2015年受到需求面不振,、持續(xù)供過于求的影響,，DRAM價格呈現(xiàn)顯著衰退,，尤其以標準型存儲器最為明顯,。TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange調(diào)查顯示,，在寡占市場型態(tài)下,，雖然小幅供過于求且價格持續(xù)下滑,，各供應(yīng)商生產(chǎn)仍保持紀律,，未有明顯新增產(chǎn)能,，因此延續(xù)2013年 與2014年態(tài)勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利,。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,，2016年雖然受惠于來自智能手機 及服務(wù)器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升,，各項終端產(chǎn)品仍難有爆發(fā)性的發(fā)展,。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體DRAM需求成長率約為 23%，供 給位元成長約為25%,。市場仍維持小幅供過于求,，DRAM單價持續(xù)下滑，各家獲利能力將大幅取決于制程轉(zhuǎn)進所造成的成本下降以及產(chǎn)品組合的調(diào)配,。
2016年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢分析如下：
年度位元產(chǎn)出來自20奈米制程轉(zhuǎn)進,，晶圓投片量大約持平
吳 雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態(tài),，各供應(yīng)商在產(chǎn)能的擴張上皆有所節(jié)制,，相較仍處于完全競爭的市場型態(tài)的NAND Flash健康許多。2016年的位元產(chǎn)出主要是來自于SK海力士（Hynix）與美光半導(dǎo)體（Micron） 20/21奈米的轉(zhuǎn)進,，晶圓產(chǎn)能上,，除三星（Samsung）的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會陸續(xù)啟用之外,，2016年DRAM 總投片量與2015年呈現(xiàn)持平,。
隨著 市場需求轉(zhuǎn)變以及20奈米逐漸成熟，DDR4 的生產(chǎn)比例越來越高,。2015年由于英特爾（Intel）平臺支援度的問題,，DDR4的導(dǎo)入主要發(fā)生在服務(wù)器端，并且已經(jīng)率先在第四季取代DDR3成為主 流,。DRAMeXchange預(yù)估,，個人電腦/筆記型電腦端由新平臺Skylake開始采用DDR4，將會在2016年第二季起放量,，成為主流解決方案,。
行動式存儲器與服務(wù)器存儲器生產(chǎn)比重持續(xù)提升
智 慧型手機受惠于20nm制程產(chǎn)出的LPDDR4普及度越來越高，高階旗艦機種（除Apple以外）以3GB/4GB為標準規(guī)格,。吳雅婷指出,，2016年第 二季起就會有單機DRAM搭載容量上達6GB的機種問市,，大幅增加行動式存儲器的需求動能。服務(wù)器存儲器亦然,，受惠于20nm制程產(chǎn)出的DDR4普及度升 高,，在高容量32GB/64GB模組成本降低，促使廠商策略性調(diào)降價格以刺激需求,，有助于服務(wù)器存儲器生產(chǎn)比重提升,。
中國進軍DRAM意圖仍在，但進入門檻高,，難有進展
2016 年中國持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變,，仍將有許多并購發(fā)生，存儲器方面更是中國發(fā)展的重點項目之一,。吳雅婷進一步表示,，與NAND Flash較為混亂的市場態(tài)勢相較，DRAM市場三強鼎立的狀態(tài)結(jié)構(gòu)穩(wěn)固,，引進新的競爭者恐怕導(dǎo)致更嚴重的供過于求,，因此三強與中國合作可能性低，使得中 國欲進軍DRAM產(chǎn)業(yè)的困難度遠高過其他半導(dǎo)體產(chǎn)品類別,。