【2025年3月27日, 德國慕尼黑訊】Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產品系列,，簡化了系統(tǒng)設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司,、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領先供應商,。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統(tǒng)的 MOSFET 內阻（RDS(on)）,，進而減少了導通損耗,，提高了整體設備效率和電流密度，而且還節(jié)省了與MOSFET相關的成本,。

英飛凌科技高級副總裁兼總經理Richard Kuncic表示：“我們很高興與Enphase合作,，支持他們致力于完成提供創(chuàng)新太陽能解決方案的使命。英飛凌的600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET專為以極低成本提供卓越的效率和可靠性而設計,，這與Enphase和英飛凌通過提高可再生能源技術的性能和經濟性的承諾相吻合,，從而進一步推動低碳化?！?nbsp;

Enphase Energy高級副總裁兼系統(tǒng)業(yè)務部總經理Aaron Gordon表示：“通過與英飛凌合作,，Enphase利用CoolMOS? 8 SJ MOSFET技術提高了自身微型逆變器系統(tǒng)的性能和經濟性。該合作展現(xiàn)了我們在太陽能行業(yè)追求創(chuàng)新與卓越的決心,。我們很高興能以極低的成本為客戶大幅提升電流功率密度,。” 

英飛凌最新推出的600 V CoolMOS? 8 MOFET在全球高壓超結MOSFET技術領域處于領先地位,，為全球樹立了技術和性價比的標準,。該技術提高了充電器和適配器、太陽能和儲能系統(tǒng),、電動汽車充電和不間斷電源（UPS） 等應用的整體系統(tǒng)性能,，進一步推動了低碳化。 

CoolMOS? 8 SJ MOSFET 的柵極電荷較CFD7降低了18%,，較P7系列降低了33%,。柵極電荷的降低減少了MOSFET 的柵極從關斷狀態(tài)（非導通）切換到導通狀態(tài)（導通）所需的電荷，使系統(tǒng)更加節(jié)能,。此外,，CoolMOS? 8 SJ MOSFET擁有更快的關斷時間，其熱性能較上一代產品提高了14%至42%,。該產品集成快速體二極管,，并提供SMD-QDPAK,、TOLL和Thin-TOLL 8x8封裝，適用于各種消費和工業(yè)應用,。

供貨情況

600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 和 650 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET產品組合擴展樣品將從四月初開始供應,。