據(jù)了解,,韓國芯片制造巨頭SK海力士正在考慮打破美國對華極紫外(EUV)光刻機出口相關限制,,以提升其在中國的半導體工廠的技術水平,。
這一舉動被視為,,隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力的提升,一些韓國芯片企業(yè)正在采取一切可以使用的方法來提高在華工廠的制造工藝水平,。
業(yè)內人士透露,,SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分DRAM生產設備提升至第四代10納米工藝,。然而,,對于“無錫工廠將進行技術升級”的消息,,SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。
據(jù)了解,,無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,,無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM,。
報道認為,SK海力士對無錫工廠進行技術升級并不容易,,因為自2019年以來,,美國為阻止中國半導體產業(yè)崛起,單方面限制了制造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國,。
盡管如此,,隨著全球半導體市場進入復蘇階段,SK海力士認為高性能芯片產能擴張已經刻不容緩,,需要10納米級第四代DRAM或更高版本產品來維持其市場份額,。
媒體分析稱,SK海力士的這一舉動反映了全球半導體市場的變化和中國半導體產業(yè)的快速發(fā)展,。在全球半導體市場復蘇的背景下,,中國半導體產業(yè)的提升無疑將為全球半導體產業(yè)的發(fā)展注入新的活力。
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