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IDT 推出全球精度最高的全硅 CMOS 振蕩器

新的解決方案實(shí)現(xiàn)了 100ppm 及以下的頻率精度
2010-11-08
作者:IDT
關(guān)鍵詞: 振蕩器 CMOS 低功耗

  致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn),、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)宣布,,推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器,在整個溫度,、電壓和其他因數(shù)方面實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。
 
  IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術(shù),,可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器,,并采用非常薄的外形,而無需使用任何機(jī)械頻率源或鎖相環(huán)(PLL),。該產(chǎn)品專門用于下一代存儲,、數(shù)據(jù)通信和連接接口,如千兆以太網(wǎng)、SAS,、超高速 USB(USB 3.0)和 PCI Express,。該產(chǎn)品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案,,因此非常適合服務(wù)器和企業(yè)設(shè)計(jì),,以及采用以太網(wǎng)端口的數(shù)據(jù)通信設(shè)備。
 
  IDT 通信事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Fred Zust 表示:“憑借其 100ppm 的總頻率誤差,,IDT3C02不愧為計(jì)時行業(yè)的一個重大突破,。作為一個晶振替代品的理想選擇,它擴(kuò)展了今年早些時候發(fā)布的晶圓形式全硅 CMOS 振蕩器,,擴(kuò)展了 IDT 在計(jì)時領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,。”
 
  IDT3C02 振蕩器可產(chǎn)生高精度的片上頻率,而無需依賴壓電或機(jī)械諧振器,。該器件支持標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)成可用的 CMOS 工藝,,采用了可編程架構(gòu),支持各種配置選項(xiàng),,以適應(yīng)廣泛的應(yīng)用范圍,。也許這些選項(xiàng)中最為關(guān)鍵的是工廠可編程的工作頻率,與傳統(tǒng)的石英解決方案相比,,有助于縮短交貨時間,,包括特殊或罕見的頻率。
 
  此外,,IDT3C02 振蕩器采用一個獨(dú)特的模擬核設(shè)計(jì),,其功耗低于 2.5mA(空載典型值),從而為基于石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案,,同時在 1MHz 載波偏移條件下實(shí)現(xiàn)了一流的 -140dBc/Hz 的相位噪聲,。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝,即低成本,、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝,,無需陶瓷密封的封裝。
 
  IDT3C02 還具有 200nA(典型值)的低功耗待機(jī)模式,,以及 100μs(典型值)的快速啟動時間,。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設(shè)計(jì),允許頻繁的開關(guān)電源以進(jìn)一步節(jié)省功耗,。由于該器件不包含任何運(yùn)動元件,,且不使用機(jī)械或壓電電子諧振來產(chǎn)生電子頻率,全硅的單片方案實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的耐沖擊和振動能力,。
 
供貨情況
  IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品,,采用的是 5×3.2mm 封裝,。欲了解更多信息,請?jiān)L問 www.idt.com/go/CMOS-Oscillators,。
 

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