??? 摘 要： 通過選擇低功耗" title="低功耗">低功耗器件,，特別是高效率DC/DC" title="DC/DC">DC/DC變換器" title="變換器">變換器,合理進(jìn)行電路板布線,，優(yōu)化結(jié)構(gòu)級(jí)設(shè)計(jì),，進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)功率管理,，從而延長(zhǎng)電池工作時(shí)間。根據(jù)多媒體終端的要求,，選擇了許多新工藝器件,，極大地降低了系統(tǒng)功耗。
??? 關(guān)鍵詞: 低功耗? OMAP1510? 能源效率? DC/DC變換器
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??? 手機(jī),、PDA等手持設(shè)備對(duì)圖像,、音頻處理能力的要求日益提高，同時(shí)要求設(shè)備的體積,、重量越來越小,。這些設(shè)備一般靠單節(jié)可充電鋰電池作為電源,。因而提高處理能力,，降低系統(tǒng)功耗以延長(zhǎng)電池工作時(shí)間是手持設(shè)備的重要研究課題[1]。
??? 參考文獻(xiàn)[1]討論了低功耗的系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù),，特別強(qiáng)調(diào)減小電容,，縮減不必要的開關(guān)行為，降低電壓" title="低電壓">低電壓和頻率,。外部器件間的連接通常比片上連接電容更大,，實(shí)驗(yàn)證明10%～40％的能量消耗在總線多工器驅(qū)動(dòng)器上,。應(yīng)減少輸出，盡量使用片上資源,。單純降低頻率并不能降低功耗,，因?yàn)橥瓿赏瑯拥娜蝿?wù)需要更長(zhǎng)的時(shí)間。降低電壓會(huì)導(dǎo)致性能降低,，通過增加并行器件來彌補(bǔ),。選擇低電壓的CMOS 芯片，芯片內(nèi)各個(gè)功能模塊應(yīng)能分別進(jìn)行低功耗的管理,。CMOS 器件的功耗主要分兩類：靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗" title="動(dòng)態(tài)功耗">動(dòng)態(tài)功耗,。動(dòng)態(tài)功耗依賴于工作頻率，靜態(tài)功耗與工作頻率無關(guān),。偏置電流（Pb）和泄漏電流(Pl)引起靜態(tài)功耗,，短路電流(Psc)和動(dòng)態(tài)功耗（Pd)是由電路的開關(guān)行為引起的。器件總功耗P可以表示成：
??? P=Pd+Psc+Pb+Pl
??? Pd=Ceff V2 f
??? Ceff＝α C
??? 上式中,，V和 f分別是器件工作電壓和頻率,，Ceff 是等效的開關(guān)電容，C是充放電電容,，α是活躍性加權(quán)因子,，表示電路狀態(tài)發(fā)生改變的概率。CMOS 器件功耗的85～90％是動(dòng)態(tài)功耗,，而動(dòng)態(tài)功耗與工作電壓的平方成正比,。因此選擇低電壓器件能極大地降低功耗。
1 主處理器選擇
??? 目前在手持設(shè)備中,，主要運(yùn)用ARM 處理器,。ARM 處理器的優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格低、功耗小,，特別適合各種控制功能[2],。ARM 芯片采用馮·諾依曼結(jié)構(gòu), 指令、數(shù)據(jù)地址存儲(chǔ)統(tǒng)一編址,，使用單一的32位數(shù)據(jù)總線傳送指令和數(shù)據(jù),。 這種體系結(jié)構(gòu)使ARM 控制功能較強(qiáng), 媒體處理速度較慢，適合人機(jī)接口和通信協(xié)議,。為了提高媒體處理能力,，INTEL在PXA250 Xscale 芯片上增加了協(xié)處理器，用來進(jìn)行乘累加,。TI的OMAP1510芯片內(nèi)部集成了一個(gè)ARM925核及一個(gè)C55X核,。ARM工作頻率高達(dá)175MHz。C55X 采用哈佛結(jié)構(gòu),，具有程序總線,、三條讀數(shù)據(jù)總線和二條寫數(shù)據(jù)總線,。C55X具有兩個(gè)硬件乘累加單元、兩個(gè)ALU,，還有用于DCT/IDCT,、運(yùn)動(dòng)估計(jì)、1/2像素內(nèi)插的硬件加速器,。工作電壓1.6V,頻率高達(dá)200MHz,。C55x指令集從8～48比特，改善了代碼密度,，減少了存儲(chǔ)器訪問次數(shù),。
2 最小單片機(jī)系統(tǒng)（存儲(chǔ)器）
??? 目前存儲(chǔ)器主要有：SRAM、SDRAM,、FRAM,、EEPROM、FLASH,。由于平臺(tái)常存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù),，如操作系統(tǒng)應(yīng)用程序，可以選擇FLASH,，如INTEL 28F128L18[3],。 28F128L18初始訪問時(shí)間是85ns，異步頁(yè)模式為25ns,，同步突發(fā)為54MHz,，能在讀周期完成后自動(dòng)進(jìn)入功率節(jié)省模式，片選無效或復(fù)位有效時(shí)進(jìn)入standby模式,，電流大約50μA,，異步讀電流大約18mA。為了加快應(yīng)用程序的執(zhí)行,，配置SDRAM或者SRAM,。由于SDRAM 比SRAM 容量大、價(jià)格便宜,，選用SDRAM用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),。由于系統(tǒng)在運(yùn)行時(shí)，大功耗元件除LCD背景光外,，就是SDRAM,。而多媒體需要大量數(shù)據(jù)讀寫，因此選用低電壓,、溫度補(bǔ)償和部分陣列刷新的Mobile SDRAM產(chǎn)品對(duì)降低功耗十分重要,。如SAMSUNG K4M28163PD-RS1L，自動(dòng)刷新電流85mA,，4 bank激活突發(fā)模式為50mA,，可使能SDRAM自動(dòng)預(yù)充。這樣在每次突發(fā)讀寫后,，該bank 進(jìn)入空閑狀態(tài),，電流可降到5.5mA。OMAP1510對(duì)K4M28163PD-RS1L進(jìn)行控制時(shí),，應(yīng)置K4S56163-RR75為全頁(yè)突發(fā),，以減小訪問時(shí)間，降低功耗,。系統(tǒng)常有一些數(shù)據(jù)量不大的數(shù)據(jù)需要保存,，可采用鐵電存儲(chǔ)器，如聲音的音量,、LCD的亮度,。這些參數(shù)如果保存到FLASH或者EEPROM,功耗會(huì)更大。FLASH 需要整塊擦除,。RAMTRON的FM24CL16在3V 電源 100kHz 頻率讀寫時(shí),，電流為75μA，standby 電流為1μA,。ATMEL AT24C16 在5V 100kHz讀寫電流分別是0.4mA,、 2mA,在2.7V時(shí)standby電流為1.6μA。AT24C16字節(jié)寫入時(shí)間大約10ms,，F(xiàn)M24CL16 寫入時(shí)間為總線時(shí)間,，不需延時(shí)，因而功耗較小,。SDRAM與FLASH,、SRAM 采用不同的接口，在調(diào)試ARM 中斷服務(wù)程序時(shí),，由于中斷服務(wù)矢量位于低端地址,，調(diào)試時(shí)最好有SRAM映射到0 地址處。因此SRAM和FLASH的片選信號(hào)應(yīng)該是可配置的,。SRAM可選用Cypress CY62157DV18, 典型工作電流10mA,，standby 電流為2μA。
3 其它周邊元件
??? LCD顯示屏應(yīng)采用透射反射型,，如SHARP LQ035Q7DB02,。反射型LCD 在強(qiáng)光條件下有明亮的高對(duì)比度,但在弱光條件下需要更高的亮度。SHARP 把反射型LCD與背后點(diǎn)亮透射型LCD技術(shù)相結(jié)合,在強(qiáng)光條件下用作反射型LCD, 在弱光條件下用作背后點(diǎn)亮透射型LCD,。反射模式時(shí)功耗為26mW,；透射模式即點(diǎn)燃背景光LED時(shí)功耗為350mW。Xilinx CoolRunner-II CPLD使用了快速零功耗技術(shù),。在手持多媒體終端中,，圖像采集模塊和聲音采集模塊數(shù)據(jù)量大,，因此除靜態(tài)功耗外，還應(yīng)綜合考慮接口電壓高低,，即數(shù)據(jù)傳輸引起的動(dòng)態(tài)損耗,。
4 電源產(chǎn)生
??? 鋰離子電池是目前應(yīng)用最為廣泛的鋰電池，可充電的鋰離子電池的額定電壓為3.6V(有的產(chǎn)品為3.7V),。充滿電時(shí)的終止充電電壓與電池陽極材料有關(guān)：陽極材料為石墨的4.2V,；陽極材料為焦炭的4.1V。不同陽極材料的內(nèi)阻也不同,，焦炭陽極的內(nèi)阻略大,。鋰離子電池的放電曲線平坦，終止放電電壓為2.5V～2.75V,。在通常的固定頻率DC/DC變換器中,主要有三類功率損失：（1）負(fù)載電流相關(guān)的損失,，主要包括MOSFET的導(dǎo)通電阻、二極管正向?qū)▔航?、電感電阻,、電容等效串?lián)電阻；（2）開關(guān)頻率相關(guān)的損失有MOSFET的輸出電容柵極電容及門驅(qū)動(dòng)損失等,；（3）其它固定損失,，如MOSFET、二極管,、電容泄漏電流損失,。在大負(fù)載電流時(shí)，主要是電流相關(guān)功率損失,，在小負(fù)載情況下,，主要是頻率相關(guān)功率損失。在負(fù)載電流范圍較寬時(shí),，采用調(diào)頻方式效率更高[9],。文獻(xiàn)[10]討論了在斷續(xù)導(dǎo)通和連續(xù)導(dǎo)通模式時(shí)提高效率的控制方法。很多DC/DC變換器都能以固定頻率或在輕負(fù)載時(shí)以跳脈沖方式工作,。這兩種方式切換可由芯片外部控制（如TI的TPS60110,、LINEAR的LTC3440），也可由芯片內(nèi)部自動(dòng)控制,，如Philips的TEA1207,。如果由芯片管腳控制，則由ARM控制：ARM處理器控制各個(gè)功能模塊掉電或者空閑,分別測(cè)出功能模塊不同狀態(tài)下的工作電流,，并根據(jù)負(fù)載電流值,，結(jié)合電源芯片的兩種模式下的效率曲線或者其它電路參數(shù)，選擇高效率的工作方式。
??? OMAP 應(yīng)用平臺(tái)需要多種電源,，如用于核的1.6V,用于FLASH,、SDRAM的1.8V或者2.75V, 用于USB或者模擬音頻的3.3V，用于USB接口的5V,，用于LCD供電的±15V等,。先升壓到5V,，再用線性穩(wěn)壓器LDO降到低電壓1.5,、1.8、2.5,、2.8,、3.0、3.3V等的方法效率較低,，尤其是低電壓,。TI的innovator主板上的1.6V、2.7V,、3.1V,、3.3V是這樣產(chǎn)生的：電池電壓經(jīng)過TPS60110(四片并聯(lián)輸出)得到5V，再分別經(jīng)過TPS76701 LDO線形穩(wěn)壓得到1.6V,、2.7V,、3.1V、3.3V,。采用cuk 電容變換器和低壓差線形穩(wěn)壓芯片LDO的優(yōu)點(diǎn)是不需電感,、使用方便、成本低,。采用以下方法提高電源效率：輸出電壓低于鋰電池最小放電電壓時(shí),，如2.5V、1.8V,、1.6V,，選擇單純的buck 電感變換器；當(dāng)輸出電壓高于鋰電池最大放電電壓時(shí),，采用單純的boost 電感變換器,。采用輸入電壓降到2.5V時(shí)仍能正常工作的下變換芯片，能延長(zhǎng)放電時(shí)間,。對(duì)于3.3V,，可使用LINEAR公司單片BUCK-BOOST 電感變換器如LTC3441f，在負(fù)載200mA,、3.3V輸出時(shí),，在鋰電池放電電壓范圍內(nèi)效率高達(dá)90％。LTC3441占空比只能達(dá)到(1－150ns×f)%?？稍O(shè)計(jì)BUCK-BOOST 電感變換器,，在鋰電池放電電壓下降到接近或等于器件工作電壓時(shí)，用作buck 變換器時(shí)占空比達(dá)到100％,，即輸入電壓通過電感到達(dá)輸出,，沒有開關(guān)切換，沒有高頻切換損失,，效率將達(dá)到最高,。因?yàn)楹芏嘈酒加休^寬的電壓范圍，如28F128J3A VCC=2.7~3.6V,VCCQ=2.7~3.6V,； ADS7846 VCC=2.2~5.25V,；LAN91C96 VCC=3.3V±10%； AT24C04 VCC=1.8~5.5V,。鋰離子電池在3.3V左右放電時(shí)間較長(zhǎng),，能更大限度提高電源效率，延長(zhǎng)電池壽命,。
??? 下面是電源方案：
??? 鋰電池→TEA1200（或TEA1201TS）→1.5V(或者1.8V),；
??? 鋰電池→LTC3441→3.3V(或者1.8V,3.0V,5V) (效率可高達(dá)96％);
??? 鋰電池→TEA1200（或TEA1201TS，TPS60110）→5V(效率可高達(dá)95％),。
??? 在手持設(shè)備中,，一節(jié)鋰電池供電，輸出多種電壓電源,。電池工作時(shí)間長(zhǎng)短,，不僅取決于各器件的低功耗、電源變換器的能源效率,，還取決于系統(tǒng)對(duì)器件的功耗管理和軟件功耗,。
參考文獻(xiàn)
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3 Ramtron International Corporation. FM24CL16ds_r2.2.pdf[EB/OL].http://www.ramtron.com/products/datasheets/FM24 CL16ds_r2.2.pdf. 2003
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