0  引言

　　電源是各種電子設(shè)備必不可少的重要組成部分,，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到整個電子系統(tǒng)的安全性和可靠性,。單片開關(guān)電源集成電路由于其具有高集成度、高性價比,、最簡外圍電路,、最佳性能指標(biāo)等優(yōu)點，顯示出了強大的生命力,。

　　PI 公司于2002年9月推出的LinkSwitch（簡稱LNK）系列單片電源在正常工作時的開關(guān)頻率一般在42kHz,不僅對前級電路帶來很大的電磁兼容問題,，而且也對鄰近的某些電子設(shè)備產(chǎn)生電磁干擾。故必須對整個電路進(jìn)行電磁兼容（EMC）設(shè)計,，使各個元件在復(fù)雜的電磁環(huán)境下都能正常運行,。

　　1   LNK的電磁兼容性問題  

　　開關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾最根本的原因,，就是其在工作過程中產(chǎn)生的高di/dt與高dv/dt，它們產(chǎn)生的浪涌電流和尖峰電壓形成了干擾源,。開關(guān)管的驅(qū)動波形,、MOSFET漏源波形等矩形波在脈沖邊緣時的高頻變化對開關(guān)電源的基本信號造成了干擾。圖1為由LNK構(gòu)成開關(guān)電源的電路模型,。下面具體分析圖1中噪聲產(chǎn)生的原因和途徑,。

圖1 LNK開關(guān)電源電路模型

　　1．1 電源線引入的噪聲

　　電源線噪聲是電網(wǎng)中各種用電設(shè)備產(chǎn)生的電磁騷擾沿著電源線傳播所造成的，對外表現(xiàn)為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾,。傳導(dǎo)干擾分為共模（Common Mode—CM）干擾和差模（Differential Mode—DM）干擾,。共模干擾定義為任何載流導(dǎo)體與參考地之間的不希望有的電位差，差模干擾定義為任何兩個載流導(dǎo)體之間的不希望有的電位差,。由于開關(guān)電路寄生參數(shù)的存在以及開關(guān)器件的高頻開通和關(guān)斷,，使得開關(guān)電源在其輸入端產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾。圖2即為圖1的共模差模干擾的傳播途徑,。在高頻情況下,，由于dv/dt很高，激發(fā)變壓器線圈間以及LNK的寄生電容,，從而形成了共模干擾,。如圖2的黑體虛線所示。在高頻情況下,，在輸入輸出的濾波電容上產(chǎn)生很高的di/dt,，從而形成了差模干擾。如圖2的淡體虛線所示,。

圖2 共模、差模干擾傳播途徑

　　1．2 變壓器產(chǎn)生的干擾

　　高頻變壓器是開關(guān)電源實現(xiàn)能量儲存,、隔離輸出,、電壓變換的重要元件，在不考慮漏感以及開關(guān)動作時間時,，高頻工作下的MOSFET產(chǎn)生的波形應(yīng)該是標(biāo)準(zhǔn)的方波。但在實際變壓器制作時,，繞組漏感是不可避免的,。由于漏感存在，開關(guān)閉合時,，原邊漏感將儲存一定的能量,，當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時，儲存的能量得到釋放,，使得開關(guān)器件的兩端出現(xiàn)電壓關(guān)斷尖峰,，與原來的直流高壓和感應(yīng)電壓疊加,，可使MOSFET的漏極電壓超過700V（LNK系列的MOSFET的漏極擊穿電壓為700V），有可能影響開關(guān)的正常工作甚至損壞LNK,。

　　1．3 輸出整流二極管的尖峰干擾

　　理想的二極管在承受反向電壓時截止,，不會有反向電流通過。但實際二極管在承受反向電壓時,，PN結(jié)內(nèi)儲存的電荷在反向電場作用下被復(fù)合,，形成反向恢復(fù)電流，它恢復(fù)到零點的時間與結(jié)電容等因素有關(guān),。反向恢復(fù)電流在變壓器漏感,、引線電感以及二極管的結(jié)電容的影響下將產(chǎn)生強烈的高頻衰減振蕩，高頻衰減振蕩電壓與關(guān)斷電壓疊加,，將形成一個相當(dāng)大的關(guān)斷電壓尖峰,。這個反向恢復(fù)噪聲也是開關(guān)電源的一個主要干擾源。

　　1．4 分布電容及寄生參數(shù)引起的干擾

　　開關(guān)電源的分布電容主要為開關(guān)電源與散熱器或外殼之間的分布電容,、LNK的漏極與電源線之間的分布電容,、變壓器初次級之間的分布電容。以上的分布電容都可以傳輸共模干擾,。

　　在高頻下,，普通的電阻電容電感都將呈高頻寄生特性，這將對其正常工作產(chǎn)生影響,。例如,，高頻工作時，導(dǎo)線寄生電感的感抗顯著增加,，這將使其變成一根發(fā)射線,，即成了開關(guān)電源中的一個輻射干擾源。

　　2 EMC設(shè)計

　　圖3為未考慮EMC設(shè)計時的EMI仿真曲線,，根據(jù)廣泛采用的GB9254中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)曲線,，可看出干擾強度超過規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)了，必須對電路進(jìn)行相應(yīng)的抗干擾設(shè)計,。

圖3 未考慮EMC設(shè)計的EMI仿真曲線

　　EMC設(shè)計應(yīng)該從三個方面去考慮：

1） 減小干擾源產(chǎn)生的干擾信號
2） 切斷干擾信號的傳播途徑
3） 增強敏感電路的抗干擾能力

　　2．1 輸入側(cè)濾波器設(shè)計

　　電源線干擾可以使用EMI濾波器濾除,，EMI濾波器應(yīng)是一個只允許直流至工頻（50Hz，400Hz）通過的理想低通濾波器,，即從直流至截止頻率的通帶以最小衰減通過,，一般以額定電流下的壓降表示；對電磁干擾的阻帶,，給以盡可能高的衰減,；通帶和阻帶之間的過濾帶應(yīng)盡量的陡。

　　圖4為常用EMI濾波器,，圖5和圖6為其共模等效電路和差模等效電路,?？赏茖?dǎo)出共模插入損耗和差模插入損耗（式中 為共模扼流圈由于兩個繞組不對稱引起的電感差值）為

 　　2．2 變壓器尖峰電壓抑制

　　LNK 內(nèi)部集成的MOSFET在高速開關(guān)時，使高頻變壓器的原邊漏感儲存的能量釋放,，產(chǎn)生的尖峰電壓與原來的方波疊加有可能影響開關(guān)的正常工作或直接損壞 LNK,。一般為了抑制這種高壓尖峰，采用的是緩沖或鉗位的方法,。如圖1中的起到的就是這種作用,。當(dāng)開關(guān)管截止時，電容被充電,，電容兩端的電壓“緩慢”上升,，抑制了開關(guān)管上的電壓變化和尖峰電壓的產(chǎn)生。而當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時,，由于電阻的存在,，限制了開關(guān)管導(dǎo)通時的電流峰值。由于開關(guān)管工作頻率較高以及LNK內(nèi)部的MOSFET的漏極擊穿電壓為700V故鉗位二級管故應(yīng)采用耐壓為600V以上的快速恢復(fù)二級管,，鉗位電容 則應(yīng)采用 的金屬薄膜電容,。

　　2．3 輸出整流二極管尖峰抑制

　　對輸出整流二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)噪聲，可以通過在二極管兩端并聯(lián)RC緩沖器來抑制,，也可以通過在二極管串聯(lián)一個飽和電感來抑制,。并聯(lián)的RC緩沖器起到一階濾波器的作用，根據(jù)需要濾除高頻噪聲,。串聯(lián)的飽和電感在整流二極管導(dǎo)通時工作在飽和狀態(tài)下,，相當(dāng)于導(dǎo)線；在整流二極管關(guān)斷反向恢復(fù)時,，工作在電感特性狀態(tài)下,，可以阻礙電流的大幅度變化。

　　2．4 其他措施

1.  對整流電路采用無源功率因數(shù)校正法來降低諧波成分并提高功率因數(shù),；
2． 對變壓器進(jìn)行屏蔽來減少其漏感帶來的輻射,；
3． 對電路板進(jìn)行合理設(shè)計，LinkSwitch應(yīng)盡量遠(yuǎn)離交流輸入端,，盡量減小高頻變壓器初次回路所包圍的面積,。

　　3  結(jié)語

　　抑制開關(guān)電源的干擾是開發(fā)應(yīng)用型開關(guān)電源的一個重要的課題。本文就不同的干擾源提出了針對性的解決方法,，并就原電路的EMI仿真曲線重新設(shè)計了電路的參數(shù),，改進(jìn)后的電路基本符合GB9254標(biāo)準(zhǔn)。文末提出的幾種工藝改進(jìn)的方法都能對開關(guān)電源的電磁干擾問題起到進(jìn)一步的作用,這些都對開關(guān)電源的電磁兼容設(shè)計具有一定的參考意義.

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