目前,，士蘭微電子的交貨期基本控制在1個月以內，芯片生產(chǎn)和封測產(chǎn)能壓力空前,。士蘭微一方面提高生產(chǎn)管理能力,，將現(xiàn)有設備的產(chǎn)能利用到極致，不斷降低每道工序的加工周期,；另一方面加強和客戶的溝通,，按照客戶的需求安排投料。此外,，士蘭微有計劃從2010年起在未來的2～3年內安排投資13,500萬元,，組建多芯片高壓功率模塊制造生產(chǎn)線。湯學民透露,，士蘭微功率器件的月產(chǎn)能已經(jīng)從2010年初的4萬片(6英寸)提升到2010年底的6萬片,，這個數(shù)字將在2011年改寫為8萬片以上。

新興和傳統(tǒng)市場雙驅動

傳統(tǒng)功率器件市場持續(xù)復蘇,，再加上新興市場不斷冒頭,，導致功率器件仍舊奇貨可居。2011年功率器件供應商普遍雙管齊下,，傳統(tǒng)和新興市場兩手抓,，焦點集中在變頻電機、馬達和新能源領域,，可以預見2011年功率器件市場依舊硝煙彌漫,。

胡鳳平指出，英飛凌的市場重點側重在高能效領域,，如風能,、太陽能、電動汽車等新能源市場,，馬達驅動,、變頻家電及逆變焊機等。三菱電機同樣看好風力發(fā)電,、太陽能發(fā)電,、電動汽車等新能源領域，以及傳統(tǒng)馬達驅動,、電源,、空調市場。

在國際企業(yè)圍繞新興市場過招時,，本土企業(yè)則選擇從中小功率器件入手。士蘭微電子的目標市場鎖定為AC-DC電源,、小功率變頻電機,、HID燈,、節(jié)能燈、LED燈的驅動系統(tǒng)以及太陽能光伏系統(tǒng),。模擬器件講究工藝和設計的匹配,，還需根據(jù)不同的客戶應用精雕細琢。

湯學民認為,，除了最基本的導通壓降,、電流耐量、反向耐壓等參數(shù)指標外,，各應用系統(tǒng)對功率器件都會有不同的要求,，主要反映在一些動態(tài)參數(shù)上，因此優(yōu)化動態(tài)參數(shù)是士蘭功率器件芯片技術研發(fā)的重點之一,。“針對特定的應用環(huán)境,，或調整器件的參數(shù)、或配合客戶優(yōu)化外圍線路也是我們重要的技術工作方面,。”他說,。

SiC器件集中登陸市場

2011年功率器件市場除了傳統(tǒng)MOSFET和IGBT挑大梁唱主角之外，一些新面孔也將由龍?zhí)咨駷榕浣?。碳化硅SiC早在10年以前就出現(xiàn)在半導體市場,，隨著工藝的成熟化和價格的平民化，諸多SiC功率器件將集結在2011年登陸功率市場,。

三菱電機已成功采用SiC制成新器件,，通過使用SiC制造的MOSFET和肖特基二極管，研發(fā)出一個達400V的11kW變頻器原件,，它比硅制造的變頻器,，減少能源損耗達七成，輸出功率為 10 W/cm3,。因此,，SiC器件損耗更低，并能在更高溫下運作,，令器件變得更細小,，用電量更低。至于SiC器件的上市時間,，三菱電機并未透露,。

另一家日本公司也暗暗發(fā)力SiC器件。RoHM在2008年收購生產(chǎn)SiC材料的SiCrystal公司之后,，已掌握晶圓制造,、前期工序、后期工序以及功率模塊的一條龍體系,。2010年4月RoHM已開始量產(chǎn)SiC制肖特基勢壘二極管(SBD),。同年12月開始量產(chǎn)供貨SiC的DMOSFET定制產(chǎn)品,，預計將于2011年夏季供貨通用產(chǎn)品。

德國研究項目“NEULAND”的6家成員企業(yè)宣布,，通過使用新半導體材料,，能將可再生能源、通信及照明各系統(tǒng)的能源損失減半,。作為NEULAND成員之一,，英飛凌明確地表示，2011年將推出SiC J-FET,。