jìn)封裝,、半導(dǎo)體邏輯/存儲(chǔ)器件與集成測(cè)試等提供更多半導(dǎo)體測(cè)試解決方案,。

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