微波射頻相關文章 美高森美延續(xù)在FPGA安全啟動領域的領導地位 新增Cryptography Research的差分功率分析專利許可 致力于提供功耗、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣布已從Rambus公司屬下Cryptography Research獲得其現(xiàn)有差分功率分析(Differential Power Analysis, DPA)專利許可的延期，這項專利許可延期可讓美高森美繼續(xù)使用Cryptography Research專利的突破性DPA對策產品組合，提供業(yè)界領先的第三方處理器和FPGA安全啟動解決方案。 發(fā)表于：8/26/2014 4µA IQ 熱插拔控制器保護電池 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出超低靜態(tài)電流(IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231，該器件允許電路板或電池安全地從2.7V 至36V 系統(tǒng)中插入和拔出。LTC4231 控制一個外部N 溝道MOSFET，以平緩地給電路板電容器加電，從而避免瞬態(tài)放電、連接器損壞和系統(tǒng)干擾。 發(fā)表于：8/26/2014 Littelfuse公司宣布其瞬態(tài)抑制二極管陣列系列將ESD保護與共模EMI濾波相結合，以節(jié)省成本和空間 Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業(yè)，日前宣布推出了SP5001、SP5002和SP5003系列瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA®二極管）。這些高度集成的共模濾波器（CMF）可為使用高速差分串行接口的系統(tǒng)同時提供靜電放電（ESD）保護和共模濾波功能。它們可以保護和過濾兩個（SP5001和SP5003）或者三個（SP5002）差分線對。 發(fā)表于：8/26/2014 Molex 新一代帶 LED 的 RJ45 PoE+ 千兆位磁性插口登陸 Mouser 貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應 Molex 推出的帶 LED 的增強型以太網(wǎng)供電 (PoE+) 千兆位磁性插口。該系列以太網(wǎng)插口能夠通過以太網(wǎng)供電為連接器件提供高達 30W 的功率。 發(fā)表于：8/19/2014 基于WSN的寬量程射頻功率檢測系統(tǒng)設計 介紹了一種基于無線傳感器網(wǎng)絡（WSN）的多點寬量程射頻功率檢測系統(tǒng)。傳感器節(jié)點由微控制器CC2430作為主控芯片，由真有效值功率檢波芯片AD8362及數(shù)字衰減器HMC274作為功率檢測探頭，以實現(xiàn)寬量程功率采集。通過ZigBee無線技術和GPRS通信技術實現(xiàn)對各節(jié)點射頻功率的定時測量、存儲和顯示。經(jīng)過對2.4 GHz射頻信號的實驗測試,結果表明傳感器節(jié)點測量范圍達到-50 dB~ +40 dB，誤差在0.5%以內，系統(tǒng)工作穩(wěn)定，通信效果理想。 發(fā)表于：8/15/2014 e絡盟為亞太區(qū)新增英飛凌革命性的COOLMOS?系列功率MOSFET e絡盟為亞太區(qū)新增英飛凌革命性的COOLMOS?系列功率MOSFET，英飛凌CoolMOS?系列功率MOSFET是計算機、服務器、電信及UPS等工業(yè)應用的理想選擇。 發(fā)表于：8/7/2014 Vishay推出用于導電膠合的采用金端接的新款精密薄膜片式電阻 Vishay推出用于導電膠合的采用金端接的新款精密薄膜片式電阻，器件的外形尺寸為0402和0603，公差為±0.1%。 發(fā)表于：8/7/2014 S類功放的頻率可調帶通ΔΣ調制器研究與實現(xiàn) S類射頻功率放大器同時具有高效率和高線性特性，適合在全數(shù)字發(fā)信機中應用。但需要將任意輸入的射頻信號轉換為兩電平脈沖調制信號，帶通增量求和（ΔΣ）調制才可以很好地實現(xiàn)上述功能。為實現(xiàn)S類功放的寬頻帶工作，帶通ΔΣ調制器的中心頻率必須實現(xiàn)與輸入信號頻率的實時跟隨。通過對ΔΣ調制算法的研究， 提出了一種頻率可調帶通ΔΣ調制器的設計方法，并利用Matlab軟件和FPGA對設計的調制器分別進行了仿真和實驗驗證。驗證結果證明了該設計方法的可行性和有效性。 發(fā)表于：8/7/2014 聚合電子制造產業(yè)鏈 2014 NEPCON華南電子展火爆招展中 華南地區(qū)最大、歷史最悠久的行業(yè)盛會之一的NEPCON South China 2014將在8月26日-28日閃耀深圳會展中心，今年也是NEPCON華南電子展20周年。 發(fā)表于：8/6/2014 Vishay推出基于氮化鋁基板的新款小尺寸表面貼裝精密薄膜片式電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列高功率表面貼裝的精密薄膜片式電阻---PCAN系列器件。該系列器件采用氮化鋁基板，功率等級為2W～6W，分別采用1206和2512小外形尺寸。 發(fā)表于：8/1/2014 IDT 發(fā)布 1.5 伏特 PCI Express® 時鐘緩沖器U系列，供給電壓與SoC和FPGA相同 IDT 發(fā)布 1.5 伏特 PCI Express® 時鐘緩沖器系列，使用同樣的 1.5 伏特電壓軌，降低系統(tǒng)復雜性、尺寸和功耗 發(fā)表于：7/29/2014 Vishay新薄膜片式電阻陣列在惡劣環(huán)境下亦具有極高可靠性 Vishay推出在惡劣環(huán)境下亦具有極高可靠性的新系列薄膜片式電阻陣列。器件采用金端接，具有±0.05%的相對公差和±5ppm/K的相對TCR，可用于導電膠合。 發(fā)表于：7/25/2014 IDT DDR4 寄存器發(fā)貨量達到百萬單位標記線 IDT日前宣布，其DDR4 寄存器發(fā)貨量已超過1 百萬件，這是由于即將發(fā)布的Intel® Xeon? 處理器E5-2600 v3 平臺對下一代DRAM 模塊的需求增長而引致的必然結果。IDT 的DDR4 寄存器是芯片組的一部分，芯片組還包括數(shù)據(jù)緩沖器和帶串行存在檢測(SPD) 功能的熱敏元件。 同時，它們全體支持驅動下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心服務器所需的全系列無緩沖雙內聯(lián)內存模塊(UDIMM)、寄存DIMM (RDIMM) 和負載降低DIMM (LRDIMM)。 發(fā)表于：7/24/2014 基于測向天線的ADS-B信息校驗技術研究 針對ADS-B技術存在的抗干擾能力低、容易受到干擾和欺騙的問題，在分析傳統(tǒng)的ADS-B信息校驗技術的基礎上，提出了一種利用無線電測向技術實現(xiàn)ADS-B信息校驗的新方法。該方法可以實現(xiàn)ADS-B虛假目標的有效識別。 發(fā)表于：7/3/2014 意法半導體(ST)的二極管專利技術可大幅縮減充電器尺寸，并可加快充電速度 意法半導體的新系列場效應整流二極管(FERD)完美解決了低正向壓降(VF)與低漏電流(IR)之間不可兼得的矛盾關系，讓充電器和筆記本適配器等設備的設計人員在無需使用成本更高的同步整流管的前提下滿足要求最嚴格的能效標準。 發(fā)表于：7/1/2014 ?…77787980818283848586…?
