《電子技術(shù)應(yīng)用》
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CGD為電機(jī)控制帶來GaN優(yōu)勢

2024-06-07
來源:ChinaAET
關(guān)鍵詞: GaN 電機(jī)控制 CGD

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,,開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN) 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件,。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克股票代碼:QRVO)合作開發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計和評估套件(EVK),。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機(jī)(BLDC)和永磁同步電機(jī)(PMSM)應(yīng)用中的使用,打造更高功率,、高效,、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機(jī)控制器和驅(qū)動器設(shè)計的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN? (IC 增強(qiáng)型 GaN)技術(shù),。

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Giorgia longobardi   | CGD 首席執(zhí)行官

“與其他同行提供的   GaN 性能不同,,我們提供的 ICeGaN   HEMT 提供了接口電路,沒有集成控制器,;因此通過與高度集成的電機(jī)控制器和驅(qū)動   IC 進(jìn)行簡單的結(jié)合,,ICeGaN 就可以由例如   Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能   BLDC/PMSM 電機(jī)控制器和驅(qū)動器的驅(qū)動器輕松驅(qū)動。我們很高興與   Qorvo 合作,,使其電機(jī)控制器和驅(qū)動器應(yīng)用盡享 GaN 帶來的益處,。”  

   

 

 

JEff Strang | Qorvo功率管理事業(yè)部總經(jīng)理

“GaN 和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體因憑借其更高的功率密度和效率優(yōu)勢而被積極用于各種電機(jī)控制應(yīng)用中,。CGD的 ICeGaN 產(chǎn)品提供了易用性和可靠性,,這些是電機(jī)控制和驅(qū)動設(shè)計師關(guān)心的兩個關(guān)鍵因素。我們很高興看到設(shè)計工程師將 CGD 的 ICeGaN 與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無刷直流電機(jī)控制解決方案相結(jié)合時的反應(yīng),?!?/p>

 

 

GaN 帶來的多種益處包括:更低的損耗,從而帶來更高的效率,,進(jìn)而增加了功率可用性和產(chǎn)生更少的熱量,。這減少了對復(fù)雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求,,從而產(chǎn)生更小,、更強(qiáng)大、壽命更長的系統(tǒng),。GaN 還可以在低速時提供更高的扭矩,,因此可以實(shí)現(xiàn)更精確的控制。此外,,GaN 可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān),,這可以減少可聽噪聲,這對于吊扇,、熱泵和冰箱等家電尤其重要,。

 

除了易用性之外,,與其他 GaN 器件相比,ICeGaN 還提供了以下幾個顯著的優(yōu)點(diǎn),。ICeGaN 的柵極驅(qū)動電壓與 IGBT 兼容,。由于 ICeGaN 在 GaN IC 內(nèi)集成了米勒箝位,所以不需要負(fù)關(guān)斷電壓,,并且可以使用低成本的電流驅(qū)動器,。最后,ICeGaN 內(nèi)嵌電流感測功能,,簡化了電路設(shè)計并減少了物料清單(BOM),。

 

參考設(shè)計現(xiàn)已上市,EVK RD5556GaN 將在今年第3季度上市,。該產(chǎn)品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示,。CGD的展位號為7-643。Qorvo展位號為7-406,。

 

結(jié)語

 

關(guān)于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設(shè)計,、開發(fā)與商業(yè)化,以實(shí)現(xiàn)能效和緊湊性的突破性飛躍,。我們的使命是通過提供易于實(shí)現(xiàn)的高能效 GaN 解決方案,,將創(chuàng)新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術(shù)經(jīng)證明適合大批量生產(chǎn),,并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴(kuò)大規(guī)模。CGD 是一家無晶圓廠企業(yè),,孵化自劍橋大學(xué),。公司首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯(lián)系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術(shù)背后有不斷擴(kuò)充的強(qiáng)大知識產(chǎn)權(quán)組合做支撐,,這也是公司努力創(chuàng)新的結(jié)晶,。CGD 團(tuán)隊(duì)在技術(shù)和商業(yè)方面的專業(yè)知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現(xiàn),為其專有技術(shù)在市場上的認(rèn)可程度奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),。欲了解更多信息,,請?jiān)L問 https://camgandevices.com/zh/。


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