如圖所示,,電路以555為核心,,與光敏電阻RG和RP1等組成。RG隨光照的強(qiáng)弱呈現(xiàn)不同的阻值,,利用555內(nèi)部的兩個比較器的復(fù)位和置位特性,,便可組成施密特觸發(fā)器。當(dāng)光強(qiáng)時,,RG呈低阻,,2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發(fā)電平),555置位,,K不動作,;當(dāng)光弱時,RG呈高阻,,6腳電平高于2/3 VDD閾值電平,,555復(fù)位,K吸合,。
如圖所示,,電路以555為核心,,與光敏電阻RG和RP1等組成。RG隨光照的強(qiáng)弱呈現(xiàn)不同的阻值,,利用555內(nèi)部的兩個比較器的復(fù)位和置位特性,,便可組成施密特觸發(fā)器。當(dāng)光強(qiáng)時,,RG呈低阻,,2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發(fā)電平),555置位,,K不動作,;當(dāng)光弱時,RG呈高阻,,6腳電平高于2/3 VDD閾值電平,,555復(fù)位,K吸合,。
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