格芯（GlobalFoundries）與Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology? （SST?）今日宣布,，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產,。

在實施SST廣泛部署的ESF3 SuperFlash技術方面,，格芯確立了新的行業(yè)基準,。該實施方案具有以下功能和優(yōu)勢：

· 成本最低的28納米HKMG ESF3解決方案,，僅增加了10個掩模,，包括真正的5V IO CMOS器件

· SST ESF3 位單元尺寸小于 0.05 平方微米,，極具競爭力

· 工作溫度額定值為?40°C至125°C

· 讀取訪問時間為25 ns ,、編程時間為10 us、擦除時間為4 ms

· 超過100,000次編程/擦除循環(huán)的耐用性

· 不影響使用GF 28SLPe平臺合格IP的設計流程（EG 流程）

· 可立即提供4 Mb至32 Mb 的現(xiàn)成宏程序

· 可從SST或GF獲得定制宏設計支持

隨著邊緣智能化水平的不斷提高,，嵌入式閃存的用例也呈爆炸式增長,。 在家庭和工業(yè)物聯(lián)網以及智能移動設備的廣泛應用中，用于安全代碼存儲,、OTA更新和增強功能的嵌入式內存正呈上升趨勢,。滿足這些需求需要創(chuàng)新的平臺。

格芯首席業(yè)務部官員Mike Hogan表示：“格芯很榮幸能與SST合作,，在我們強大的28SLPe平臺上開發(fā),、認證并投產這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。格芯的客戶發(fā)現(xiàn),，這款解決方案集高性能,、出色的可靠性、IP可用性和成本效益于一身,，非常適合先進的MCU,、復雜的智能卡以及面向消費和工業(yè)產品的物聯(lián)網芯片,。”

Microchip 授權業(yè)務部兼SST副總裁Mark Reiten表示：“過去十年,，SST與格芯緊密合作,，將SST的行業(yè)標準ESF1和ESF3 嵌入式閃存技術集成到格芯的130納米BCD、55 納米,、40 納米以及當前的28 納米制程平臺并實現(xiàn)產品化,。我們欽佩格芯在提供最廣泛的嵌入式NVM解決方案方面的領先地位，期待雙方的緊密合作關系在未來十年帶來更多突破,?！?br/>

在今天于慕尼黑舉行的格芯 GTS峰會期間，SST在IP合作伙伴區(qū)展出其嵌入式閃存技術,。