（1）金屬氧化物技術(shù)（Metal oxide TFT)
這種生產(chǎn)技術(shù)目前被很多廠家及專業(yè)調(diào)查公司看好,，并認(rèn)為是將來(lái)大尺寸AMOLED技術(shù)路線的首選，各個(gè)公司也有相應(yīng)的大尺寸樣品展出,。
該技術(shù)TFT基板在加工過(guò)程中,，可采取液晶行業(yè)中常見(jiàn)的、成熟的大面積的濺鍍成膜的方式,，氧化物為InGaO3(ZNO)5,，盡管這種器件的電子遷移率較LTPS技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品要低，基本為10 cm2/V-sec,，但這個(gè)遷移率參數(shù)為非晶硅技術(shù)器件的10倍以上,，該器件電子遷移率完全能夠滿足AMOLED的電流驅(qū)動(dòng)要求，因此可以應(yīng)用于OLED的驅(qū)動(dòng),。
目前金屬氧化物技術(shù)還處于實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證階段,，世界上沒(méi)有真正進(jìn)行過(guò)量產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)，主要的因素是其再現(xiàn)性及長(zhǎng)期工作穩(wěn)定性還需要進(jìn)一步改善和確認(rèn),。
（2）低溫多晶硅技術(shù)（LTPS TFT)
該技術(shù)是目前世界上唯一經(jīng)過(guò)商業(yè)化量產(chǎn)驗(yàn)證,、在G4.5代以下生產(chǎn)線相當(dāng)成熟的AMOLED生產(chǎn)技術(shù)。
該技術(shù)和非晶硅技術(shù)主要的區(qū)別是利用激光晶化的方式,，將非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч?，從而將電子遷移率從0.5提高到50-100 cm2/V-s，以滿足OLED電流驅(qū)動(dòng)的要求,。
該技術(shù)經(jīng)過(guò)多年的商業(yè)化量產(chǎn),，產(chǎn)品性能優(yōu)越，工作穩(wěn)定性好,，同時(shí)在這幾年的量產(chǎn)中,，其良品率已得到很大的提高，達(dá)到90%左右,，極大的降低了產(chǎn)品成本,。
從以上LTPS的工藝流程可以看出，其和非晶硅技術(shù)的主要區(qū)別是增加了激光晶化過(guò)程和離子注入過(guò)程,，其它的加工工藝基本相同,，設(shè)備也和非晶硅生產(chǎn)有相通之處。
另外,，晶化的技術(shù)也有很多種,，目前小尺寸最常用的是ELA，其它的晶化技術(shù)還有：SLS、YLA等,，有的公司也在利用其它的技術(shù)研發(fā)AMOLED的TFT基板,，例如金屬誘導(dǎo)晶化技術(shù)，也有相應(yīng)的樣品展出,，但這一技術(shù)的主要問(wèn)題是金屬會(huì)導(dǎo)致膜層間的電壓擊穿,，漏電流大，器件穩(wěn)定性無(wú)法保證（由于AMOLED器件是特別薄的,，各層間加工時(shí)保證層面干凈度,，防止電壓擊穿是重要的一項(xiàng)課題）。
LTPS技術(shù)的主要缺陷有如下幾點(diǎn)：
●生產(chǎn)工藝比較復(fù)雜,，使用的Mask數(shù)量為6—9道,，初期設(shè)備投入成本高。
●受激光晶化工藝的限制,，大尺寸化比較困難,，目前最大的生產(chǎn)線為G4.5代。
●激光晶化造成Mura嚴(yán)重,，使用在TV面板上,，會(huì)造成視覺(jué)上的缺陷。
（3）非晶硅技術(shù)（a-Si TFT)
非晶硅技術(shù)最成功的應(yīng)用是在液晶生產(chǎn)工藝中,，目前的LCD 廠家,，除少數(shù)使用LTPS技術(shù)外，絕大部分使用的是a-Si技術(shù),。
a-Si技術(shù)在液晶領(lǐng)域成熟度高,，其器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，一般都為1T1C（1個(gè)TFT薄膜晶體管電路,，1個(gè)存儲(chǔ)電容）,，生產(chǎn)制造使用的Mask數(shù)量為4—5，目前也有廠家在研究3Mask工藝,。
另外,，采用a-Si技術(shù)進(jìn)行AMOLED的生產(chǎn)，設(shè)備完全可以使用目前液晶TFT加工的原有設(shè)備,，初期投入成本低,。
再者，非晶硅技術(shù)大尺寸化已完全實(shí)現(xiàn),，目前在LCD領(lǐng)域已做到100寸以上,。
雖然在LCD領(lǐng)域，a-Si技術(shù)為主流,，但OLED器件是電流驅(qū)動(dòng)方式,，a-Si器件很低的電子遷移率無(wú)法滿足這一要求,，雖然也有公司（例如加拿大的IGNIS）在IC的設(shè)計(jì)上進(jìn)行了一些改善，但目前還無(wú)法從根本上解決問(wèn)題
LTPS技術(shù)主要技術(shù)瓶頸在晶化的過(guò)程,，而a-Si技術(shù)雖然制造過(guò)程沒(méi)有技術(shù)難題，但匹配的IC的設(shè)計(jì)難度要高得很,，而且目前IC廠商都是以LTPS為主流,，對(duì)a-Si用IC的開(kāi)發(fā)投入少，因此如果采用a-Si技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn),，則IC的來(lái)源是一個(gè)嚴(yán)重的瓶頸和掣肘,，另外器件的性能將會(huì)大打折扣。
（4）微晶硅技術(shù)（Microcrystalline Silicon TFT)
微晶硅技術(shù)在材料使用和膜層結(jié)構(gòu)上,，和LCD常見(jiàn)的非晶硅技術(shù)基本上是相同的,。
微晶硅技術(shù)器件的電子遷移率可達(dá)到1—10 cm2/V-s，是目前索尼選擇的技術(shù),。
這種技術(shù)雖然也能達(dá)到驅(qū)動(dòng)OLED的目的,，但由于其電子遷移率低，器件顯示效果差,，目前選擇作為研究方向的廠家較少,。
通過(guò)對(duì)各種TFT技術(shù)比較，我們可以看出,，LTPS技術(shù)主要的優(yōu)點(diǎn)是電子遷移率極高,，完全滿足OLED的驅(qū)動(dòng)要求，而且經(jīng)過(guò)幾年的商業(yè)化生產(chǎn),，良品率已達(dá)到90%左右,，生產(chǎn)成熟度高。主要的問(wèn)題是初期設(shè)備投入成本高,，大尺寸化比較困難,。
金屬氧化物技術(shù)電子遷移率雖然沒(méi)有LTPS高，但能夠滿足OLED的驅(qū)動(dòng)要求,，并且其大尺寸化比較容易,。主要的問(wèn)題是穩(wěn)定性差，沒(méi)有成熟的生產(chǎn)工藝,。
微晶硅和非晶硅技術(shù)雖然相對(duì)簡(jiǎn)單,，容易實(shí)現(xiàn)大尺寸化，并且在目前LCD生產(chǎn)線上可以制造,，初期的投入成本較低,，但其主要的問(wèn)題是電子遷移率低的問(wèn)題，適合LCD的電壓驅(qū)動(dòng),，而不適用OLED的電流驅(qū)動(dòng)模式,，并且在OLED沒(méi)有成熟的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),，器件穩(wěn)定性和工藝成熟性無(wú)法保證。
結(jié)合目前世界上所有AMOLED生產(chǎn)廠家的實(shí)際情況,，以及我們上面對(duì)幾種技術(shù)的比較和分析,，我們認(rèn)為廣東省當(dāng)前在TFT基板技術(shù)上應(yīng)采用低溫多晶硅技術(shù)（LTPS）技術(shù)，采用激光晶化方式,。同時(shí)鼓勵(lì)金屬誘導(dǎo)方式的發(fā)展,，如果能夠在金屬誘導(dǎo)方面取得突破，也可以作為一個(gè)技術(shù)方向,。

(5),、有機(jī)膜蒸鍍技術(shù)路線選擇
有機(jī)層形成方式，可分為傳統(tǒng)方式和新型方式,。傳統(tǒng)方式是以氣相沉積技術(shù)為基礎(chǔ)的,，而新興方式是以轉(zhuǎn)印和印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的。
新興方式中轉(zhuǎn)印技術(shù)由三星和3M聯(lián)合開(kāi)發(fā)和研制,；印刷技術(shù)主要由愛(ài)普生開(kāi)發(fā)和研制,。這兩種方法最大的優(yōu)點(diǎn)是提高材料使用率和簡(jiǎn)化生產(chǎn)制程，但其技術(shù)和材料具有一定的壟斷性,，目前還不具備量產(chǎn)的能力,。
傳統(tǒng)的氣相沉積方法也就是我們通常所講的CVD，對(duì)于有機(jī)材料的蒸發(fā),，按照蒸發(fā)源的不同和蒸發(fā)方式的不同又分為點(diǎn)源式,、線源式及OVPD(有機(jī)氣相沉積)。
OVPD(有機(jī)氣相沉積)是由德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)公司研發(fā),，該工藝設(shè)計(jì)改進(jìn)了可生產(chǎn)性,，相對(duì)于蒸鍍技術(shù)可以降低制造成 本。具有優(yōu)越的重復(fù)性和工藝穩(wěn)定性以及顯著的膜層均勻性和摻雜的精確控制,，為高良率批量生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ),，同時(shí)減少了維護(hù)和清潔要求，從而降級(jí)了材料消耗,，具有提高材料利用率的巨大潛力,。
OVPD方式具有較好的優(yōu)越性，由非OLED生產(chǎn)商研制,，面向廣大的OLED生產(chǎn)商,，是業(yè)界較為看好的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。但是該設(shè)備目前存在兩個(gè)問(wèn)題：
1）目前成熟的設(shè)備僅可以制作370×470的尺寸,，還無(wú)法滿足大尺寸生產(chǎn)的要求,。
2）該設(shè)備目前對(duì)單色器件有較好的可靠性，但全彩的穩(wěn)定性還不夠理想,。
鑒于以上的分析,，我們只能采用點(diǎn)源或線源的蒸鍍方式,。目前來(lái)看，點(diǎn)源技術(shù)日本TOKKI公司較為優(yōu)秀,，線源技術(shù)日本ULVAC公司較為優(yōu)秀,。宏威公司也可以在這方面加以努力。
(6),、光射出方式技術(shù)路線選擇
目前OLED器件有兩種光出射方式：底發(fā)光和頂發(fā)光,，下表是這兩種方式的對(duì)比：

底發(fā)光技術(shù)工藝成熟，選擇風(fēng)險(xiǎn)小,，甚至沒(méi)有風(fēng)險(xiǎn)。頂發(fā)光制作工藝有兩個(gè)難點(diǎn),，一是陰極制作,，另一個(gè)就是封裝方式。盡管頂部發(fā)光困難尚存,，但已是趨勢(shì)所在（最少在背板材料沒(méi)有新的突破下）,。但從長(zhǎng)遠(yuǎn)看，如果背板材料有了新的突破,，如遷移率和均勻性得到質(zhì)的改善,，那么底發(fā)光就有更低成本的優(yōu)勢(shì)?？傮w而言,，采用a-Si背板，頂發(fā)光是較好的選擇,；P-Si背板就可以考慮底發(fā)光方式,。