（1）金屬氧化物技術（Metal oxide TFT)
這種生產(chǎn)技術目前被很多廠家及專業(yè)調(diào)查公司看好,，并認為是將來大尺寸AMOLED技術路線的首選，各個公司也有相應的大尺寸樣品展出,。
該技術TFT基板在加工過程中，可采取液晶行業(yè)中常見的,、成熟的大面積的濺鍍成膜的方式,，氧化物為InGaO3(ZNO)5，盡管這種器件的電子遷移率較LTPS技術生產(chǎn)出來的產(chǎn)品要低,，基本為10 cm2/V-sec,，但這個遷移率參數(shù)為非晶硅技術器件的10倍以上，該器件電子遷移率完全能夠滿足AMOLED的電流驅(qū)動要求,，因此可以應用于OLED的驅(qū)動,。
目前金屬氧化物技術還處于實驗室驗證階段，世界上沒有真正進行過量產(chǎn)的經(jīng)驗,，主要的因素是其再現(xiàn)性及長期工作穩(wěn)定性還需要進一步改善和確認,。
（2）低溫多晶硅技術（LTPS TFT)
該技術是目前世界上唯一經(jīng)過商業(yè)化量產(chǎn)驗證、在G4.5代以下生產(chǎn)線相當成熟的AMOLED生產(chǎn)技術,。
該技術和非晶硅技術主要的區(qū)別是利用激光晶化的方式,，將非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч瑁瑥亩鴮㈦娮舆w移率從0.5提高到50-100 cm2/V-s,，以滿足OLED電流驅(qū)動的要求,。
該技術經(jīng)過多年的商業(yè)化量產(chǎn)，產(chǎn)品性能優(yōu)越,，工作穩(wěn)定性好,，同時在這幾年的量產(chǎn)中，其良品率已得到很大的提高,，達到90%左右,，極大的降低了產(chǎn)品成本。
從以上LTPS的工藝流程可以看出,，其和非晶硅技術的主要區(qū)別是增加了激光晶化過程和離子注入過程,，其它的加工工藝基本相同,，設備也和非晶硅生產(chǎn)有相通之處。
另外,，晶化的技術也有很多種,，目前小尺寸最常用的是ELA，其它的晶化技術還有：SLS,、YLA等,，有的公司也在利用其它的技術研發(fā)AMOLED的TFT基板，例如金屬誘導晶化技術,，也有相應的樣品展出,，但這一技術的主要問題是金屬會導致膜層間的電壓擊穿，漏電流大,，器件穩(wěn)定性無法保證（由于AMOLED器件是特別薄的,，各層間加工時保證層面干凈度，防止電壓擊穿是重要的一項課題）,。
LTPS技術的主要缺陷有如下幾點：
●生產(chǎn)工藝比較復雜,，使用的Mask數(shù)量為6—9道，初期設備投入成本高,。
●受激光晶化工藝的限制,，大尺寸化比較困難，目前最大的生產(chǎn)線為G4.5代,。
●激光晶化造成Mura嚴重,，使用在TV面板上，會造成視覺上的缺陷,。
（3）非晶硅技術（a-Si TFT)
非晶硅技術最成功的應用是在液晶生產(chǎn)工藝中,，目前的LCD 廠家，除少數(shù)使用LTPS技術外,，絕大部分使用的是a-Si技術,。
a-Si技術在液晶領域成熟度高，其器件結(jié)構簡單,，一般都為1T1C（1個TFT薄膜晶體管電路,，1個存儲電容），生產(chǎn)制造使用的Mask數(shù)量為4—5,，目前也有廠家在研究3Mask工藝,。
另外，采用a-Si技術進行AMOLED的生產(chǎn),，設備完全可以使用目前液晶TFT加工的原有設備,，初期投入成本低。
再者,，非晶硅技術大尺寸化已完全實現(xiàn),，目前在LCD領域已做到100寸以上,。
雖然在LCD領域，a-Si技術為主流,，但OLED器件是電流驅(qū)動方式,，a-Si器件很低的電子遷移率無法滿足這一要求，雖然也有公司（例如加拿大的IGNIS）在IC的設計上進行了一些改善,，但目前還無法從根本上解決問題
LTPS技術主要技術瓶頸在晶化的過程,，而a-Si技術雖然制造過程沒有技術難題，但匹配的IC的設計難度要高得很,，而且目前IC廠商都是以LTPS為主流,，對a-Si用IC的開發(fā)投入少，因此如果采用a-Si技術進行生產(chǎn),，則IC的來源是一個嚴重的瓶頸和掣肘,，另外器件的性能將會大打折扣。
（4）微晶硅技術（Microcrystalline Silicon TFT)
微晶硅技術在材料使用和膜層結(jié)構上,，和LCD常見的非晶硅技術基本上是相同的,。
微晶硅技術器件的電子遷移率可達到1—10 cm2/V-s，是目前索尼選擇的技術,。
這種技術雖然也能達到驅(qū)動OLED的目的，但由于其電子遷移率低,，器件顯示效果差,，目前選擇作為研究方向的廠家較少。
通過對各種TFT技術比較,，我們可以看出,，LTPS技術主要的優(yōu)點是電子遷移率極高，完全滿足OLED的驅(qū)動要求,，而且經(jīng)過幾年的商業(yè)化生產(chǎn),，良品率已達到90%左右，生產(chǎn)成熟度高,。主要的問題是初期設備投入成本高,，大尺寸化比較困難。
金屬氧化物技術電子遷移率雖然沒有LTPS高,，但能夠滿足OLED的驅(qū)動要求,，并且其大尺寸化比較容易。主要的問題是穩(wěn)定性差,，沒有成熟的生產(chǎn)工藝,。
微晶硅和非晶硅技術雖然相對簡單，容易實現(xiàn)大尺寸化,，并且在目前LCD生產(chǎn)線上可以制造,，初期的投入成本較低,，但其主要的問題是電子遷移率低的問題，適合LCD的電壓驅(qū)動,，而不適用OLED的電流驅(qū)動模式,，并且在OLED沒有成熟的生產(chǎn)經(jīng)驗，器件穩(wěn)定性和工藝成熟性無法保證,。
結(jié)合目前世界上所有AMOLED生產(chǎn)廠家的實際情況,，以及我們上面對幾種技術的比較和分析，我們認為廣東省當前在TFT基板技術上應采用低溫多晶硅技術（LTPS）技術,，采用激光晶化方式,。同時鼓勵金屬誘導方式的發(fā)展，如果能夠在金屬誘導方面取得突破,，也可以作為一個技術方向,。

(5)、有機膜蒸鍍技術路線選擇
有機層形成方式,，可分為傳統(tǒng)方式和新型方式,。傳統(tǒng)方式是以氣相沉積技術為基礎的，而新興方式是以轉(zhuǎn)印和印刷技術為基礎的,。
新興方式中轉(zhuǎn)印技術由三星和3M聯(lián)合開發(fā)和研制,；印刷技術主要由愛普生開發(fā)和研制。這兩種方法最大的優(yōu)點是提高材料使用率和簡化生產(chǎn)制程,，但其技術和材料具有一定的壟斷性,，目前還不具備量產(chǎn)的能力。
傳統(tǒng)的氣相沉積方法也就是我們通常所講的CVD,，對于有機材料的蒸發(fā),，按照蒸發(fā)源的不同和蒸發(fā)方式的不同又分為點源式、線源式及OVPD(有機氣相沉積),。
OVPD(有機氣相沉積)是由德國愛思強公司研發(fā),，該工藝設計改進了可生產(chǎn)性，相對于蒸鍍技術可以降低制造成 本,。具有優(yōu)越的重復性和工藝穩(wěn)定性以及顯著的膜層均勻性和摻雜的精確控制,，為高良率批量生產(chǎn)奠定了基礎，同時減少了維護和清潔要求,，從而降級了材料消耗,，具有提高材料利用率的巨大潛力。
OVPD方式具有較好的優(yōu)越性,，由非OLED生產(chǎn)商研制,，面向廣大的OLED生產(chǎn)商，是業(yè)界較為看好的生產(chǎn)技術和設備。但是該設備目前存在兩個問題：
1）目前成熟的設備僅可以制作370×470的尺寸,，還無法滿足大尺寸生產(chǎn)的要求,。
2）該設備目前對單色器件有較好的可靠性，但全彩的穩(wěn)定性還不夠理想,。
鑒于以上的分析,，我們只能采用點源或線源的蒸鍍方式。目前來看,，點源技術日本TOKKI公司較為優(yōu)秀,，線源技術日本ULVAC公司較為優(yōu)秀。宏威公司也可以在這方面加以努力,。
(6),、光射出方式技術路線選擇
目前OLED器件有兩種光出射方式：底發(fā)光和頂發(fā)光，下表是這兩種方式的對比：

底發(fā)光技術工藝成熟,，選擇風險小,，甚至沒有風險。頂發(fā)光制作工藝有兩個難點,，一是陰極制作,，另一個就是封裝方式。盡管頂部發(fā)光困難尚存,，但已是趨勢所在（最少在背板材料沒有新的突破下）,。但從長遠看，如果背板材料有了新的突破,，如遷移率和均勻性得到質(zhì)的改善,，那么底發(fā)光就有更低成本的優(yōu)勢?？傮w而言,，采用a-Si背板,，頂發(fā)光是較好的選擇,；P-Si背板就可以考慮底發(fā)光方式。