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介紹
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??? DS1865突發(fā)模式PON控制器內(nèi)置監(jiān)測(cè)電路" title="監(jiān)測(cè)電路">監(jiān)測(cè)電路,。該器件具有七個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器表,，內(nèi)部排列成8個(gè)字節(jié)行,。此外,，該控制器還具有輔助存儲(chǔ)器，這些存儲(chǔ)器為EEPROM,，可通過(guò)A0h從地址讀取,。
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DS1865存儲(chǔ)器圖
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??? 低層存儲(chǔ)器的地址從00h至7Fh。該存儲(chǔ)器包含報(bào)警,、預(yù)警門(mén)限,、標(biāo)志、屏蔽和幾個(gè)控制寄存器" title="控制寄存器">控制寄存器,，密碼輸入?yún)^(qū)域(PWE)和表選擇字節(jié),。參見(jiàn)圖1。
??? 表01h主要包括EEPROM (PW1級(jí)訪問(wèn)權(quán)限)和一些報(bào)警,、預(yù)警狀態(tài)字節(jié),。
??? 表02h是多功能區(qū),，包括配置寄存器" title="配置寄存器">配置寄存器,、比例調(diào)節(jié)與失調(diào)存儲(chǔ)器、密碼,、中斷寄存器以及各種控制字節(jié),。
??? 表03h是關(guān)鍵數(shù)據(jù)的用戶EEPROM區(qū)域，受PW2級(jí)加密保護(hù),。
??? 表04h包含溫度索引查找表" title="查找表">查找表(LUT),，用于控制調(diào)制電壓。調(diào)制LUT可以在-40°C至+102°C范圍內(nèi),，以2°C步長(zhǎng)進(jìn)行設(shè)置,。這些寄存器的訪問(wèn)受PW2級(jí)加密保護(hù)。
??? 表05h包含另一個(gè)LUT,，允許APC設(shè)置點(diǎn)作為溫度的函數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié),，用于跟蹤誤差(TE)補(bǔ)償。TE LUT具有36項(xiàng),，能夠在-40°C至+100°C范圍內(nèi),，以4°C為間隔設(shè)置APC,。該寄存器的訪問(wèn)受PW2級(jí)加密保護(hù)。
??? 表06h包含一個(gè)MON4索引LUT,，用于控制M4DAC電壓,。M4DAC LUT具有32項(xiàng)，可配置" title="可配置">可配置為一個(gè)32項(xiàng)的LUT或兩個(gè)16項(xiàng)的LUT,。當(dāng)配置為一個(gè)32項(xiàng)的LUT時(shí),，每一項(xiàng)對(duì)應(yīng)的步長(zhǎng)為滿量程1/32。當(dāng)配置為兩個(gè)16項(xiàng)LUT時(shí),，前16項(xiàng)和后16項(xiàng)分別對(duì)應(yīng)滿量程的1/16,。兩個(gè)16項(xiàng)都通過(guò)獨(dú)立的配置位進(jìn)行選擇。該寄存器的訪問(wèn)受PW2級(jí)加密保護(hù),。
圖1. DS1865存儲(chǔ)器?
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寄存器參考值
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??? 以下表格給出了低層存儲(chǔ)器,、表01h和表02h的簡(jiǎn)單參考值，有關(guān)每位功能的說(shuō)明,，請(qǐng)參考DS1865數(shù)據(jù)資料中對(duì)應(yīng)的寄存器,。表03h、04h,、05h和08h不需要單獨(dú)的參考值,，這里沒(méi)有列出。(請(qǐng)參考數(shù)據(jù)資料了解這些表格的詳細(xì)信息,。)
??? 注：RSVD是'Reserved”的縮寫(xiě),。
低層存儲(chǔ)器 ?
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表01h ?
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表02h
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