意法半導(dǎo)體推出的250W MasterGaN參考設(shè)計(jì)
2024-12-20
來源:意法半導(dǎo)體
2024年12月20日,,中國——為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計(jì),意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì),。
意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiP在一個(gè)封裝內(nèi)整合了GaN功率晶體管與開關(guān)速度和控制準(zhǔn)確度優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器,。使用高集成度的系統(tǒng)級封裝SiP代替采用多個(gè)分立元件的等效解決方案,有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性,,同時(shí)加快設(shè)計(jì)速度,節(jié)省PCB電路板空間,。
新的電源參考設(shè)計(jì)的目標(biāo)應(yīng)用是空間有限、能效至關(guān)重要的工業(yè)級電源,。該電源整合了MasterGaN1L(內(nèi)置兩個(gè)650V 150m? GaN FET晶體管)與意法半導(dǎo)體的L6599A諧振控制器,峰值能效高于94%,,原邊無需安裝散熱器,。該電源還集成了意法半導(dǎo)體的SRK2001A同步整流控制器,整體面積緊湊,,為 80mm x 50mm,,功率密度高達(dá)每立方英寸34瓦(W/inch3)。
該電源的最大輸出電流為10A,,在24V直流電壓時(shí),,輸出功率為250W,待機(jī)電流低于1μA,,卓越的節(jié)能效果,。L6599A和SRK2001A內(nèi)置的保護(hù)功能可以防護(hù)過流、短路和過壓的沖擊,,而輸入電壓監(jiān)測可確保電源正常啟動(dòng)并提供欠壓鎖定,。
EVL250WMG1L現(xiàn)已上市,集成了全部功能,,可立即測評電源功能,。相關(guān)文檔全文發(fā)布在www.st.com/evl250wmg1l上,可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員加快GaN電源項(xiàng)目開發(fā)進(jìn)度,。