引言

　　1958年,，從美國(guó)通用電氣公司研制成功第一個(gè)工業(yè)用可控硅開(kāi)始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組,、靜止的離子變流器進(jìn)入以電力半導(dǎo)體" target="_blank">半導(dǎo)體器件組成的變流器時(shí)代,。可控硅分單向可控硅與雙向可控硅,。單向可控硅一般用于彩電的過(guò)流,、過(guò)壓保護(hù)電路。雙向可控硅一般用于交流調(diào)節(jié)電路,，如調(diào)光臺(tái)燈及全自動(dòng)洗衣機(jī)中的交流電源控制,。

　　雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路,，是目前比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件，一直為家電行業(yè)中主要的功率控制器件,。近幾年,，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，大功率雙向可控硅不斷涌現(xiàn),，并廣泛應(yīng)用在變流,、變頻領(lǐng)域，可控硅應(yīng)用技術(shù)日益成熟,。本文主要探討廣泛應(yīng)用于家電行業(yè)的雙向可控硅的設(shè)計(jì)及應(yīng)用,。

　　雙向可控硅特點(diǎn)

　　雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同,。圖1為雙向可控硅的基本結(jié)構(gòu)及其等效電路,，它有兩個(gè)主電極T1和T2，一個(gè)門極G,，門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通,，因此有四種觸發(fā)方式,。

　　雙向可控硅應(yīng)用

　　為正常使用雙向可控硅，需定量掌握其主要參數(shù),，對(duì)雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求,。

　　耐壓級(jí)別的選擇：通常把VDRM（斷態(tài)重復(fù)峰值電壓）和VRRM（反向重復(fù)峰值電壓）中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。選用時(shí),，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,，作為允許的操作過(guò)電壓裕量。

　　電流的確定：由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值,。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。同時(shí),，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

　　通態(tài)（峰值）電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

　　維持電流：IH是維持可控硅維持通態(tài)所必需的最小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高，則IH越小,。

　　電壓上升率的抵制：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容,，如圖2所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩端會(huì)出現(xiàn)等效電流,，這個(gè)電流就會(huì)成為Ig,，也就是出現(xiàn)了觸發(fā)電流，導(dǎo)致誤觸發(fā),。

　　切換電壓上升率dVCOM/dt,。驅(qū)動(dòng)高電抗性的負(fù)載時(shí)，負(fù)載電壓和電流的波形間通常發(fā)生實(shí)質(zhì)性的相位移動(dòng),。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)雙向可控硅發(fā)生切換,，由于相位差電壓并不為零。這時(shí)雙向可控硅須立即阻斷該電壓,。產(chǎn)生的切換電壓上升率（dVCOM/dt）若超過(guò)允許值,，會(huì)迫使雙向可控硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài),，因?yàn)檩d流子沒(méi)有充分的時(shí)間自結(jié)上撤出，如圖3所示,。

　　高dVCOM/dt承受能力受二個(gè)條件影響：

　　dICOM/dt—切換時(shí)負(fù)載電流下降率,。dICOM/dt高，則dVCOM/dt承受能力下降,。

　　結(jié)面溫度Tj越高,，dVCOM/dt承受能力越下降。假如雙向可控硅的dVCOM/dt的允許值有可能被超過(guò),，為避免發(fā)生假觸發(fā),，可在T1 和T2 間裝置RC緩沖電路,，以此限制電壓上升率,。通常選用47~100Ω的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF的電容,，晶閘管關(guān)斷過(guò)程中主電流過(guò)零反向后迅速由反向峰值恢復(fù)至零電流,，此過(guò)程可在元件兩端產(chǎn)生達(dá)正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路,。

　　斷開(kāi)狀態(tài)下電壓變化率dvD/dt,。若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）作用很高的電壓變化率，盡管不超過(guò)VDRM,，電容性內(nèi)部電流能產(chǎn)生足夠大的門極電流,，并觸發(fā)器件導(dǎo)通。門極靈敏度隨溫度而升高,。假如發(fā)生這樣的問(wèn)題,，T1 和T2 間（或陽(yáng)極和陰極間）應(yīng)該加上RC 緩沖電路，以限制dvD/dt,。

　　電流上升率的抑制：電流上升率的影響主要表現(xiàn)在以下兩個(gè)方面：

　?、賒IT/dt（導(dǎo)通時(shí)的電流上升率）—當(dāng)雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發(fā)下導(dǎo)通，門極臨近處立即導(dǎo)通,，然后迅速擴(kuò)展至整個(gè)有效面積,。這遲后的時(shí)間有一個(gè)極限，即負(fù)載電流上升率的許可值,。過(guò)高的dIT/dt可能導(dǎo)致局部燒毀,，并使T1-T2 短路。假如過(guò)程中限制dIT/dt到一較低的值,，雙向可控硅可能可以幸存,。因此，假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的,、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出或?qū)〞r(shí)的dIT/dt有可能被超出,，可在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾μH的不飽和（空心）電感,。

　　②dICOM/dt (切換電流變化率) —導(dǎo)致高dICOM/dt值的因素是:高負(fù)載電流,、高電網(wǎng)頻率（假設(shè)正弦波電流）或者非正弦波負(fù)載電流,它們引起的切換電流變化率超出最大的允許值,，使雙向可控硅甚至不能支持50Hz 波形由零上升時(shí)不大的dV/dt，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián),，可以限制dICOM/dt,。

為了解決高dv/dt及di/dt引起的問(wèn)題，還可以使用Hi-Com 雙向可控硅,，它和傳統(tǒng)的雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有差別,。差別之一是內(nèi)部的二個(gè)“閘流管”分隔得更好，減少了互相的影響,。這帶來(lái)下列好處：
　?、俑遜VCOM/dt。能控制電抗性負(fù)載,，在很多場(chǎng)合下不需要緩沖電路,，保證無(wú)故障切換。這降低了元器件數(shù)量,、底板尺寸和成本,，還免去了緩沖電路的功率耗散。

　?、诟遜ICOM/dt,。切換高頻電流或非正弦波電流的性能大為改善，而不需要在負(fù)載上串聯(lián)電感,，以限制dICOM/dt,。

　　③高dvD/dt（斷開(kāi)狀態(tài)下電壓變化率）,。雙向可控硅在高溫下更為靈敏,。高溫下，處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),，容易因高dV/dt下的假觸發(fā)而導(dǎo)通,。Hi-Com雙向可控硅減少了這種傾向。從而可以用在高溫電器,，控制電阻性負(fù)載,，例如廚房和取暖電器，而傳統(tǒng)的雙向可控硅則不能用,。