style="text-indent: 2em;">MCU 領域的競爭愈發(fā)白熱化。根據(jù) Omdia 最新研究數(shù)據(jù),，英飛凌在 2024 年強勢崛起,，成為全球最大的 MCU 供應商，其市場份額攀升至 21.3%,，較 2023 年的 17.8% 提升了 3.5 個百分點,。2022 年，英飛凌,、恩智浦和瑞薩還是并列第一的態(tài)勢,，這一躍升不僅凸顯了英飛凌的強勁增長勢頭，也為 MCU 市場的激烈角逐拉開了新的序幕,。

在 2025 年 3 月于德國紐倫堡舉辦的嵌入式世界大會上,，全球 MCU 大廠集體亮相，掀起了一場技術與市場的激烈角逐,。從德州儀器,、恩智浦、Microchip,，到瑞薩電子,、英飛凌、意法半導體,，各家廠商在體積,、功耗、存儲技術,、AI 算力,、先進工藝以及架構創(chuàng)新等領域展開全方位 " 內卷 "，試圖在快速演變的嵌入式市場中搶占先機,。這不僅是一場技術的較量,，更是對未來物聯(lián)網、汽車電子和邊緣智能趨勢的深刻預判,。

一,、MCU" 卷 " 的五大維度

1. 體積和功耗：極致微縮下的 " 續(xù)命 " 之道

德州儀器推出的 MSPM0C1104 MCU，以 1.38mm2 的晶圓芯片級封裝刷新了 " 全球最小 MCU" 紀錄,。這款芯片僅相當于一片黑胡椒大小,，卻能在醫(yī)療可穿戴設備和個人電子產品中實現(xiàn)高性能傳感與控制。相比競爭對手,，其封裝面積縮小了 38%,，直接回應了消費電子領域對小型化與功能集成并重的需求。TI 通過集成高速模擬功能和低至 0.16 美元的起價,，試圖在成本與性能之間找到黃金平衡點,。

意法半導體則推出了超低功耗的 STM32U3 系列,，憑借 " 近閾值芯片設計 " 創(chuàng)新技術，將動態(tài)功耗降至 10μA/MHz,，待機電流低至 1.6μA,，與上一代產品相比，效率提高了兩倍,。所謂的 " 近閾值技術 " 可在極低電壓下操作 IC 晶體管,，從而節(jié)省能源。ST 的實現(xiàn)采用 "AI 驅動 " 的晶圓級自適應電壓縮放來補償代工廠的工藝變化,。

該產品的目標市場是無需經常維護的物聯(lián)網設備,。超低功耗 MCU 是物聯(lián)網普及的關鍵，尤其在智能表計,、環(huán)境監(jiān)測等場景中,，功耗直接決定了產品生命周期和維護成本。STM32U3 系列的價格也很美麗,，10000 片的量價格為 1.93 美元 / 片,，

當下，體積與功耗的競爭已進入 " 微縮極限 " 階段,。TI 的 WCSP 封裝和 ST 的近閾值技術代表了兩種路徑——前者追求物理尺寸的極致，后者聚焦功耗的極致優(yōu)化,。這反映出終端市場對 " 更小,、更省電 " 的剛需，尤其是在可穿戴設備和物聯(lián)網領域,。但這種 " 卷 " 也帶來了挑戰(zhàn)：當尺寸和功耗逼近物理極限時,，廠商如何在不犧牲功能的情況下維持成本優(yōu)勢，將是下一階段的博弈焦點,。

2. 工藝：MCU 進入 1X nm

MCU 作為嵌入式產品,，一直都采用成熟工藝制程，大都是 40nm,。但是,，隨著可穿戴設備、物聯(lián)網節(jié)點和汽車電子的微型化趨勢,，設計人員需要在更小的芯片面積內集成更多功能和內存,。例如，車規(guī) MCU 需支持復雜的軟件定義汽車架構,，要求更高的計算性能和存儲容量,。40nm 工藝已難以滿足這些需求，迫使廠商向 1X nm 節(jié)點進軍,。

此次嵌入式展上,，恩智浦 S32K5 系列率先引入 16nm FinFET 工藝,。而在去年 3 月份，ST 也推出了 18nm 的 FDSOI 工藝,。

不過,，1X nm 工藝依賴臺積電、三星等頂級代工廠,，MCU 廠商與代工巨頭的綁定將加深,。同時，先進制程的高研發(fā)和生產成本可能抬高芯片單價,，短期內壓縮利潤率,。

MCU 工藝一直無法突進，很大的原因是閃存拖了后腿,，閃存在 40nm 以下擴展時會存在問題,，部分原因是存儲器單元尺寸較大以及用于實現(xiàn)高電壓的電荷泵占用了芯片面積。但是這個問題,，也被 MCU 廠商們攻克了,。

3. 存儲：從 Flash 到新型存儲

他們的辦法是選用新型存儲，但是各家似乎也有各自的 " 脾氣 ",，選用了多個種類的新型存儲,，如 MRAM、PCM,、FeRAM,，主打一個 " 雨露均沾 "。

恩智浦最新推出的 S32K5 系列引入 16nm FinFET 工藝和嵌入式磁性 RAM,，臺積電代工,，MRAM 的寫入速度比傳統(tǒng) Flash 快 15 倍。汽車行業(yè)正向邁電氣化和軟件定義汽車時代,，MCU 需要支持更密集的 OTA 更新,、更高的實時計算能力和更強式的安全性。傳統(tǒng) Flash 的寫入速度慢,、寫入次數(shù)有限,，已無法滿足 ECU 的性能需求。NXP 指出,，高性能 MRAM 的加入大大加快了 ECU 編程時間,，解決了傳統(tǒng)閃存的寫入瓶頸，提升了汽車電子的軟件定義能力,。

ST 則是相變存儲器的擁泵者,。PCM 的基本機制是由 Stanford Robert Ovshinsky 于 20 世紀 60 年代發(fā)明的。ST 持有最初開發(fā)過程中產生的專利許可,，并在此基礎上繼續(xù)推進這一開創(chuàng)性的工作,。去年 3 月份,，ST 與三星也推出了一款 18nm FDSOI 帶有嵌入式相變存儲器的工藝，ST 首款基于該制程的 STM32 MCU 也將于今年量產,。

PCM 技術架構（圖源：ST）

TI 的 MSP430 是基于鐵電隨機存取存儲器,。F-RAM、FeRAM 和 FRAM 是同義詞,。德州儀器選擇使用縮寫 "FRAM",。FRAM 的優(yōu)勢在于速度、低功耗,、數(shù)據(jù)可靠性,、統(tǒng)一內存。即使在高溫下,，F(xiàn)RAM 也是一種非常強大且可靠的存儲技術,。FRAM 在 85 攝氏度下可保持數(shù)據(jù)超過 10 年，在 25 攝氏度下可保持 100 年,，這遠遠超過了大多數(shù)應用的要求,，體現(xiàn)了 FRAM 強大的數(shù)據(jù)保持能力。不過,，TI 目前還沒有針對汽車應用推出其嵌入式 FRAM 產品,，但隨著存儲信號的可靠性和穩(wěn)健性提高，這應該很快就會實現(xiàn),。

MSP430FR57xx 系列框圖,，其提供 20 種不同的器件，F(xiàn)RAM 存儲器容量高達 16 kB（來源：TI）

從 Flash 到 MRAM,、PCM、FeRAM 的轉型不僅是存儲技術的代際躍遷,，更是 MCU 產業(yè)順應汽車智能化,、物聯(lián)網爆發(fā)和工藝極限挑戰(zhàn)的必然選擇。恩智浦,、ST,、TI 各展所長，反映了廠商在性能,、成本和應用場景間的權衡與博弈,。

4. 卷 AI 和算力

邊緣 AI 需求的爆發(fā)讓 MCU 從傳統(tǒng)控制芯片正在轉向智能計算平臺，因而,，掀起了一場邊緣 AI 的 " 軍備競賽 ",。瑞薩電子的 RZ/V2N MPU 集成 DRP-AI 加速器，提供 15 TOPS 的 AI 推理性能,，目標是視覺 AI 市場,；恩智浦 S32K5 的 eIQ Neutron NPU 則聚焦汽車邊緣傳感器處理,；Microchip 的 PIC32A 系列通過 64 位 FPU 支持 tinyML 部署。瑞薩和恩智浦的高算力方案更適合工業(yè)和汽車場景,，而 Microchip 的低成本 AI 策略則瞄準消費電子,。

不僅是這些廠商，ST 的 STM32N6 具有用于嵌入式推理的神經處理單元,，這是 ST 最強大的 MCU,，可執(zhí)行分割、分類和識別等任務,；TI C2000 設備中集成了 NPU,，能實現(xiàn)更智能的實時控制。

這些新動向反映了,，現(xiàn)在傳統(tǒng) MCU 的計算能力已難以應對 AI 工作負載,。通過集成專用加速器或增強 FPU，廠商突破了性能瓶頸,，將 MCU 推向更高層次的邊緣智能,。在 MCU 中使用硬件加速器可以減輕主處理器的推理負擔，從而留出更多時鐘周期來為嵌入式應用程序提供服務,。

5. 架構：RISC-V 的 " 新風口 "

英飛凌計劃將 RISC-V 引入汽車 MCU 市場,，推出基于 AURIX 品牌的新系列，并通過虛擬原型加速生態(tài)建設,。英飛凌現(xiàn)在是第一家發(fā)布汽車 RISC-V 微控制器系列的半導體供應商,。瑞薩的 RZ/V 系列則繼續(xù)深耕 Arm 架構，TI 和 ST 也未明確轉向 RISC-V,。

英飛凌汽車部門總裁 Peter Schiefer 表示：" 英飛凌致力于讓 RISC-V 成為汽車行業(yè)的開放標準,。在軟件定義汽車時代，實時性能,、安全可靠的計算以及靈活性,、可擴展性和軟件可移植性變得比今天更加重要?；?RISC-V 的微控制器有助于滿足這些復雜的要求,，同時降低汽車的復雜性并縮短上市時間。"

RISC-V 的開源特性降低了授權成本,，并提升了軟件可移植性,，對軟件定義趨勢下的汽車行業(yè)尤為重要。目前,，通過合資企業(yè) Quintauris,，英飛凌一直與半導體行業(yè)其他領先企業(yè)合作，加速基于 RISC-V 的產品的工業(yè)化,。

這場 MCU 的 " 內卷 " 中,，各大廠商的戰(zhàn)略清晰可見：

二,、MCU 的未來趨勢

MCU 新產品的演進背后，折射出市場需求的深刻變革,。消費者對小型化,、多功能電子設備的期待，正驅使 MCU 廠商在極限設計上展開激烈角逐,。同時,，汽車電氣化和物聯(lián)網的爆發(fā)為高端 MCU 開辟了新藍海。隨著市場需求的分化,，廠商間的產品定位和競爭格局將進一步拉開差距,。

首先，RISC-V 會成為新王者嗎,？英飛凌的 RISC-V 布局能否撼動 Arm 的霸主地位,，取決于生態(tài)成熟度和汽車廠商的接受度。RISC-V 用于 MCU,，不是新鮮事,。去年，瑞薩推出業(yè)界首款基于 RISC-V 的通用 32 位 MCU R9A02G021 系列,。國內的兆易創(chuàng)新,、秦恒微電子、全志科技等也在基于 RISC-V 研發(fā) MCU,。隨著越來越多的 MCU 廠商擁 RISC-V,，MCU 將成為 MCU 的又一個重要市場。Yole Group 摩爾定律業(yè)務線計算與軟件首席分析師 Tom Hackenberg 表示：" 到 2029 年底,，RISC-V 預計會占據(jù)整個 MCU 市場的 10%,，并且具有巨大的增長潛力。"

其次,，AI 算力 " 卷 " 到何時,？人工智能顯然是 MCU 演進的下一個重大事件。當前 15TOPS 的算力競賽只是起點,。AI 時代下的 MCU，已經與 MPU 的界限越來越模糊了,，高算力 MCU 已接近低端 MPU 的性能,，功能上從控制延伸至推理和決策。這可能重塑嵌入式系統(tǒng)的硬件選型邏輯,，MCU 若能在邊緣智能中占據(jù)主導,，或將擠壓低端 MPU 的市場空間。

再者,，存儲技術革命的臨界點,，MRAM,、PCM、FeRAM 等新型存儲的突破是否會引發(fā) Flash 的淘汰,？成本下降和工藝成熟將是關鍵變量,。未來，若新型存儲技術實現(xiàn)成本突破,，F(xiàn)lash 或將退守低端市場,，而高端 MCU 將迎來存儲技術的大洗牌。

三,、結語

2025 年的 MCU 大戰(zhàn)不僅是技術的 " 卷 ",，更是廠商對未來市場的戰(zhàn)略博弈。從 TI 的 " 黑胡椒 " 到恩智浦的 MRAM,，從瑞薩的 AI 加速器到英飛凌的 RISC-V,，每一步創(chuàng)新都在重新定義嵌入式系統(tǒng)的可能性。對于工程師和企業(yè)而言,，選擇合適的 MCU 不再只是技術決策,，而是關乎成本、生態(tài)和未來競爭力的綜合考量,。然而,，MCU 的這場 " 內卷 " 遠未結束。