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閃存芯片迎春 20nm制程技術(shù)完全解析

2011-04-18
關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)器 20nm 閃存 NAND

    Intel美光推出最先進(jìn)的20nm" title="20nm">20nm制程技術(shù)


  近日IDF2011大會(huì)圓滿閉幕,,但是就在會(huì)后時(shí)隔1個(gè)工作日,,Intel和美光爆出猛料20nm制程研發(fā)成功,。對(duì)于整個(gè)閃存" title="閃存">閃存乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的刺激巨大。而在日本311之后,,整個(gè)閃存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了巨大的驚濤風(fēng)波之后,,現(xiàn)在恢復(fù)的如何?下面就且聽小編我一一道來。

  2011 年 4 月 14 日,,加利福尼亞州圣克拉拉市和愛達(dá)荷州博伊西市英特爾公司和美光科技公司今天針對(duì)NAND" title="NAND">NAND閃存的制造環(huán)節(jié)推出了一項(xiàng)更為精密的全新20納米(nm)制程技術(shù),。該技術(shù)將用于生產(chǎn)8GB容量的多層單元(MLC)NAND閃存設(shè)備,,這種設(shè)備可為在智能手機(jī),、平板電腦和固態(tài)硬盤(SSD)等計(jì)算解決方案中保存音樂、視頻,、書籍和其它數(shù)據(jù)提供兼具大容量和小尺寸特點(diǎn)的存儲(chǔ)產(chǎn)品選擇,。

  

  數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的增長與平板電腦和智能手機(jī)功能的增強(qiáng),對(duì)NAND閃存技術(shù)帶來了新的需求,,對(duì)縮小其體積和提高其容量的需求尤為強(qiáng)烈,。英特爾公司與美光公司推出的全新20納米制程8GB NAND設(shè)備尺寸僅為118平方毫米,與兩家公司基于現(xiàn)有的25納米NAND制程的8GB NAND設(shè)備相比,,可節(jié)約30%-40%的主板空間(取決于封裝類型),。這種閃存布局上的節(jié)省可讓平板電腦和智能手機(jī)生產(chǎn)商將額外的空間用于最終產(chǎn)品的改進(jìn),例如增加電池容量,、擴(kuò)大屏幕尺寸或增加芯片數(shù)量來支持新的功能,,從而實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)級(jí)效率。

  全新的20納米制程8GB設(shè)備由英特爾與美光的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies(IMFT)公司生產(chǎn),,它是NAND制程和技術(shù)設(shè)計(jì)上的一次重大突破,,進(jìn)一步鞏固了兩家公司在光刻技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。由于該技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠幫助晶圓工廠增加約50%的產(chǎn)品容量,,因此將NAND光刻技術(shù)升級(jí)為這一全新技術(shù)是提高晶圓工廠產(chǎn)量的一種最為經(jīng)濟(jì)高效的方法,,而且全新20納米NAND制程技術(shù)還保持了與前一代25納米NAND制程技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅芎湍陀眯浴?br />
  美光科技公司NAND解決方案事業(yè)部副總裁Glen Hawk表示:“與客戶緊密協(xié)作是美光的核心價(jià)值之一,通過這些努力,,我們不斷發(fā)現(xiàn)具有競(jìng)爭(zhēng)力的NAND閃存最終產(chǎn)品設(shè)計(jì)機(jī)遇,。20納米NAND制程技術(shù)是我們創(chuàng)新和成長的延續(xù),它讓美光可以為客戶提供更具性價(jià)比的增值固態(tài)存儲(chǔ)解決方案,。”

  英特爾公司副總裁兼非易失性存儲(chǔ)器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Tom Rampone表示:“英特爾的目標(biāo)是支持用戶能夠快速,、經(jīng)濟(jì)地訪問全球范圍內(nèi)的信息。處于行業(yè)領(lǐng)先地位的NAND制程技術(shù)讓英特爾有能力為客戶提供一代又一代具備最高品質(zhì),、且最為經(jīng)濟(jì)高效的解決方案,。隨著在業(yè)界持續(xù)引領(lǐng)制程技術(shù)的發(fā)展,以及快速完成我們整個(gè)晶圓工廠網(wǎng)絡(luò)在光刻技術(shù)上向更先進(jìn),、更精密的技術(shù)的升級(jí),,英特爾與美光的合資企業(yè)已堪稱制造業(yè)的一個(gè)典范。”

  20納米制程8GB設(shè)備目前尚處于樣品階段,,它有望于2011年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段,。英特爾和美光還希望屆時(shí)推出一款16GB設(shè)備的樣品,它可在一個(gè)比美國郵票還小的單個(gè)固態(tài)存儲(chǔ)解決方案中提供高達(dá)128GB的存儲(chǔ)容量。

  20nm制程推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革

  Intel與鎂光公司宣布正式推出其20nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品,,再一次站在了NAND閃存制造技術(shù)的最前沿,。這款產(chǎn)品將由兩家公司的合資公司IMFT進(jìn)行生產(chǎn)。新的20nm制程將用于生產(chǎn)8GB容量的MLC NAND閃存設(shè)備,。

  此前,,東芝與SanDisk組成的聯(lián)盟占據(jù)著NAND閃存制造技術(shù)的領(lǐng)先地位。兩家公司同樣成立了一家合資企業(yè),,目前這家企業(yè)已經(jīng)推出了24nm制程的NAND產(chǎn)品,,正在增加這款產(chǎn)品的產(chǎn)能。而Hynix半導(dǎo)體與三星電子兩家韓國企業(yè)則也已經(jīng)先后推出了2xnm級(jí)別制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,。

  

  IMFT推出的這款20nm制程8GB NAND閃存芯片的芯片面積僅為118平方毫米,,寬度方向尺寸相比前代的25nm 8GB NAND產(chǎn)品縮小了30-40%(實(shí)際縮小的尺寸依賴于芯片所采用的封裝形式)。另外,,新20nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品在性能與耐久性方面則與前代25nm產(chǎn)品基本持平,。

  據(jù)透露,這款20nm 8GB容量NAND閃存芯片目前還在試樣階段,,預(yù)計(jì)今年下半年可投入量產(chǎn),,屆時(shí)IMFT還將推出同樣采用20nm制程技術(shù)的16GB容量的閃存芯片樣品,并最終將這種芯片的容量提升到128GB,。

  追溯25nm制程:IMFT之Intel和美光的野望

  IM Flash Technologies是一家非常隱匿而強(qiáng)悍的公司,,它是由Intel和美國合資興辦的半導(dǎo)體制造公司,主要生產(chǎn)NAND型閃存芯片產(chǎn)品,。整個(gè)NAND產(chǎn)業(yè)有個(gè)非常有趣的現(xiàn)象,,大約每18個(gè)月,閃存芯片的存儲(chǔ)密度就會(huì)翻番,。從2006年開始,,他們使用的是50nm制程,而隨著時(shí)間的推移,,2008年,,他們開始使用40nm制程。Intel與美光的合作,,催動(dòng)了整個(gè)NAND閃存產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,,使得制程工藝不斷精細(xì),閃存芯片的容量不斷上升,,而其價(jià)格也越來越便宜,。尤其是在SSD市場(chǎng)中,我們更加迫切的希望閃存芯片的價(jià)格能夠有大幅回落,。至少在過去幾年的USB閃盤驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)中,,IM Flash功不可沒。

  時(shí)間追溯到2010年的2月1日,又是一個(gè)具有標(biāo)志性的歷史節(jié)點(diǎn),。IM Flash正式宣布推出了新一代基于25nm制程的NAND閃存技術(shù),。Intel和美光宣稱他們擁有目前世界上最為精細(xì)的閃存芯片制造技術(shù),這也是整個(gè)IM Flash公司集體的智慧,。

  

  “使用最為卓越的技術(shù),,引領(lǐng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)飛躍,這將是Intel和美光共同的成就,。我們希望能夠進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)能力,。通過高密度的存儲(chǔ)媒體解決方案,,我們和客戶都將迎來最大利益,。”Brian Shirley美光科技存儲(chǔ)集團(tuán)副總裁。

  “通過我們?cè)贗MFT的持續(xù)投資,,我們能夠提供世界領(lǐng)先的技術(shù)和生產(chǎn)能力,。這使得我們的NAND閃存產(chǎn)品有著最佳的成本效益和高可靠性。”Tom Rampone Intel NAND解決方案集團(tuán)副總裁,。

  聚散離合:Intel與美光不多不說的事兒

  英特爾和美光在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今,,傳出5年合約已屆期滿,將于近日宣布最新的合作方向,。由于2010年底美光獨(dú)自啟動(dòng)新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資,,英特爾并未表態(tài)加入,引發(fā)外界對(duì)雙方合作關(guān)系,,以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑,,預(yù)計(jì)雙方將對(duì)外宣布最新的合作動(dòng)態(tài)。

  英特爾在2005年底宣布攜手美光共同進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域,,雙方各出資50%成立IM Flash公司,,作為兩家公司生產(chǎn)NAND Flash芯片的工廠,但產(chǎn)品規(guī)劃和銷售仍是各自獨(dú)立,。同年正好趕搭上蘋果將MP3播放器iPod儲(chǔ)存接口由微型硬盤轉(zhuǎn)成NAND Flash芯片的風(fēng)潮,,雙方合資公司一成立,英特爾和美光都各自獲得蘋果訂單一紙,。

  

  目前IM Flash公司的生產(chǎn)基地以維吉尼亞州Manassas廠和猶他州Lehi廠為主,,前者單月產(chǎn)能約3萬片,后者單月產(chǎn)能約7萬片,,合計(jì)IM Flash單月產(chǎn)能約10萬片,。

  在新加坡廠IMFS方面,雖然現(xiàn)在仍掛上“IM”招牌,,但實(shí)際上僅有美光進(jìn)行裝機(jī)和投資,,美光是在2010年底宣布啟動(dòng)此座廠房,但英特爾并未加入,美光計(jì)劃在2011年底前完成單月產(chǎn)能5萬~10萬片規(guī)模,。

  市場(chǎng)對(duì)于英特爾持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的意愿抱持懷疑,,因?yàn)檫@幾年NAND Flash應(yīng)用的蜜月期已過,MP3播放器市場(chǎng)趨于飽和,,雖然有平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)帶動(dòng)的SSD固態(tài)硬盤和內(nèi)嵌式內(nèi)存eMMC接班,,但此趨勢(shì)也是在2011年才浮上臺(tái)面。

  在此之前,,NAND Flash產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷多次的跌價(jià)風(fēng)暴,,以英特爾貴為科技巨擘之尊,闖入毛利率起伏不定的內(nèi)存領(lǐng)域,,的確讓外界相當(dāng)好奇未來動(dòng)向,。

  不過,英特爾在SSD領(lǐng)域的布局上其實(shí)也相當(dāng)積極,,市場(chǎng)認(rèn)為英特爾若要打開SSD領(lǐng)域的市占率,,持續(xù)投資NAND Flash產(chǎn)能是不能少的,否則終究無法和其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一戰(zhàn)高下,,且日本311強(qiáng)震之后,,下半年NAND Flash供需恐越來越吃緊,也不排除英特爾回心轉(zhuǎn)意增加投資新加坡廠的意愿,。

  英特爾和美光投入NAND Flash領(lǐng)域之后,,連續(xù)在34奈米和25奈米制程都是搶頭香獲得技術(shù)領(lǐng)先,形成三星電子,、海力士,、東芝等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手很大壓力,尤其是美光在IM Flash產(chǎn)能增加,,已擠下海力士成為全球第三強(qiáng),,對(duì)全球NAND Flash市場(chǎng)形成洗牌戰(zhàn),未來英特爾是否會(huì)持續(xù)攜手投資新加坡廠,,將影響全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的版圖,。

  Intel與美光還在密謀10nm制程大計(jì)劃

  根據(jù)IMFT透露,目前的20nm制程根本不算什么,,他們對(duì)未來已經(jīng)做好了準(zhǔn)備,,他們已經(jīng)著手研發(fā)10nm制造工藝技術(shù),這個(gè)距離大約只有20個(gè)原子的寬度,。同時(shí)它們也在考慮電荷陷阱型存儲(chǔ)(CTM)技術(shù)和一直以來被炒作的很熱的3D垂直堆疊技術(shù),。屆時(shí)我們有望迎來真正屬于SSD的春天。

  

難以想象的10個(gè)nm


電荷陷阱型存儲(chǔ)

3D垂直堆疊技術(shù)

  臺(tái)韓復(fù)工宣言:提高產(chǎn)能減少損失

  全球兩大硅晶圓廠信越半導(dǎo)體和SUMCO近日紛紛對(duì)外提出“復(fù)工宣言”,,前者表示白河廠近期復(fù)工,,后者則宣布米澤廠產(chǎn)線已部分復(fù)工,,但半導(dǎo)體廠商仍擔(dān)憂,日本5級(jí)以上余震不斷,,且電力無法充足供應(yīng),,對(duì)于硅晶圓的長晶程序都是大忌;值得注意的是,,日本強(qiáng)震之后臺(tái),、韓硅晶圓廠商都紛紛興起民族意識(shí),優(yōu)先供應(yīng)國內(nèi)客戶,,降低外銷比重,,全力捍衛(wèi)自家半導(dǎo)體廠商的貨源!

  日本311強(qiáng)震至今已達(dá)1個(gè)月,,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最憂心的硅晶圓供貨問題,,在信越和SUMCO遲遲無法對(duì)外說明之下,加深業(yè)界5月斷料的恐懼,,但近兩日這兩家硅晶圓大廠紛紛對(duì)外說明復(fù)工進(jìn)度后,,半導(dǎo)體廠商的憂慮其實(shí)并沒有消退。

  信越位于地震災(zāi)區(qū)的白河廠占全球硅晶圓產(chǎn)能20%,,在311強(qiáng)震后一直處于停工狀態(tài),日前信越終于打破沉默,,表示將于近期復(fù)工,,但并未說明確切時(shí)間表,外界雖推測(cè)1~2周內(nèi)復(fù)工,,但即使生產(chǎn)線重啟,,也不會(huì)是100%運(yùn)作;而SUMCO也在12日表示,,米澤廠已開始部分復(fù)工,,此廠房占整體產(chǎn)能30%以上。

  

  但半導(dǎo)體廠商卻不這么樂觀,,因?yàn)榻谌毡?級(jí)以上的余震不斷,,只要超過5級(jí)以上的地震,工廠的機(jī)器設(shè)備就必須重新啟動(dòng)一次,,而硅晶圓長晶過程中,,持續(xù)的電力是最基本的條件,無法預(yù)測(cè)的余震對(duì)長晶是一大禁忌,。

  再者,,廠商也表示,日本現(xiàn)在的輪流限電策略方面,,由于考慮半導(dǎo)體廠商對(duì)于電力持續(xù)性的要求相當(dāng)高,,對(duì)部分廠商都采取給予持續(xù)電力,,例如提供50%電力但是持續(xù)狀態(tài),這也代表無法100%供電,,即使硅晶圓廠房復(fù)工,,也無法回到地震前的產(chǎn)能水平。

  值得注意的是,,目前臺(tái),、日、韓3方的半導(dǎo)體廠商使出渾身解數(shù)來搶料,,且傳出臺(tái),、韓硅晶圓廠興起民族意識(shí),境內(nèi)生產(chǎn)的硅晶圓均以國內(nèi)供應(yīng)為主,,幾乎不再外銷,,如南韓LG等硅晶圓以三星電子和海力士為優(yōu)先供應(yīng),而臺(tái)灣的硅晶圓廠如臺(tái)勝科,,臺(tái)系客戶涵蓋臺(tái)積電,、聯(lián)電、南亞科,、華亞科,、華邦、旺宏,、世界先進(jìn)等,,一律以臺(tái)廠為優(yōu)先供貨對(duì)象。

  

  對(duì)信越依賴最深的爾必達(dá)方面,,廠商透露,,由于之前爾必達(dá)財(cái)務(wù)吃緊時(shí),信越因?yàn)榻桢X給爾必達(dá),,因此雙方有簽訂合約,,爾必達(dá)和瑞晶的硅晶圓貨源有一定比重都必須采用信越的產(chǎn)品,此合約在此時(shí)看來,,利弊兼具,,優(yōu)勢(shì)是可優(yōu)先獲得信越庫存。

  但另一方面,,爾必達(dá)面臨的難題是采用特殊規(guī)格的磊晶圓(EPI Wafer),,與其他DRAM廠采用的一般硅晶圓不同,也和晶圓代工廠商的磊晶圓規(guī)格不同,,雖然其他硅晶圓廠也可供應(yīng),,但因?yàn)闋柋剡_(dá)的信越色彩濃厚,不利后續(xù)向其他硅晶圓廠調(diào)貨,。

  災(zāi)后月:全球硅晶圓供應(yīng)仍然非常吃緊

  日本地震引發(fā)了對(duì)各種電子器件原材料供應(yīng)短缺的擔(dān)憂,。雖然仍面臨很大風(fēng)險(xiǎn),但隨著復(fù)產(chǎn)在即,總體來說我們認(rèn)為行業(yè)最差情景假設(shè)應(yīng)不會(huì)出現(xiàn),。不過,硅片(尤其是300毫米硅片)的復(fù)產(chǎn)還沒有明確的時(shí)間表。信越半導(dǎo)體(信越化學(xué)的全資子公司)白河廠,、SUMCO米澤廠以及MEMC宇都宮廠均已停產(chǎn),。我們認(rèn)為這三個(gè)工廠的產(chǎn)能大約相當(dāng)于全球產(chǎn)能的25%。

  白河廠和宇都宮廠若5月恢復(fù)發(fā)貨則影響不大,。米澤廠所受影響似乎相對(duì)較小,我們預(yù)計(jì)該廠最遲應(yīng)能于5月恢復(fù)發(fā)貨,。如果SUMCO能很快啟用其閑置的伊萬里廠產(chǎn)能,且白河廠和宇都宮廠亦于5月恢復(fù)發(fā)貨并至8月可全面恢復(fù)生產(chǎn),那么我們認(rèn)為廠商和客戶的總體庫存應(yīng)可保持在一個(gè)月之上,并有望于2012年初恢復(fù)正常。若兩廠產(chǎn)能恢復(fù)均滯后則會(huì)出現(xiàn)供應(yīng)緊張,。

  

  如果白河廠和宇都宮廠均于7月恢復(fù)發(fā)貨且在之后的3個(gè)月才能全面復(fù)產(chǎn),那么我們認(rèn)為廠商和客戶的總體庫存將降至一個(gè)月以內(nèi),供應(yīng)吃緊將持續(xù)至年末,。如果發(fā)貨推遲至9月,那么廠商和客戶的庫存將降至半個(gè)月左右,這意味著有些客戶將無法獲得其所需的硅片量。主要假設(shè):5月恢復(fù)發(fā)貨;限電和余震仍令人擔(dān)憂,。

  多數(shù)因地震停產(chǎn)的電子器件原材料工廠可能于5月份恢復(fù)生產(chǎn),因此硅片生產(chǎn)也可能在5月恢復(fù),。不過,由于地震震級(jí)較高,我們認(rèn)為限電措施和余震仍可能干擾生產(chǎn)。

  目前的狀況對(duì)信越化學(xué)不利,但由于硅片對(duì)其盈利的貢獻(xiàn)率僅為25%左右,我們認(rèn)為該影響有限,。SUMCO應(yīng)可獲益于米澤廠較早復(fù)產(chǎn)以及順利啟用伊萬里廠閑置產(chǎn)能,。但是,我們認(rèn)為SUMCO目前股價(jià)被高估了。
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