2024年7月24日 –專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET,。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù),,開(kāi)啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章,適用于光伏逆變器,、能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng),、電動(dòng)汽車充電,、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2 MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合(AC-DC,、DC-DC和DC-AC)中樹(shù)立高質(zhì)量標(biāo)桿,,并進(jìn)一步利用英飛凌獨(dú)特的XT互聯(lián)技術(shù)來(lái)提高半導(dǎo)體芯片的性能和散熱能力(例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封裝的型號(hào)),。CoolSiC? G2 MOSFET 650V和1200V在不影響質(zhì)量和可靠性的前提下,,將MOSFET的關(guān)鍵性能(例如存儲(chǔ)能量和電荷)提高了20%,不僅提升了整體能效,,還進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程,。G2的散熱能力提高了12%,并將CoolSiC?的SiC性能提升到了一個(gè)新的水平,。其快速開(kāi)關(guān)能力可在所有工作模式下將功率損耗降低5%到30%(取決于負(fù)載條件),,具有出色的節(jié)能效果。
CoolSiC? G2的新一代SiC技術(shù)能夠加速設(shè)計(jì)成本更加優(yōu)化,,且更加緊湊,、可靠、高效的系統(tǒng),,從而節(jié)省能源并減少現(xiàn)場(chǎng)每瓦功率的二氧化碳排放量,。
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