壓控振蕩電路如圖所示,。555,、R1、R2、C1～C3及VT1組成一個(gè)壓控多諧振蕩器,，場(chǎng)效 應(yīng)管(JFET)VT,，作為壓控電阻,，通過(guò)改變其門(mén)一源電壓VGs可改變VT-的漏(D),、源(S)間的阻抗。接在VT,。的D,、S的耦合電容C1、C2,，用于防止其余電路的直流電壓對(duì)JFET的影響,。為不使耦合電容影響時(shí)基電路的充、放電時(shí)間,，C1,、C2的大小宜選為定時(shí)電容C3容值的10倍。該電路的優(yōu)點(diǎn)在于：通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管門(mén)一源問(wèn)電壓VGs的變化,，使VT1形成一個(gè)可調(diào)范圍很大的可變電阻Rx(可大至幾百kΩ),，從而獲得極大的占空比和周期的變化。