2023 年 11 月 22 日,，中國上海——Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司,，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于 32Gb 單裸片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存,，具有高達 8,000 MT/s 速率的一流性能^[1]，可支持當前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負載,。該款大容量,、高速率內(nèi)存模塊特別針對數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，例如人工智能 （AI）,、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫 （IMDB） 以及需要對多線程,、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景，滿足它們對于性能和數(shù)據(jù)處理的需求,。美光基于 32Gb DDR5 DRAM 裸片的 128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存采用行業(yè)領(lǐng)先的 1β （1-beta）制程技術(shù),，相較于采用 3DS 硅通孔 （TSV） 技術(shù)的競品，在以下方面得到顯著提升：

　　·容量密度提升超過 45%

　　·能效提升高達 24%

　　·延遲降低高達 16%^[2]

　　·AI 訓練性能提升高達 28%^[3]

　　美光副總裁兼計算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理 Praveen Vaidyanathan 表示：“我們非常自豪美光 128GB DDR5 RDIMM 為數(shù)據(jù)中心大容量,、高速內(nèi)存樹立了新標桿,，為日益增長的計算密集型工作負載提供所需的內(nèi)存帶寬和容量。美光將加速提供先進技術(shù),，為設(shè)計和集成大容量內(nèi)存解決方案提供更及時的支持,，從而促進數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展,?！?/p>

　　美光的 32Gb DDR5 內(nèi)存解決方案采用創(chuàng)新的裸片架構(gòu)，實現(xiàn)了卓越的陣列效率和更大的單塊DRAM 裸片容量密度,。電壓域和刷新管理功能有助于優(yōu)化電力傳輸網(wǎng)絡(luò),，實現(xiàn)了所需的能效提升。此外,，裸片尺寸的縱橫比經(jīng)過優(yōu)化,，有助于提高 32Gb 大容量 DRAM 裸片的制造效率。

　　通過采用 AI 驅(qū)動的智能制造技術(shù),，美光的 1β 技術(shù)節(jié)點以公司歷史上的最快速度實現(xiàn)了成熟的良率^[4] ,。美光 128GB RDIMM 將于 2024 年面向支持 4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 速率的平臺出貨,，未來還將支持高達 8,000 MT/s 速率的平臺,。

　　AMD 高級副總裁暨服務(wù)器事業(yè)部總經(jīng)理 Dan McNamara 表示：“美光 128GB RDIMM將為我們最新的第四代 AMD EPYC 處理器提供更大的單核心內(nèi)存容量,，32Gb單塊DRAM 裸片能為AI、高性能計算和虛擬化等業(yè)務(wù)關(guān)鍵型數(shù)據(jù)企業(yè)工作負載提供更低的總體擁有成本,。隨著 AMD 推出下一代 EPYC 處理器助力算力提升,，美光 128GB RDIMM 有望成為我們最主要的內(nèi)存方案之一，通過提供大容量和出色的單核心帶寬能力,，滿足內(nèi)存密集型應(yīng)用的需求,。”

　　英特爾內(nèi)存與 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 博士表示：“我們期待美光基于32Gb 裸片的 128GB RDIMM 解決方案為服務(wù)器和 AI 系統(tǒng)市場帶來更優(yōu)的帶寬和每瓦性能,。英特爾正在基于云,、AI和企業(yè)客戶的總體擁有成本效益來評估該款針對關(guān)鍵型 DDR5 服務(wù)器平臺的 32Gb 裸片內(nèi)存產(chǎn)品?！?/p>

　　美光32Gb DRAM 裸片擁有更高的帶寬和能效,，可構(gòu)建符合 MCRDIMM 和 JEDEC 標準的 128GB、256GB 及更高容量 MRDIMM 產(chǎn)品解決方案,，從而擴展更多內(nèi)存產(chǎn)品組合,。憑借行業(yè)領(lǐng)先的制程和設(shè)計技術(shù)創(chuàng)新，美光提供涵蓋 RDIMM,、MCRDIMM,、MRDIMM、CXL 和 LP 等外形規(guī)格的一系列內(nèi)存產(chǎn)品,，助力客戶輕松集成這些優(yōu)化的解決方案,，滿足 AI 和高性能計算 （HPC） 應(yīng)用對于高帶寬、大容量和低功耗的需求,。

　　[1] 基于公開資料,、競品網(wǎng)站以及美光內(nèi)部設(shè)計模擬。

　　[2] 基于競品數(shù)據(jù)表和 JEDEC 規(guī)范,。

　　[3] 基于美光內(nèi)部數(shù)據(jù)中心工作負載測試的結(jié)果,。

　　[4] 美光 1β 和 1α 產(chǎn)線良率成熟度的比較與改進。

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