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英飛凌高壓超結 MOSFET 系列產品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件

用于靜態(tài)開關應用
2023-08-02
來源:英飛凌

【2023年7月27日,,德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關應用中,電源設計側重于最大程度地降低導通損耗,、優(yōu)化熱性能,、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設計,同時以低成本實現(xiàn)高質量,。為滿足新一代解決方案的需求,,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(SJ)MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源(SMPS),、太陽能系統(tǒng),、電池保護、固態(tài)繼電器(SSR),、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器(PLC),、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器和(混動)電動汽車車載充電器等應用,。

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該產品組合進行了重要擴充,,新增了創(chuàng)新的 QDPAK頂部冷卻(TSC)封裝,能夠在較小的封裝尺寸內實現(xiàn)豐富的功能,。這些特性使得該器件在低頻開關應用中極具優(yōu)勢,,同時還可以降低成本。得益于新型大功率 QDPAK 封裝,,這款器件的導通電阻值僅為 10 mΩ,,在市場上同電壓等級產品中以及采用SMD 封裝的產品中屬于最低值。CoolMOS S7/S7A 解決方案通過最大程度地降低 MOSFET 產品的導通損耗,,提高了整體效率,,并提供了一種簡單易用且經濟高效的方式來提高系統(tǒng)性能。

CoolMOS S7 電源開關還借助已改進的熱阻來有效管理散熱,,通過采用創(chuàng)新,、高效的 QDPAK 封裝,,減少甚至消除了固態(tài)設計中對散熱器的需求,從而使系統(tǒng)變得更加緊湊和輕便,。該系列 MOSFET產品提供頂部散熱和底部散熱兩種封裝形式,,均能夠抵御高脈沖電流,并應對突然的浪涌電流,。此外,,該系列 MOSFET產品還具有體二極管的穩(wěn)健性,能夠確保在交流線路換向期間可靠運行,。

由于所需的元器件較少,,CoolMOS? S7系列高壓超結(SJ)MOSFET能夠減少零部件的數(shù)量,進而實現(xiàn)靈活的系統(tǒng)集成,,降低BOM(材料清單)成本和總體擁有成本(TCO),。同時,該系列MOSFET 產品還能縮短反應時間,,尤其在斷開電流時,,能夠更加平穩(wěn)、高效地運行,。


供貨情況

用于靜態(tài)開關的全新 600 V 工業(yè)級 CoolMOS S7 和車規(guī)級 CoolMOS S7A 超結MOSFET ,,均提供頂部冷卻(TSC)和底部冷卻(BSC)QDPAK封裝(PG-HDSOP-22)兩種封裝形式可供選擇,新產品現(xiàn)已開放訂購,。


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