根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén) DRAM" title="DRAM">DRAMeXchange 調(diào)查， DDR3" title="DDR3">DDR3 2GB合約價(jià)格自2010年自上半年的高點(diǎn)46.5美元后一路走跌，九月上旬跌破40美元,，十月下旬再度跌破30美元。十一月上旬均價(jià)約25美元,，與今年高點(diǎn)相比跌幅達(dá)46%。

　　雖然筆記本電腦九月出貨優(yōu)于預(yù)期,，由于傳統(tǒng)旺季需求仍不暢旺,，季成長(zhǎng)僅2.6%,。DRAM產(chǎn)出方面,，除了三星由于制程優(yōu)于其它同業(yè)，加上浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)移入時(shí)間早,，產(chǎn)出量的增加在第三季達(dá)到頂峰,，也讓三星在第三季營(yíng)收有著亮眼的表現(xiàn)。

　　反觀其它DRAM業(yè)者,，浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)移入時(shí)間點(diǎn)大都集中在今年下半年,，產(chǎn)出量亦在第四季大增，供給大于需求加上 DRAM廠商有銷(xiāo)貨上的壓力,，以較低的價(jià)格爭(zhēng)取訂單,，是造成十月下旬合約價(jià)加速趕底的主要原因。集邦科技預(yù)估,，今年年底DDR3合約價(jià)格可能下看20美元,，下跌幅將超過(guò)30% (QoQ),。

　　由于預(yù)見(jiàn)DRAM價(jià)格大幅下跌，DRAM廠紛紛對(duì)未來(lái)資本支出轉(zhuǎn)趨保守,，如三星Fab16的建設(shè),，將視未來(lái)市場(chǎng)狀況做調(diào)整，臺(tái)系廠如力晶亦下修資本支出約20%至160億臺(tái)幣,，日臺(tái)合資的瑞晶R2廠擴(kuò)廠計(jì)劃也延后討論,。

　　另外爾必達(dá)更在11月4日F2Q法說(shuō)上，宣稱(chēng)將把減產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM月產(chǎn)能至6萬(wàn)片,，減產(chǎn)方向可能降低委外代工部分,，或降低日本廣島廠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的投片量。11月8日,，力晶跟進(jìn)宣布減產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 10%~15%,，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)至代工產(chǎn)品。同時(shí)市場(chǎng)也傳出海力士因44nm良率不佳,，影響第三季及第四季的產(chǎn)出,。

　　展望2011年，集邦科技預(yù)估 2011年 DRAM 產(chǎn)出全年成長(zhǎng)率在廠商加速制程轉(zhuǎn)進(jìn)下,，仍可達(dá)50%,。各家的制程轉(zhuǎn)進(jìn)狀況，三星35nm制程預(yù)計(jì)明年下半年將超過(guò)50%,，其余國(guó)際廠也加速3Xnm進(jìn)程,，海力士、美光及爾必達(dá)均預(yù)計(jì)明年第二季末量產(chǎn)3Xnm技術(shù),；臺(tái)系廠明年則以加速轉(zhuǎn)進(jìn)4xnm 為目標(biāo),。各家競(jìng)相轉(zhuǎn)進(jìn)制程，期望將生產(chǎn)成本再降低,，以因應(yīng)DRAM快速下跌的速度,。

　　DRAMeXchange 預(yù)估，DRAM價(jià)格可望在明年第一季或第二季落底,。2011年P(guān)C 銷(xiāo)售成長(zhǎng)預(yù)計(jì)達(dá)11.8%,，加上Tablet PC 刺激Mobile RAM需求成長(zhǎng)80%以上，然而在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格大跌隱憂下,，DRAM廠明年上半年資本支出可能將保守以對(duì),，預(yù)期明年第一季，低價(jià)DRAM可望刺激計(jì)算機(jī)廠商增加DRAM 搭載率,。

　　DRAMeXchange預(yù)估2011年DT以及NB單機(jī)搭載率分別成長(zhǎng)至4.22GB/4.00GB,，年增率36%以及31%，市場(chǎng)期望DRAM搭載的成長(zhǎng)，能讓市場(chǎng)由超額供給回復(fù)至供需平衡,，下半年市場(chǎng)價(jià)格走穩(wěn),。