單結晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個PN結和兩個電阻接觸電極的半導體器件,，它的基片為條狀的高阻N型硅片,，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側用合金法制作一個P區(qū)作為發(fā)射極e,。其結構,、符號和等效電呼如圖1所示,。

一、單結晶體管的特性 從圖1可以看出,，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻：rbb=rb1 rb2式中：rb1----第一基極與發(fā)射結之間的電阻,，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化，rb2為第二基極與發(fā)射結之間的電阻,，其數(shù)值與ie無關,；發(fā)射結是PN結，與二極管等效,。若在兩面三刀基極b2,、b1間加上正電壓Vbb，則A點電壓為：VA=[rb1/(rb1 rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb式中：η----稱為分壓比,，其值一般在0.3---0.85之間,，如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加，就可測得單結晶體管的伏安特性,，見圖2

圖2,、單結晶體管的伏安特性 （1）當Ve＜η Vbb時，發(fā)射結處于反向偏置,，管子截止,，發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。（2）當Ve≥η Vbb VD VD為二極管正向壓降（約為0.7伏）,，PN結正向導通,，Ie顯著增加，rb1阻值迅速減小,，Ve相應下降,，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負阻特性,。管子由截止區(qū)進入負阻區(qū)的臨界P稱為峰點,，與其對就的發(fā)射極電壓和電流，分別稱為峰點電壓Vp和峰點電流Ip和峰點電流Ip,。Ip是正向漏電流,，它是使單結晶體管導通所需的最小電流，顯然Vp=ηVbb（3）隨著發(fā)射極電流ie不斷上升,，Ve不斷下降,，降到V點后，Ve不在降了,，這點V稱為谷點,，與其對應的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點電壓,，Vv和谷點電流Iv,。（4）過了V點后,，發(fā)射極與第一基極間半導體內的載流子達到了飽和狀態(tài)，所以uc繼續(xù)增加時,，ie便緩慢地上升,，顯然Vv是維持單結晶體管導通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve＜Vv,，管子重新截止,。二、單結晶體管的主要參數(shù) （1）基極間電阻Rbb 發(fā)射極開路時,，基極b1、b2之間的電阻,，一般為2--10千歐,，其數(shù)值隨溫度上升而增大。（2）分壓比η 由管子內部結構決定的常數(shù),，一般為0.3--0.85,。（3）eb1間反向電壓Vcb1 b2開路，在額定反向電壓Vcb2下,，基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓,。（4）反向電流Ieo b1開路，在額定反向電壓Vcb2下,，eb2間的反向電流,。（5）發(fā)射極飽和壓降Veo 在最大發(fā)射極額定電流時，eb1間的壓降,。（6）峰點電流Ip 單結晶體管剛開始導通時,，發(fā)射極電壓為峰點電壓時的發(fā)射極電流