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英飛凌推出首款全新OptiMOS 7系列技術(shù)的溝槽功率MOSFET

2023-12-08
來源:英飛凌

  【2023年12月7日,,德國慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長,,需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),,推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列,。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器,、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率,。

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  OptiMOS 7 功率MOSFET

  該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置(Source-Down)封裝,,標(biāo)準(zhǔn)門級(jí)和門級(jí)居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇;此外,,該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm2封裝,。OptiMOS? 7 15 V技術(shù)專為低輸出電壓下的DC-DC轉(zhuǎn)換定制,尤其適合服務(wù)器和計(jì)算環(huán)境,。這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)符合數(shù)據(jù)中心配電中出現(xiàn)的48:1 DC-DC轉(zhuǎn)換的新趨勢(shì),。

  與現(xiàn)有的OptiMOS5 25 V相比,,全新OptiMOS? 7 15 V通過降低擊穿電壓,將 RDS(on) 和FOM Qg減少了約30%,,并將FOM QOSS減少了約50%,。PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝型號(hào)提供更靈活優(yōu)化的PCB設(shè)計(jì)。PQFN 2 x 2 mm2封裝的脈沖電流能力超過500 A,,典型RthJC為1.6 K/W,。通過最大程度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗并采用先進(jìn)的封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了簡化散熱管理,,樹立了功率密度和整體效率的新標(biāo)桿,。

  供貨情況

  OptiMOS 7 15 V產(chǎn)品組合現(xiàn)已開放訂購并提供兩種封裝尺寸:PQFN 3.3 x 3.3 mm?源極底置封裝和PQFN 2 x 2 mm2封裝。



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