《電子技術(shù)應(yīng)用》
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電容觸摸感應(yīng)MCU的工作原理與基本特性
摘要: 來(lái)自美國(guó)的高效能模擬與混合信號(hào)IC創(chuàng)新廠商SiliconLaboratories(簡(jiǎn)稱(chēng):SiliconLabs)公司特別推出了C8051F7XX和C8051F8XX系列的MCU(單片機(jī)),,專(zhuān)門(mén)針對(duì)電容觸摸感應(yīng)而設(shè)計(jì),,在抗噪性能和運(yùn)算速度上表現(xiàn)的非常突出。
Abstract:
Key words :

現(xiàn)在的電子產(chǎn)品中,,觸摸感應(yīng)技術(shù)日益受到更多關(guān)注和應(yīng)用,,并不斷有新的技術(shù)和IC面世,。與此同時(shí),高靈敏度的電容觸摸技術(shù)也在快速地發(fā)展起來(lái),,其主要應(yīng)用在電容觸摸屏和電容觸摸按鍵,,但由于電容會(huì)受溫度、濕度或接地情況的不同而變化,,故穩(wěn)定性較差,,因而要求IC的抗噪性能要好,這樣才能保證穩(wěn)定正確的觸摸感應(yīng),。

針對(duì)市場(chǎng)的需求,,來(lái)自美國(guó)的高效能模擬與混合信號(hào)IC創(chuàng)新廠商Silicon Laboratories(簡(jiǎn)稱(chēng):Silicon Labs)公司特別推出了C8051F7XX和 C8051F8XX系列的MCU(單片機(jī)),專(zhuān)門(mén)針對(duì)電容觸摸感應(yīng)而設(shè)計(jì),,在抗噪性能和運(yùn)算速度上表現(xiàn)的非常突出,。

一、Silicon Labs公司的電容觸摸系列MCU

目前Silicon Labs公司推出的C8051F7xx和C8051F8xx等電容觸摸系列MCU,,以高信噪比高速度的特點(diǎn)在業(yè)界表現(xiàn)尤為出色,。同時(shí),靈活的I/O配置,,給設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的方便,。另外,由于該系列MCU內(nèi)部集成了特殊的電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器(CDC),,所以能夠進(jìn)行高精度的電容數(shù)字轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)電容觸摸功能,。

CDC的具體工作原理:

如圖1所示,IREF是一個(gè)內(nèi)部參考電流源,,CREF是內(nèi)部集成的充電電容,,ISENSOR屬于內(nèi)部集成的受控電流源,CSENSOR為外部電容傳感器的充電電容,,由于人體的觸摸引起CSENSOR的變化,,通過(guò)內(nèi)部調(diào)整過(guò)的ISENSOR對(duì)CSENSOR進(jìn)行瞬間的充電,在CSENSOR上產(chǎn)生一個(gè)電壓VSENSOR,,然后相對(duì)內(nèi)部參考電壓經(jīng)過(guò)一個(gè)共模差分放大器進(jìn)行放大,;同理IC內(nèi)部的IREF對(duì)CREF充電后也產(chǎn)生一個(gè)參考電壓并相對(duì)同樣的VREF經(jīng)過(guò)差分放大,最后將2個(gè)放大后的信號(hào)通過(guò)SAR(逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器)式的ADC采樣算出ISENSOR的值,。

圖1

Silicon Labs SAR式的ADC采樣可選擇12-16位的分辨率,,如圖2所示,,采用16位的分辨率進(jìn)行逐位比較采樣:首先從確定最高位第16位(IREF=0x8000)開(kāi)始,最高位的值取決于電容的充電速率,,也就相當(dāng)于電流的大小,,取電流IREF/2,比較VSENSOR和VREF:

VSENSOR > VREF 則 最高位 = 0 ,;

VSENSOR < VREF 則 最高位 = 1 ,;

 隨后,SAR控制邏輯移至下一位,,并將該位設(shè)置為高電平,進(jìn)行下一次比較:

如果第16位是1,,則取下一個(gè)IREF=0xC000 ,;

如果第16位是0,則取下一個(gè)IREF=0x4000.

這個(gè)過(guò)程一直持續(xù)到最低有效位(LSB),。上述操作結(jié)束后,,也就完成了轉(zhuǎn)換,將算出的16位轉(zhuǎn)換結(jié)果儲(chǔ)存在寄存器內(nèi),。

圖2

利用此電容采集轉(zhuǎn)換功能,,可用在電容觸摸屏或者觸摸按鍵上。比如,,電容式觸摸屏的應(yīng)用(圖3所示),。一般自容式電容觸摸屏主要包括一層表面玻璃層,中間兩層行列交叉的ITO層(行列層之間間沒(méi)有短接),,以及GND底層,。每一行和列分別與MCU的采集輸入通道直接相連,當(dāng)手指觸摸到電容屏的表面玻璃層時(shí),,會(huì)引起某一行或列的ITO 塊的對(duì)地電容(如圖4)值變大,,從而通過(guò)電容采樣以及特定的算法確定電容值發(fā)生一定變化的點(diǎn)(觸摸點(diǎn))的位置(X,Y),最后將觸摸點(diǎn)的位置上傳給主處理器實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)操作功能。

圖3

圖4

目前Silicon Labs 的C8051F7XX觸摸屏功能主要是單點(diǎn)觸摸,,但通過(guò)軟件算法可以實(shí)現(xiàn)兩點(diǎn)的手勢(shì)識(shí)別,,比如縮放、旋轉(zhuǎn)等,,同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)對(duì)水滴識(shí)別以及濕的手指觸摸正常劃線功能,。

而觸摸按鍵的電容采樣原理一樣,只是每個(gè)采集輸入通道連接一個(gè)觸摸按鍵,,MCU可以直接確定某個(gè)按鍵被觸摸然后進(jìn)行相應(yīng)功能的實(shí)現(xiàn),,算法處理相對(duì)簡(jiǎn)單。

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