《電子技術(shù)應用》
您所在的位置:首頁 > 測試測量 > 設(shè)計應用 > 加快RF器件測試速度的方法
加快RF器件測試速度的方法
中電網(wǎng)
摘要: 對所有的電子元件的制造商而言,測試速度都是很重要的,,而對于低價格的二,、三引腳元件如二、三極管來說卻更是至關(guān)重要,。在RF測試能夠進行之前,必須測試這些器件的直流工作狀態(tài),。選擇正確的測試儀器并通過適當?shù)脑O(shè)定,,能夠極大地加速這些測試過程。
Abstract:
Key words :

對所有的電子元件的制造商而言,,測試速度都是很重要的,,而對于低價格的二、三引腳元件如二,、三極管來說卻更是至關(guān)重要,。在RF測試能夠進行之前,必須測試這些器件的直流工作狀態(tài),。對于二極管來說,,包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流,。對于三極管,,這包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流,、集電極或漏極特性等,。選擇正確的測試儀器并通過適當?shù)脑O(shè)定,能夠極大地加速這些測試過程。  

儀器選擇  

盡管可以采用各種數(shù)字萬用表(DMM),、電壓源和電流源來實現(xiàn)測試,,但是與將所有這些功能包含在一個單元內(nèi)的測試系統(tǒng)相比,將占用更多的機架空間,、需要學習多種命令集,,系統(tǒng)編程和維護也更復雜。最重要的是,,觸發(fā)時間變復雜了,,且觸發(fā)的不確定性增加了,而協(xié)調(diào)分立儀器的操作增加了總線的通訊流量,,降低了測試效率,。  

要解決這些問題,首先是將幾個功能整合到一個儀器中,。源-測量單元(SMU)將精密電壓源,、精密電流源、電壓表,、電流表整合到一個儀器中,,節(jié)約了空間并簡化了設(shè)備間的操作。其次是消除儀器和控制計算機之間的通訊延時,。  

降低通訊開銷  

隨著儀器和計算機間的高速通訊成為可能,,通過GPIB(IEEE-488總線)鏈接為測試的每個步驟提供命令和控制,使得測試系統(tǒng)自動化更為廣泛,。盡管這與以前相比有很大的進步,,但還是具有明顯的速度限制。首先,,GPIB需要可觀的通訊開銷。GPIB用作實時測試的另外一個缺點是控制通常來自總線的另外一端-運行Windows操作系統(tǒng)的PC,,Windows在通訊響應時具有顯著的延時,,并且不可預測,這使得在測試環(huán)境中使用PC作為唯一的控制器時,,多個儀器的同步幾乎是不可能的,。



圖1:二極管測試時的測量設(shè)備設(shè)置。

這個問題的解決辦法是使用GPIB對儀器進行預配置,,然后讓儀器自己執(zhí)行測試,。許多現(xiàn)代儀器擁有源存儲器列表(source memory list)編程功能,允許設(shè)立和運行多達100個完整的測試序列而無須PC干預,。每個測試可包含不同的儀器配置和測試條件,,可包括源的配置、測量、條件跳轉(zhuǎn),、數(shù)學功能和通過/失敗極限測試和存儲功能,。某些單元可在直流或脈沖模式下,采用不同的參數(shù)和時間安排運行,,使得有可能減慢較敏感的測試,,或加速其它測試以優(yōu)化整個測試時間進程。  

當儀器基本上自主運行時,,GPIB的角色就是測試前下載測試程序以及測試后上傳結(jié)果到PC,,兩者都不干涉實際測試。  

儀器觸發(fā)  

為實現(xiàn)簡單的電流-電壓掃描(I-V),,SMU輸出一系列電壓同時測量對應的電流,。在每個電壓級,SMU首先提供一個電壓,。電路中的電壓變化將引起一個瞬態(tài)電流,,因此對測試完整性而言在激勵和測量之間設(shè)定一個合適的延時很關(guān)鍵。在不同的范圍內(nèi)儀器將自動調(diào)節(jié)延時來產(chǎn)生最佳結(jié)果,。然而,,給測試電路附加額外的部件,例如長電纜,、開關(guān)矩陣等,,這將改變電路的瞬態(tài)特性。對于高阻器件,,較長的測試時間通常是必要的,。在這些情況下,用戶需要定義額外的延時以維持測量的完整性,。  

二極管的測試  

我們的第一個例子包括測試儀器,、器件傳遞裝置(handler)和PC(圖1),這里需要注意如何通過內(nèi)部編程來消除大多數(shù)的GPIB通訊來加速測試,。  

二極管的生產(chǎn)測試包括驗證步驟確定待測二極管的極性,,然后測試正向壓降、反向擊穿電壓以及漏電流,。  

正向壓降是指在某些規(guī)定的正向電流時二極管兩端的電壓,,通過在二極管上通過規(guī)定電流,然后在其兩端測量電壓來得到,。反向擊穿電壓(VRM或VBR)是電流突然無限增加時的反向電壓,,這通過施加反向電流并測量二極管兩端的電壓來測量。讀出的電壓與特定的最低極限相比較以決定測試通過或失敗,。漏電流IR有時也稱為反向飽和電流,,IS是給二極管施加小于反向擊穿電壓的一個電壓時的電流,,它是通過施加一個特定的反向電壓并測量產(chǎn)生的電流來得到的。編寫程序來在源/存儲器儀器的存儲器位置(memory location)中設(shè)置二極管的測試,,然后通過IEEE總線傳來的一個觸發(fā)開始執(zhí)行,,儀器按照存儲器中的設(shè)定編程位置執(zhí)行操作,無須計算機的干預,。



圖2:在三極管測試中一般使用兩臺SMU,,第一臺在HBT基極和發(fā)射極之間,第二臺在發(fā)射極和集電極之間,。

RF功率三極管測試  

盡管有許多類型的RF三極管存在,,但我們以異質(zhì)結(jié)雙極性三極管(HBT)為例,類似的測試可用于其它器件,。由于三極管是個三端器件,,通常需要使用兩臺SMU。圖2顯示兩臺SMU連接到器件,,第一臺在HBT基極和發(fā)射極之間,,第二臺在發(fā)射極和集電極之間。為了獲取HBT的集電極曲線,,基極SMU設(shè)置成輸出電流并測量電壓,。設(shè)好第一個基極電流后,在掃描集電極電壓的同事測量集電極電流,。然后基極電流增加一級,,再次掃描集電極電壓并同時測量集電極電流。重復該過程直到獲得不同基極電流情況下所有的集電極I-V曲線,。  

儀器的同步  

由于希望兩臺儀器都被編程(避免GPIB延遲),,我們希望測試設(shè)置中的所有儀器同步。開始,,這并不成為問題,。例如,如果幾臺SMU擁有同樣的固件,,且采用相同的測試參數(shù)對其編程,,每一步的執(zhí)行時間將相同。而困難來自存儲器位置調(diào)用和自動距離修正(auto-ranging)步驟,,這些步驟花費的時間不確定。  

在類似這種情況下需要使用一個外部的,、專門的觸發(fā)控制器,,以保證多個儀器的測量同時發(fā)生。在測試系統(tǒng)采用了不同廠家的設(shè)備,,或者即使來自同樣廠家但觸發(fā)方法不同時,,這特別有用,。  

過程如下所述(采用的實例參照了Keithley儀器,但類似的辦法可用于其它廠家的儀器):  

1.觸發(fā)控制器輸出一個觸發(fā)信號到每臺儀器,。  

2.從存儲器調(diào)用源存儲器位置,。  

3.使能所有儀器的源輸出。  

4.每臺儀器按照用戶定義的延時執(zhí)行,。  

5.一旦完成延時操作每臺儀器給控制器輸出一個觸發(fā)信號,。  

6。觸發(fā)控制器等待每臺儀器輸出的觸發(fā)信號(延時輸出),。  

7.觸發(fā)控制器給每臺儀器發(fā)送一個觸發(fā)信號(測量輸入),。  

8.每臺儀器開始測量操作。  

9.完成測量后,,每臺儀器給控制器發(fā)出一個觸發(fā)信號,。  

10.觸發(fā)控制器等待每臺儀器輸出的觸發(fā)信號(測量輸出)。  

11.回到步驟1開始下一測試,。  



圖3:a:集電極-發(fā)射極擊穿電壓,,基極開路;b:集電極-發(fā)射極擊穿電壓,,基極短路,;c:集電極關(guān)斷電流,ICBO,,及集電極-基極擊穿電壓,,發(fā)射極開路。

特定的三極管測試  

HBT通常有兩個重要的擊穿電壓需要測量:第一個是集電極-發(fā)射極擊穿電壓,,可在基極開路或短路時測,,圖3a顯示基極開路(BVCEO或V (BR)CEO)下測量集電極-發(fā)射極擊穿電壓的設(shè)置,圖3b顯示基極短路(BVCES或V(BR)CES)情況下測量集電極-發(fā)射極擊穿電壓的設(shè)置,。另一個擊穿電壓是集電極-基極擊穿電壓(BVCBO或V(BR)CBO),,通常射極開路測量,圖3c顯示了該測試設(shè)置,。在這些測量中,,源-測量單元掃描HBT上的電壓同時測量電流。在達到擊穿電壓之前,,電流將保持非常恒定,,達到擊穿電壓后,電流將突然增加,。  

通常RF功率三極管要測的其他參數(shù)有集電極-發(fā)射極持續(xù)電壓,,BVCEO(sus)或VCE(sus),在基極-發(fā)射極之間的結(jié)上采用反向偏置時集電極-發(fā)射極的擊穿電壓(BVCEV或BVCEX),以及集電極開路時的發(fā)射極-基極擊穿電壓(BVEBO),。  

結(jié)漏電流  

描述器件關(guān)斷時的漏電流也非常重要,,因為在器件不工作時,,漏電流將浪費功率,會縮短電池供電設(shè)備的工作時間,。最常測量的漏電流參數(shù)是集電極關(guān)斷電流(ICBO),,在集電極和基極之間測量,發(fā)射極開路(圖3c),?;鶚O反向偏置漏電流,也稱為發(fā)射極關(guān)斷電流或發(fā)射極-基極關(guān)斷電流(IEBO),,是另一個最重要的漏電流,,它是器件關(guān)斷時基極的漏電流。

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),,未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載,。