高級半導體解決方案的主要供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723,，以下簡稱瑞薩電子）,，于2011年1月12日正式宣布推出用于電源器件的新型高壓,、N通道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）產品。新產品名為RJK60S5DPK,，具有極高的效率,，能顯著降低PC服務器、通信基站以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等的功耗,。

新型高壓功率MOSFET  RJK60S5DPK

　　作為瑞薩電子高壓功率MOSFET系列的首款產品,，本次的RJK60S5DPK非常適用于將交流電（AC）轉換為直流電（DC）的電源主開關電路應用。其所采用的高精度超級連接結構（注1）,，使其實現(xiàn)了高于瑞薩電子現(xiàn)有產品約90%的性能系數（FOM,，功率MOSFET產品的重要性能指標）（注2）。
　
　　近年來,，為降低能源消耗,，電源電路的高效化需求正在不斷增長。尤其是平板電視,、通信基站,、PC服務器、以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等高輸出功率的電源開關系統(tǒng),，更是對電力轉換效率的改善與省電性能提出了更高的要求,。因此，功率MOSFET產品也面臨著更低的導通電阻（注3）性能需求,。然而,，功率MOSFET的傳統(tǒng)平面結構卻限制了產品的完善空間。面對上述課題,，本次瑞薩電子嘗試將其長期累積的功率器件技術用于功率MOSFET,，利用深槽工藝，成功地開發(fā)出了高精度超級連接結構,，使MOSFET器件的單位面積導通電阻得到了顯著的降低,。
　
　　新型RJK60S5DPK功率MOSFET具有以下主要優(yōu)勢：
　　（1）領先業(yè)界的低導通電阻
　　新型的RJK60S5DPK導通電阻僅為150mΩ（在ID=10A,，VGSS=10V情況下的標準值）,，比瑞薩電子現(xiàn)有同類產品低了約52%，有效改善電源轉換時的電力損失,。
　
　　(2) 高速開關
　　影響開關速度的首要,、也是最主要的原因是功率MOSFET的驅動器電容。新RJK60S5DPK的驅動器電容（柵電荷Qgd）（注4）比瑞薩電子現(xiàn)有產品降低了約80%,，成功實現(xiàn)了6nC（在ID= 10,，VGSS=10伏情況下的標準值）的開關速度，實現(xiàn)電源轉換效率的顯著提升,。
　
　　此外,，RJK60S5DPK功率MOSFET不但采用了與TO-3P相同外形的標準封裝,，同時還采用了符合業(yè)界標準的引腳配置。這意味著它將非常易于安裝在采用傳統(tǒng)平面MOSFET器件并備受業(yè)內好評的開關電源電路板上,。
　
　　相比瑞薩電子原有的平面結構系列產品,，采用高精密超級連接結構的功率MOSFET系列產品的單位面積導通電阻降低了約80%。因此,，在導通電阻相同的情況下,，新產品可幫助芯片產品實現(xiàn)面積的縮小。例如,，原先采用TO-3P（15.6mm×19.9mm）封裝的產品如采用本次的新功率MOSFET,，將可使其封裝縮小到TO-220FL（10mm×15mm）。這對今后瑞薩電子推廣小型封裝產品起到至關重要的作用,。