下面對35個設(shè)計步驟作詳細的闡述。

[步驟1]確定開關(guān)電源的基本參數(shù)

（1）交流輸入電壓最小值：Umin,，見表1。

（2）交流輸入電壓最大值：Umax,，見表1,。

表1根據(jù)交流輸入電壓范圍確定Umin、Umax值

（3）電網(wǎng)頻率fL：50Hz或60Hz,。

表2反饋電路的類型及UFB參數(shù)值

（4）開關(guān)頻率f：100kHz,。

（5）輸出電壓UO（V）：已知,。

（6）輸出功率PO（W）：已知。

（7）電源效率η：一般取80％,，除非有更好的數(shù)

據(jù)可用,。

（8）損耗因數(shù)Z：Z代表次級損耗與總功耗的比

值。典型值為0.5,。

[步驟2]根據(jù)輸出要求,，選擇反饋電路的類型以及反饋電壓UFB

詳見表2?？蓮?種反饋電路中選擇一種合適的電路,，并確定反饋電壓UFB的值。

[步驟3]根據(jù)U,、PO值來確定輸入濾波電容CIN,、

直流輸入電壓最小值UImin

（1）令整流橋的響應時間tc=3ms。

（2）根據(jù)輸入電壓,，從表3中查出CIN值,。

（3）得到UImin的值。

表3確定CIN,、UImin的值

[步驟4]根據(jù)交流輸入電壓U確定初級感應電壓UOR,、鉗位二極管反向擊穿電壓UB值

（1）根據(jù)輸入電壓，從表4中查出UOR,、UB值,。

（2）步驟25將用到UB值來選擇瞬變電壓抑制器（TVS）的型號。

（3）TOPSwitch關(guān)斷且次級電路處于導通狀態(tài)時,，

次級電壓會感應到初級,。感應電壓UOR與UI相疊加后，加至內(nèi)部功率開關(guān)管（MOSFET）的漏極上,。此時初級漏感釋放能量,，并在漏極上產(chǎn)生尖峰電壓UL。由于上述不利情況同時出現(xiàn),，極易損壞芯片,，因此需給初級增加鉗位保護電路。利用TVS器件來吸收尖峰電壓的瞬間能量,，使上述三種電壓之和不超過漏－源擊穿電壓U（BR）DS值,。

表4確定UOR、UB值

[步驟5]根據(jù)UImin和UOR來確定最大占空比Dmax

Dmax的計算公式為：Dmax=×100％（1）

（1）MOSFET的通態(tài)漏－源電壓UDS（ON）=10V,。

（2）應在U=Umin時確定Dmax,。

若將UOR=135V、UImin=90V、UDS(ON)=10V一并代入式（1）,，可計算出Dmax=64.3％,，這與典型值67％非常接近。Dmax隨著U的升高而減小,，例如當U=Umax=265V時,，Dmax=34.6％。

[步驟6]確定初級脈動電流IR與初級峰值電流IP的比值KRP

定義比例系數(shù)

KRP=IR/IP(2)

（1）當U確定之后,，KRP有一定的取值范圍,。在110V／

115V或?qū)挿秶妷狠斎霑r，可選KRP=0.4,，當230V輸入時,，取KRP=0.6。

（2）在整個迭代過程中,，可適當增大KRP的值,，但不得超過表5中規(guī)定的最大值。

表5確定KRP

[步驟7]確定初級波形參數(shù)

計算下列參數(shù)（電流單位均取A）：

（1）輸入電流的平均值IAVGIAVG=（3）

（2）初級峰值電流IPIP=（4）

（3）初級脈動電流IR〔可由式（2）求得〕

（4）初級有效值電流IRMSIRMS=IP（5）

[步驟8]根據(jù)電子數(shù)據(jù)表格和所需IP值,，選擇TOPSwitch芯片

（1）所選極限電流最小值ILIMIT(min)應滿足

0.9ILIMIT(min)≥IP（6）

（2）若芯片散熱不良,，則選功率稍大些的芯片。

[步驟9和步驟10]計算芯片的結(jié)溫Tj

（1）計算結(jié)溫TjTj=〔IRMS2×RDS(ON)＋CXT(UImax＋UOR)2f〕·

RθA＋25℃（7）

式中：CXT是漏極結(jié)點的等效電容,。括號內(nèi)第二項代表當交流輸入電壓較高時,，由于CXT不斷被充放電而引起的開關(guān)損耗，可用PCXT表示,。

（2）計算過程中若發(fā)現(xiàn)Tj>100℃,，應選功率較大的TOPSwitch芯片。

[步驟11]驗算IP

IP=0.9ILIMIT(min)（8）

（1）輸入新的KRP值且從最小值開始迭代,，直到

KRP=1.0,。

（2）檢查IP值是否符合要求。

（3）迭代KRP=1.0或IP=0.9ILIMIT（min),。

[步驟12]計算初級電感量LPLP=·（9）

式中：LP的單位取μH,。

[步驟13]選擇磁芯與骨架并確定相關(guān)參數(shù)

從廠家提供的磁芯數(shù)據(jù)表中查出適合該輸出功率的磁芯型號，以及有效截面積（SJ）,、有效磁路長度（l）,、等效電感（AL）、骨架寬度（b）等參數(shù)值,。

[步驟14]設(shè)定初級層數(shù)d和次級匝數(shù)NS的初始值

設(shè)定d=2層,。當U=85V～265V時取NS=0.6匝；再用迭代法計算NS,；亦可根據(jù)次級每伏匝數(shù)和UF1值，直接計算NS值（參見步驟15）,。

在步驟15至步驟22中必須確定高頻變壓器的9個主要參數(shù)：初級電感量LP,，磁芯氣隙寬度δ,，初級匝數(shù)NP，次級匝數(shù)NS,，反饋繞組匝數(shù)NF,，初級裸導線直徑DPm，初級導線外徑DPM,，次級裸導線直徑DSm和次級導線外徑DSM,。上述參數(shù)中，除LP可直接用公式單獨計算外,，其余參數(shù)都是互相關(guān)聯(lián)的,，因此通常從次級匝數(shù)開始計算。另外鑒于反饋繞組上的電流很?。ㄒ话阈∮?0mA）,，對其線徑要求不嚴，因此不需計算導線的內(nèi),、外直徑,。

[步驟15]計算次級匝數(shù)NS

對于230V或?qū)挿秶斎霊?.6匝/V，現(xiàn)已知UO=7.5V,，考慮到在次級肖特基整流管上還有0.4V的正向壓降UF1,，因此次級匝數(shù)為(UO＋UF1)×0.6=4.74匝。由于次級繞組上還存在導線電阻,，也會形成壓降,，實取NS=5匝。下面就以該數(shù)據(jù)作為初始值分別計算其余7個參數(shù),。

[步驟16]計算初級匝數(shù)NPNP=NS×（10）

將UOR=85V,，UO=7.5V，UF1=0.4V,，NS=5匝一同代入式（10）,，計算出NP=53.8匝。實取54匝,。

[步驟17]計算反饋繞組匝數(shù)NFNF=NS×（11）

將NS=5匝,，UFB=10.4V，UF2=0.7V,，UO=7.5V,，UF1=0.4V代入式（11），計算出NF=7.03匝,。實取7匝,。

[步驟18]根據(jù)初級層數(shù)d、骨架寬度b和安全邊距M，計算有效骨架寬度bE（單位是mm）

bE=d(b－2M)（12）

將d=2,，b=8.43mm,，M=0代入式（12），求得bE=16.86mm,。

再計算初級導線的外徑（帶絕緣層）DPMDPM=（13）

將bE=16.86,，NP=54匝代入式（13），求得DPM=0.31mm,?？鄢崞ず舐銓Ь€的內(nèi)徑DPm=0.26mm。

[步驟19]驗證初級導線的電流密度J是否滿足初級有效值電流IRMS=0.32A之條件J==（14）

將DPm=0.26mm,、IRMS=0.32A代入式（14）,，得到J=6.06A/mm2。電子數(shù)據(jù)表格中實取6.17A/mm2,。

若J>10A/mm2,，應選較粗的導線和較大的磁芯骨架，使J<10A/mm2,。若J<4A/mm2,，應選較細的導線和較小的磁芯骨架，使J>4A/mm2,；亦可適當增加NP的匝數(shù),。

[步驟20]計算磁芯中的最大磁通密度BMBM=（15）

將IP=0.74A，LP=623μH,，NP=54匝,，磁芯有效橫截面積SJ=0.41cm2代入式（15），計算出BM=0.2082T,。電子數(shù)據(jù)表中實取0.2085T,。

需要指出，若BM>0.3T,，則需增加磁芯的橫截面積或增加初級匝數(shù),，使BM在0.2～0.3T范圍之內(nèi)。如BM<0.2T,，就應選擇較小的磁芯或減小NP值,。

[步驟21]計算磁芯的氣隙寬度δδ=40πSJ（16）

式中δ的單位是mm。將SJ=0.41cm2,，NP=54匝,，LP=623μH，磁芯不留間隙時的等效電感AL=2.4μH／匝2代入式（16）,，計算出δ=0.22mm,。氣隙δ應加在磁芯的磁路中心處,，要求δ≥0.051mm。若δ小于此值,，需增大磁芯尺寸或者增加NP值,。

[步驟22]計算留有氣隙時磁芯的等效電感ALGALG=（17）

將LP=623μH，NP=54匝,，代入式（17），得到ALG=0.214μH／匝2,。電子數(shù)據(jù)表中實取0.215μH／匝2,。

需要說明兩點：

（1）ALG值必須在選好NP值以后才能確定。

（2）如上所述,，高頻變壓器的設(shè)計是一個多次迭

代的過程,。例如當NP改變后，NS和NF的值也一定會按一定的比例變化,。此外,，在改變磁芯尺寸時，需對J,、BM,、δ等參數(shù)重新計算，以確信它們?nèi)栽诮o定的范圍之內(nèi),。這表明若計算結(jié)果與電子數(shù)據(jù)表格中的數(shù)值略有差異,，也屬正常現(xiàn)象,，因二者迭代過程未必完全一致,。

[步驟23]確定次級參數(shù)ISP、ISRMS,、IRI,、DSM

（1）計算次級峰值電流ISP

次級峰值電流取決于初級峰值電流以及初、次級匝數(shù)比,，有公式ISP=IP×（18）

將IP=0.74A,，NP=54匝，NS=5匝代入式（18）,，得到ISP=7.99A,。

（2）計算次級有效值電流ISRMS

次級紋波電流與峰值電流的比例系數(shù)KRP與初級完全相同，區(qū)別僅是對次級而言,，KRP反應的是次級電流在占空比為（1－Dmax）時的比例系數(shù),。因此，計算次級有效值電流ISRMS時,，須用下面公式：ISRMS=ISP（19）

表6選擇鉗位二極管和阻塞二極管

將ISP=7.99A,，Dmax=51％,，KRP=0.92代入式（19），求得ISRMS=3.35A,。電子表格中的計算結(jié)果為3.36A,。

（3）計算輸出濾波電容上的紋波電流IRIIRI=（20）

將ISRMS=3.36A，IO=2A代入式（20）,，求得IRI=2.70A,。

最后計算次級裸導線直徑，有公式DSm=·=1.13（21）

將ISRMS=3.36A,，J=5.18A／mm2代入式（21）,，求得DSm=0.91mm。實選?0.900mm的公制線規(guī),。需要指出,，當DSm>0.4mm時，應采用?0.4mm的兩股導線雙線并繞NS匝,。與單股粗導線繞制方法相比,，雙線并繞能增大初級繞組的等效橫截面積，改善磁場耦合程度,，減小磁場泄漏及漏感,。此外，用雙線并繞方式還能減小次級導線的電阻值,，降低功率損耗,。

若選用三重絕緣線來繞制初級繞組，則導線外徑（單位是mm）的計算公式為：DSM=（22）

將b=8.43mm,，M=0,，NS=5匝代入式（22），求得DSM=1.69mm,?？蛇x導線直徑DSm≥0.91mm而絕緣層外徑DSM≤1.69mm的三重絕緣線。

[步驟24]確定次級整流管,、反饋電路整流管的最高反向峰值電壓：U（BR）S,、U（BR）FB

有公式：U（BR）S=UO＋UImax·（23）U（BR）FB=UFB＋UImax·（24）

將UO=7.5V，UFB=10.4V,，UImax=375V,，NS=5匝，NP=54匝,，NF=7匝,，分別代入以上兩式，求得U(BR)S=42.2V,，U（BR)FB=59V,。這與電子表格中給出的結(jié)果完全相同,。

[步驟25]選擇鉗位二極管和阻塞二極管

見表6。對于低功率的TOP200,、TOP201,、TOP210型單片開關(guān)電源，可選UB=180V的瞬變電壓抑制器,。

[步驟26]選擇輸出整流管

輸出整流管宜采用肖特基二極管,，此類管子的壓降低、損耗小,，能提高電源效率,。典型產(chǎn)品有MOTOROLA公司生產(chǎn)的MBR系列。要求管子的最高反向工作電壓URM≥2U（BR）S,，〔U（BR）S為整流管實際承受的最大反向峰值電壓〕；其標稱電流IF1≥3IO(IO為最大連續(xù)輸出電流),。

肖特基二極管的最高反向工作電壓一般不超過100V,，僅適合做低壓、大電流整流用,。當UO≥30V時,，需用耐壓100V以上的超快恢復二極管來代替肖特基二極管，此時電源效率會略有下降,。

[步驟27]利用步驟23得到的IRI,，選擇輸出濾波電容COUT

（1）濾波電容在105℃、100kHz時的紋波電流應≥IRI,。

（2）要選擇等效串聯(lián)電阻很低的電解電容器,。等效串聯(lián)電阻的英文縮寫為ESR，符號為r0,。它表示在電容器的等效電路中,，與之相串聯(lián)的代表電容器損耗的等效電阻，簡稱串聯(lián)損耗電阻,。輸出的紋波電壓URI由下式?jīng)Q定：

URI=ISP·r0（25）

式中的ISP由步驟23得到,。

（3）為減小大電流輸出時的紋波電流IRI，可將幾只濾波電容并聯(lián)使用,，以降低電容總的r0值和等效電感L0,。

（4）COUT的容量與最大輸出電流IOM有關(guān)。例如,，當UO=5～24V,、IOM=1A時，COUT取330μF/35V,；IOM=2A時COUT應取1000μF/35V,。

[步驟28～29]當輸出端的紋波電壓超過規(guī)定值時,，應再增加一級LC濾波器

（1）濾波電感L=2.2μH～4.7μH。當IOM小于

1A時可采用由非晶合金磁性材料制成的磁珠,；大電流時須選用磁環(huán)繞制而成的扼流圈,。

（2）為減小L上的壓降，宜選較大些的濾波電感或增大線徑,。通?？扇=3.3μH。

（3）濾波電容C取120μF/35V,，要求其r0很小,。

[步驟30]選擇反饋電路中的整流管

見表7。表中的URM為整流管最高反向工作電壓,，U（BR）FB是由步驟24得到的,，要求：

URM≥1.25U（BR）FB（26）

[步驟31]選擇反饋濾波電容

應取0.1μF/50V的陶瓷電容器。

表7選擇反饋電路中的整流管

[步驟32]選擇控制端電容及串聯(lián)電阻

控制端電容一般取47μF/10V,，普通電解電容即可,。與之相串聯(lián)的電阻可選6.2Ω/0.25W。在不連續(xù)模式下可去掉此電阻,。

[步驟33]按從表2中選定的那種反饋電路,，選取元器件值。

[步驟34]選擇輸入整流橋

（1）整流橋的反向擊穿電壓UBR應滿足下式要

求：UBR≥1.25Umax（27）

式中的Umax值從第步驟1得到,。

（2）設(shè)輸入有效值電流為IRMS,，整流橋額定的有效值電流為IBR，應當使IBR≥2IRMS,。計算IRMS的公式如下：IRMS=（28）

式中：cosφ為開關(guān)電源的功率因數(shù),，一般為0.5～0.7。若無可信的數(shù)據(jù),，可選cosφ=0.5,。