0引言

　　我們在進(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,，根據(jù)需求,，要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個部分，并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián),、密不可分的,，嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)經(jīng)常需要在硬件和軟件設(shè)計(jì)之間進(jìn)行權(quán)衡與折中。因此,，這就要求嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)者具有較深厚的硬件和軟件基礎(chǔ),，并具有熟練應(yīng)用的能力。在整個設(shè)計(jì)過程中,，硬件設(shè)計(jì)是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)和核心,，而各功能部件在整個設(shè)計(jì)中的調(diào)試又是該環(huán)節(jié)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。本文詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器的接口電路的調(diào)試,。

　　1 Flash存儲器接口電路的引腳信號及各項(xiàng)特性

　　1.1 Flash存儲器接口電路的特點(diǎn)

　　Flash存儲器是一種可在系統(tǒng)（In-System）中進(jìn)行電擦寫,，掉電后信息不會丟失的存儲器。它具有低功耗,、大容量,、擦寫速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程（燒寫）,、擦除等特點(diǎn),，并且可由內(nèi)部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,。作為一種非易失性存儲器,，F(xiàn)lash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等,。常用的Flash為8位或16位數(shù)據(jù)寬度，編程電壓為單3.3V,。主要有ATMEL,、AMD、HYUNDAI等生產(chǎn)廠商，他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式,，可通用,。

　　1.2以HY57V641620為例的SDRAM接口電路的基本特性

　　本文以Flash存儲器HY29LV160為例，簡要描述一下Flash存儲器的基本特性：

　　HY29LV160的單片存儲容量為16M位（2M字節(jié)）,，工作電壓為2.7V～3.6V,，采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝，16位數(shù)據(jù)寬度,，可以以8位（字節(jié)模式）或16位（字模式）數(shù)據(jù)寬度的方式工作,。

　　HY29LV160僅需單3V電壓即可完成在系統(tǒng)的編程與擦除操作，通過對其內(nèi)部的命令寄存器寫入標(biāo)準(zhǔn)的命令序列,，可對Flash進(jìn)行編程（燒寫）,、整片擦除、按扇區(qū)擦除以及其它操作,。

　　HY29LV160的邏輯框圖,、引腳分布及信號描述分別如圖1和表1所示：

圖1 HY29LV160引腳分布（TSOP48封裝）

　　表1  HY29LV160的引腳信號描述

　　1.3 以HY29LV160為例的Flash接口電路的使用方法

　　下面，我們使用HY29LV160來構(gòu)建存儲系統(tǒng),。由于ARM微處理器的體系結(jié)構(gòu)支持8位/16位/32位的存儲器系統(tǒng),，對應(yīng)的可以構(gòu)建8位、16位,、32位的Flash存儲器系統(tǒng),。32位的存儲器系統(tǒng)具有較高的性能，而16位的存儲器系統(tǒng)則在成本及功耗方面占有優(yōu)勢,，而8位的存儲器系統(tǒng)現(xiàn)在已經(jīng)很少使用,。下面主要介紹16位和32位的Flash存儲器系統(tǒng)的構(gòu)建。

　　1.3.1.16位的FLASH存儲器系統(tǒng)

　　在大多數(shù)的系統(tǒng)中,，選用一片16位的Flash存儲器芯片（常見單片容量有1 MB ,、2MB 、4MB ,、8MB 等）構(gòu)建16位Flash的存儲系統(tǒng)已經(jīng)足夠,，在此采用一片HY29LV160構(gòu)建16位的Flash存儲器系統(tǒng)，其存儲容量為2MB,。Flash存儲器在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼,，系統(tǒng)上電或復(fù)位后從此處獲取指令并開始執(zhí)行，因此,，應(yīng)將存有程序代碼的Flash存儲器配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0,，即將S3C4510B的nRCS<0>（Pin75）接至HY29LV160的CE＃端。

　　HY29LV160的RESET＃端接系統(tǒng)復(fù)位信號,；

　　OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）,；

　　WE＃端S3C4510B的nWBE<0>（Pin100）；

　　BYTE＃上拉,，使HY29LV160工作在字模式（16位數(shù)據(jù)寬度）,；

　　RY/BY#指示HY29LV160編程或擦除操作的工作狀態(tài)，但其工作狀態(tài)也可通過查詢片內(nèi)的相關(guān)寄存器來判斷,，因此可將該引腳懸空,；

　　地址總線[A19～A0]與S3C4510B的地址總線[ADDR19～ADDR0]相連,；

　　16位數(shù)據(jù)總線[DQ15~DQ0]與S3C4510B的低16位數(shù)據(jù)總線[XDATA15~XDATA0]相連。

　　注意此時(shí)應(yīng)將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“10”,，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為16位工作方式。

　　1.3.2. 32位的FLASH存儲器系統(tǒng)

　　作為一款32位的微處理器,，為充分發(fā)揮S3C4510B的32性能優(yōu)勢,，有的系統(tǒng)也采用兩片16位數(shù)據(jù)寬度的Flash存儲器芯片并聯(lián)（或一片32位數(shù)據(jù)寬度的Flash存儲器芯片）構(gòu)建32位的Flash存儲系統(tǒng)。其構(gòu)建方式與16位的Flash存儲器系統(tǒng)相似,。

　　采用兩片HY29LV16并聯(lián)的方式構(gòu)建32位的FLASH存儲器系統(tǒng),，其中一片為高16位，另一片為低16位,，將兩片HY29LV16作為一個整體配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0,，即將S3C4510B的nRCS<0>（Pin75）接至兩片HY29LV16的CE＃端；

　　兩片HY29LV160的RESET＃端接系統(tǒng)復(fù)位信號,；

　　兩片HY29LV160的OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）,；

　　低16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE<0>（Pin100），高16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE<2>（Pin102）,；
　　兩片HY29LV160的BYTE＃均上拉,，使之均工作在字模式；

　　兩片HY29LV160的地址總線[A19～A0]均與S3C4510B的地址總線[ADDR19～ADDR0]相連,；

　　低16位片的數(shù)據(jù)總線與S3C4510B的低16位數(shù)據(jù)總線[XDATA15~XDATA0]相連,，高16位片的數(shù)據(jù)總線與S3C4510B的高16位數(shù)據(jù)總線[XDATA31~XDATA16]相連。

　　注意此時(shí)應(yīng)將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“11”,，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為32位工作方式,。

　　2.S3C4510B系統(tǒng)管理器關(guān)于存儲器映射的工作原理

　　當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作完成時(shí)，必須經(jīng)過仔細(xì)的調(diào)試,，才能保證系統(tǒng)按照設(shè)計(jì)意圖正常工作,。盡管系統(tǒng)的調(diào)試與個人對電路工作原理的理解和實(shí)際的電路調(diào)試經(jīng)驗(yàn)有很大的關(guān)系，但一定的調(diào)試方法也是必不可少的,。掌握正確的調(diào)試方法可使調(diào)試工作變得容易,，大大縮短系統(tǒng)的開發(fā)時(shí)間，反之,，可能會使整個系統(tǒng)的開發(fā)前功盡棄,，以失敗告終。

　　在系統(tǒng)的兩類存儲器中,，SDRAM相對于FLASH存儲器控制信號較多,，似乎調(diào)試應(yīng)該困難一些，但由于SDRAM的所有刷新及控制信號均由S3C4510B片內(nèi)的專門部件控制,，無需用戶干預(yù),，在S3C4510B正常工作的前提下,，只要連線無誤，SDRAM就應(yīng)能正常工作,，反之,，F(xiàn)lash存儲器的編程、擦除操作均需要用戶編程控制,，且程序還應(yīng)在SDRAM中運(yùn)行,，因此，應(yīng)先調(diào)試好SDRAM存儲器系統(tǒng),，再進(jìn)行Flash存儲器系統(tǒng)的調(diào)試,。

　　基于S3C4510B系統(tǒng)的最大可尋址空間為64MB，采用統(tǒng)一編址的方式,，將系統(tǒng)的SDRAM,、SRAM、ROM,、Flash,、外部I/O以及片內(nèi)的特殊功能寄存器和8K一體化SRAM均映射到該地址空間。為便于使用與管理,，S3C4510B又將64MB的地址空間分為若干個組,，分別由相應(yīng)的特殊功能寄存器進(jìn)行控制：

　　（1） ROM/SRAM/Flash組0～ROM/SRAM/Flash組5,，用于配置ROM,、SRAM或Flash，分別由特殊功能寄存器ROMCON0～ROMCON5控制,；

　?。?）DRAM/SDRAM組0～DRAM/SDRAM組3用于配置DRAM或SDRAM，分別由特殊功能寄存器DRAMCON0～DRAMCON3控制,；

　?。?）外部I/O組0～外部I/O組3用于配置系統(tǒng)的其他外擴(kuò)接口器件，由特殊功能寄存器REFEXTCON控制,；

　?。?）特殊功能寄存器組用于配置S3C4510B片內(nèi)特殊功能寄存器的基地址以及片內(nèi)的8K一體化SRAM，由特殊功能寄存器SYSCFG控制,；

　　在系統(tǒng)中,，使用了Flash存儲器和SDRAM，分別配置在ROM/SRAM/FLASH組0和DRAM/SDRAM組0,，暫未使用外擴(kuò)接口器件,。

　　3基于S3C4510B的嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器接口電路的調(diào)試

　　Flash存儲器的調(diào)試主要包括Flash存儲器的編程（燒寫）和擦除，與一般的存儲器件不同,，用戶只需對Flash存儲器發(fā)出相應(yīng)的命令序列,，F(xiàn)lash 存儲器通過內(nèi)部嵌入的算法即可完成對芯片的操作,，由于不同廠商的Flash存儲器在操作命令上可能會有一些細(xì)微的差別，F(xiàn)lash存儲器的編程與擦除工具一般不具有通用性,，這也是為什么Flash接口電路相對較難調(diào)試的原因之一,，因此，應(yīng)在理解Flash存儲器編程和擦除的工作原理的情況下,，根據(jù)不同型號器件對應(yīng)的命令集,，編寫相應(yīng)的程序?qū)ζ溥M(jìn)行操作。

　　若使用SDT調(diào)試環(huán)境,，調(diào)試過程與上述步驟相似。

　　>obey C:memmap.txt

　　打開AXD Debugger的命令行窗口,，執(zhí)行obey命令：

　　此時(shí),，2MB的Flash存儲器映射到地址空間的0x0000,0000～0x001F,FFFF處，選擇菜單Processor Views→Memory選項(xiàng),，出現(xiàn)存儲器窗口,，在存儲器起始地址欄輸入Flash存儲器的映射起始地址：0x0,數(shù)據(jù)區(qū)應(yīng)顯示Flash存儲器中的內(nèi)容，若Flash存儲器為空,，所顯示的內(nèi)容應(yīng)全為0xFF,否則應(yīng)為已有的編程數(shù)據(jù),。雙擊其中的任一數(shù)據(jù)，輸入新的值,，對應(yīng)存儲單元的內(nèi)容應(yīng)不能被修改,，此時(shí)可初步認(rèn)定Flash存儲器已能被訪問，但是否能對其進(jìn)行正確的編程與擦除操作,，還需要編程驗(yàn)證,，通過程序?qū)lash存儲器進(jìn)行編程和擦除操作。

　　4結(jié)束語

　　這樣整個基于的嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器接口電路的調(diào)試基本上完成了,，當(dāng)然對于不同的系統(tǒng),，操作是略有不同的，我們可以根據(jù)所要開發(fā)或使用的嵌入式系統(tǒng)模式,，進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整,，保證我們正確的使用Flash存儲器。