Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅(qū)動(dòng)器解決方案
2023-06-16
來(lái)源:Transphorm
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來(lái), 氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了一款高性能,、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案,。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用,適用于LED照明,、充電,、微型逆變器、UPS和電竟電腦,,加強(qiáng)了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶的價(jià)值主張,。
不同于同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動(dòng)器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路,Transphorm 的 SuperGaN? FET由于可以與市售的驅(qū)動(dòng)器搭配使用,,更易于驅(qū)動(dòng),,因此可提升客戶使用Transphorm器件的成本優(yōu)勢(shì)。本次發(fā)布的新款解決方案采用高速,、非隔離式,、高電壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,在不影響 GaN FET 或系統(tǒng)性能的情況下,,進(jìn)一步降低了系統(tǒng)總成本,。
Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)副總裁Philip Zuk表示:“我們的常關(guān)型氮化鎵平臺(tái)能夠與業(yè)界熟知的市售驅(qū)動(dòng)器配合使用,更適合市場(chǎng)應(yīng)用,,也更受市場(chǎng)歡迎,。能夠根據(jù)需要來(lái)選定驅(qū)動(dòng)器,對(duì)客戶來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常重要的優(yōu)勢(shì),??蛻艨梢詾椴煌阅軆?yōu)勢(shì)權(quán)重的設(shè)計(jì)挑選相應(yīng)的驅(qū)動(dòng),從而更好地控制電力系統(tǒng)的成本,。這對(duì)價(jià)格敏感的終端市場(chǎng)尤為重要,。Transphorm 的GaN能夠提供更高性能,采用我們的氮化鎵器件,,客戶可以根據(jù)最終結(jié)果來(lái)挑選BOM,,從而以極佳的成本效益實(shí)現(xiàn)所需的性能?!?/p>
Transphorm還推薦各種其它驅(qū)動(dòng)器,,這些驅(qū)動(dòng)具有高額定隔離電壓(控制至輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào))、短延遲、快速開(kāi)啟/關(guān)斷,、以及可編程死區(qū)時(shí)間等等優(yōu)點(diǎn),,非常適合較高功率的應(yīng)用。
電源適配器,、電竟筆記本電腦充電器,、LED照明、以及兩輪車(chē)和三輪車(chē)充電等中低功率應(yīng)用對(duì)價(jià)格非常敏感,,這些產(chǎn)品中的電源系統(tǒng)通常不需要類(lèi)似安全隔離這樣的先進(jìn)功能,,使用高階的驅(qū)動(dòng)器可能導(dǎo)致BOM成本不必要升高。
性能分析
該半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用了 Transphorm 的 650 V,、72 mΩ PQFN88 封裝器件 TP65H070LSG 進(jìn)行測(cè)試,。可用于橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),,如諧振半橋,、圖騰柱 PFC、正弦波逆變器或有源箝位反激式電路,。
測(cè)試結(jié)果表明,,無(wú)論是否使用散熱器或強(qiáng)制空氣進(jìn)行冷卻,該低成本的驅(qū)動(dòng)解決方案在低于/等于150kHz 的開(kāi)關(guān)頻率下均運(yùn)行良好,。此解決方案最終在選定的配置中實(shí)現(xiàn)了接近 99% 的效率,。
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