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Microchip推出容量更大速度更快的串行 SRAM產(chǎn)品線

該產(chǎn)品線提供了并行SRAM的低成本替代方案,,容量高達(dá) 4 Mb,,具有143 MHz SPI/SQI?通信功能
2024-03-31
來源:Microchip
關(guān)鍵詞: Microchip 存儲器

  為滿足客戶對更大更快的 SRAM 的普遍需求,,Microchip Technology(微芯科技公司)擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線,,容量最高可達(dá)4 Mb,,并將串行外設(shè)接口/串行四通道輸入/輸出接口(SPI/SQI?)的速度提高到143 MHz,。新產(chǎn)品線包括提供2 Mb和4 Mb兩種不同容量的器件,,旨在為傳統(tǒng)的并行SRAM產(chǎn)品提供成本更低的替代方案,并在SRAM存儲器中包含可選的電池備份切換電路,,以便在斷電時保留數(shù)據(jù),。

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  并行RAM需要大型封裝和至少26-35個單片機(jī)(MCU)I/O接口,而Microchip串行SRAM器件采用成本較低的8引腳封裝,,并采用高速SPI/SQI通信總線,,只需要4-6 個MCU I/O 引腳即可輕松集成。這減少了對更昂貴,、高引腳數(shù)MCU的需求,,有助于最大限度地減少整個電路板的尺寸。

  2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解決了串行SRAM最常見的缺點(diǎn)——并行比串行存儲器快,,通過可選的四通道SPI(每個時鐘周期 4 位),,將總線速度提高到143 MHz,大大縮小了串行和并行解決方案之間的速度差距,。

  Microchip存儲器產(chǎn)品業(yè)務(wù)部總監(jiān)Jeff Leasure表示:“對于需要比MCU板載RAM更多的RAM但又希望降低成本和減小電路板總尺寸的工程師來說,,串行SRAM是一種很受歡迎的解決方案。Microchip的2 Mb和4 Mb串行SRAM器件旨在以簡便且具有成本效益的替代方案取代昂貴的并行 SRAM,?!?/p>

  這些小尺寸、低功耗,、高性能串行SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時間,,是涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖,、數(shù)據(jù)記錄,、計(jì)量以及其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型功能的應(yīng)用的絕佳選擇。這些器件的容量從64 Kb到4 Mb不等,,支持 SPI,、SDI 和 SQI 總線模式。

  供貨與定價

  2 Mb和4 Mb串行SRAM器件單價為1.60 美元,,10,000片起購,。




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