,、
門(mén)電路構(gòu)成的晶體并聯(lián)諧振振蕩器 石英晶體在外加電壓的作用下,,它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)壓電效應(yīng),石英晶體產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),,當(dāng)外加電壓的頻率與晶體固有振蕩頻率相同時(shí),,晶體的機(jī)械振幅最大,,產(chǎn)生的交變電場(chǎng)也就最大,形成壓電諧振,。 從石英晶體的電抗頻率特性可知,,它有兩個(gè)相當(dāng)接近的諧振額率,一個(gè)串聯(lián)諧振頻率,,一個(gè)并聯(lián)諧振頻率,,當(dāng)石英晶體處于串聯(lián)諧振時(shí)電抗最小,當(dāng)處于并聯(lián)諧振時(shí)電抗最大,,當(dāng)處于這兩個(gè)頻率范圍之間時(shí),,石英晶體呈電感性,當(dāng)游離這兩個(gè)頻率之外時(shí),,石英晶體呈容性,。 圖A是工作于串聯(lián)諧振狀態(tài)的TTL門(mén)電路振蕩器(摘Protel99SE附帶例),當(dāng)電路頻率為串聯(lián)諧振頻率時(shí),,晶體的等效電抗接近零(發(fā)生串聯(lián)諧振),,串聯(lián)諧振頻率信號(hào)最容易通過(guò)N1,、N2閉環(huán)回路,這個(gè)頻率信號(hào)通過(guò)兩級(jí)反相后形成反饋振蕩,,晶體同時(shí)也擔(dān)任著選頻作用,。也就是說(shuō)在工作于串聯(lián)諧振狀態(tài)的振蕩電路,它的頻率取決于晶體本身具有的頻率參數(shù),。 圖B是工作于并聯(lián)諧振狀態(tài)的CMOS門(mén)電路振蕩器,,晶體等效一個(gè)電感(晶體工作于串聯(lián)諧振頻率與并聯(lián)諧振頻率之間時(shí),晶體呈電感性)與外接的電容構(gòu)成三點(diǎn)式LC振蕩器,,通過(guò)外接的電容可對(duì)頻率進(jìn)行微調(diào),。 電阻R接在反相器N3的輸入與輸出端,其目的是將N3偏置在線性放大區(qū),,構(gòu)成放大器,。 從晶體X的兩端看C1、C2(圖B),,它們是通過(guò)GND串聯(lián)成一個(gè)電容(這個(gè)串聯(lián)電容(Cx)可以由公式《Cx=C1C2/C1 C2》求出),,X與串聯(lián)電容構(gòu)成一個(gè)并聯(lián)共振電路(為了方便,我這里只簡(jiǎn)單的將晶體等效為電感性),,從電容一分為二的電路形態(tài)上看,,晶體和電容C1、C2也是構(gòu)成一個(gè)π型選頻網(wǎng)絡(luò)反饋通道(也稱(chēng)π型諧振電路,,見(jiàn)圖B2,、3)。 N3放大器的輸出端信號(hào)通過(guò)X,、C1,、C2構(gòu)成的π型諧振電路返回N3放大器的輸入端,形成反饋振蕩,,由此可見(jiàn)它的振蕩頻率是由π型諧振電路所決定的(當(dāng)然,,主要還是晶體所決定)。 也是由于N3的輸出端連接著X,、C1,、C2π型諧振電路,而且輸出信號(hào)近似于正弦波,,為防止負(fù)載電路對(duì)振蕩電路的干擾和提高帶載能力,,N3輸出信號(hào)需再通過(guò)N4的緩沖、放大整形接到負(fù)載,。 在晶體X與串聯(lián)電容Cx構(gòu)成的并聯(lián)共振電路里,,Cx的損耗電阻大時(shí),電路的Q值必然下降,同時(shí)會(huì)使晶體的特性惡化,,引起Cx這個(gè)損耗電阻增大的因素是來(lái)自多方面的,,但電阻R起到較大的作用,通常在提供足夠激勵(lì)的情況下,,盡可能增大R的電阻值或在N3輸出端與選頻網(wǎng)絡(luò)間(即BC間)串入一個(gè)電阻,,從C2看阻抗也加大,一般電阻R的取值為1M~30M,。 另,,在C1、C2之間的連接也要引起注意,,連接線粗而短,,不單可以減少產(chǎn)生損耗,而且還能防止混入干擾源而干擾了振蕩器的正常工作,。 晶體外殼所標(biāo)注的頻率,既不是串聯(lián)諧振頻率也不是并聯(lián)諧振頻率,,而是在外接負(fù)載電容時(shí)測(cè)定的頻率,,數(shù)值界乎于串聯(lián)諧振頻率與并聯(lián)諧振頻率之間。 這也就是說(shuō),,我們?cè)趹?yīng)用晶體時(shí),,負(fù)載電容(Cx)的值是直接由廠家所提供的,我們無(wú)需再去計(jì)算,。 在要求不高的實(shí)際應(yīng)用中,,我們?yōu)榱嗽O(shè)計(jì)方便,一般可以將負(fù)載電容Cx分拆為1:1,,即C1=C2(公式見(jiàn)上),,在要求較高的情況下,這樣的方便顯然是不合理的,,首先,,C1應(yīng)減去門(mén)電路的輸入平均電容和各項(xiàng)因素產(chǎn)生的離散電容(估算),同理,,C2也應(yīng)減去各項(xiàng)因素產(chǎn)生的離散電容(估算),,然而,由于元件的離散性和估算存在著偏差,,頻率依然不是很準(zhǔn)確,,我們可適當(dāng)減小C1或C2的值再并個(gè)微調(diào)電容加以調(diào)整。 要得到較精確的頻率,,電容除了需選用損耗小,、特性好的產(chǎn)品外,PCB布板和各元件的溫度系數(shù)也很重要。 以上是我的理解和一點(diǎn)小心得,,如有不對(duì),,請(qǐng)大家斧正。 ImgLoad(document.getElementById("BodyLabel"));
振蕩器相關(guān)文章
更多 >>- 強(qiáng)力推薦,!最新JSSC2023論文:30GHz毫米波正交振蕩器——低flick
- SeeFiberLaser專(zhuān)業(yè)版軟件及案例:考慮橫向模式的雙向泵浦振蕩器
- 瑞薩電子面向高性能通信和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用擴(kuò)展ProXO振蕩器產(chǎn)品陣容
- 益昂半導(dǎo)體宣布推出Arcadium?系列高性能全硅可編程振蕩器
- 微波頻率合成器提供多倍頻程覆蓋范圍和出色的相位噪聲性能
- 晶振,、晶體傻傻分不清,帶你區(qū)分晶振、晶體
- 什么是延時(shí)電路, 6種延時(shí)電路工作原理精講
- OLED顯示模塊基于單片機(jī)的電路設(shè)計(jì)及編程方法