1 引言

電源的集成化是電源產(chǎn)品發(fā)展的方向,。在開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用中，PWM控制電路是電源設(shè)計(jì)的核心,，PWM控制電路可以由分立元器件來(lái)實(shí)現(xiàn),，因而，可以設(shè)想把PWM及反饋控制和自保護(hù)電路集成到一個(gè)芯片上,。在國(guó)外,，這種控制芯片早就成為商品，如UC3842,，TOPSwitch等,。而在國(guó)內(nèi)，該類(lèi)產(chǎn)品幾乎是空白,，因而,，電源的集成化研究將成為一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。

由于反激變換器的電路拓?fù)浜?jiǎn)單,，輸出與輸入電氣隔離,，能高效提供多組直流輸出，升降壓范圍寬,，因此在中小功率場(chǎng)合得到廣泛應(yīng)用,。本文利用反激變換器的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了利用分立元器件搭構(gòu)的驅(qū)動(dòng)控制電路,，驅(qū)動(dòng)反激變換器,，為日后的集成化作準(zhǔn)備。

2 驅(qū)動(dòng)控制電路拓?fù)?/p>

圖1中,，V8為振蕩電路產(chǎn)生的振蕩脈沖,，其占空比" title="占空比">占空比為50％，由該脈沖決定開(kāi)關(guān)器件的工作頻率,。V1為原邊電流采樣電阻" title="采樣電阻">采樣電阻上的壓降,，V2為輸出電壓的反饋值，V3是用于驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)管的信號(hào),。V2經(jīng)過(guò)PI調(diào)節(jié)器進(jìn)行誤差放大后輸入到比較器" title="比較器">比較器的反向端,，與輸入到比較器同向端的經(jīng)過(guò)誤差放大后的V1值進(jìn)行比較，從而決定V3的脈寬大小,。邏輯電路產(chǎn)生的信號(hào)經(jīng)過(guò)輸出級(jí)后用來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷,，該信號(hào)（V3）的占空比與輸出電壓的反饋值V2成反比，實(shí)現(xiàn)電壓反饋" title="電壓反饋">電壓反饋式的控制環(huán),，同時(shí),，該信號(hào)的占空比還與輸入的直流電壓值成反比,，以實(shí)現(xiàn)電路的前饋控制。V3信號(hào)由經(jīng)過(guò)放大后的原邊電流的采樣電阻上的電壓值和經(jīng)過(guò)PI調(diào)節(jié)器的輸出電壓的反饋值共同來(lái)控制,。圖2為各個(gè)反饋信號(hào)的誤差放大值,、振蕩脈沖V8以及MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V3波形。圖2中1）為振蕩脈沖V8的波形,，2）為驅(qū)動(dòng)信號(hào)V3的波形,，3）、4）為電壓反饋和電流反饋值經(jīng)過(guò)誤差放大后的波形（V2和V1的波形）,。

圖1 PWM邏輯電路及輸出電路

由圖2可知，當(dāng)反饋電流的誤差放大值V1大于反饋電壓的誤差值V2時(shí),，比較器就輸出高電平,，驅(qū)動(dòng)信號(hào)變成低電平，使MOSFET管關(guān)斷,，直到下一個(gè)振蕩脈沖到來(lái),，MOSFET管才開(kāi)通，因而可以看出,，該電路采用的是電流的峰值控制,。

圖2 PWM波形圖

圖3 啟動(dòng)電路圖

　　該啟動(dòng)電路由雙極性晶體管Q1，穩(wěn)壓二極管D1,D3和二極管D2以及電容C1構(gòu)成,。在電路啟動(dòng)的初期,，輸入的直流電源通過(guò)雙極性晶體管Q1給電容C1充電，使電路開(kāi)始工作,。等到反饋的電壓值Feedback比電路中的穩(wěn)壓二極管D1的穩(wěn)壓值大時(shí),，雙極性晶體管Q1被關(guān)斷，該電路停止工作,。PWM比較器的工作電壓由Feedback信號(hào)提供,。這種電路的優(yōu)點(diǎn)是可以有效地減小損耗，而很多國(guó)外產(chǎn)品的啟動(dòng)電路是由大電阻和電容構(gòu)成,，因而在電阻上將會(huì)有一定的損耗,。

　　在圖1的驅(qū)動(dòng)控制電路中，我們還可以看到,，該電路有逐周電流檢測(cè)功能,。逐周的峰值漏極電流限制電路以原邊電流的采樣電阻作為檢測(cè)電阻。器件內(nèi)部的PI調(diào)節(jié)器的輸出值設(shè)有＋5V的電壓限制,，而采樣電阻上的電壓值放大5倍后與PI調(diào)節(jié)器的輸出值進(jìn)行比較,，故設(shè)計(jì)電路時(shí)就可以精確地計(jì)算出電流峰值，通過(guò)選定采樣電阻值和原副邊的匝數(shù)比來(lái)進(jìn)行電流限制,。當(dāng)MOSFET的漏極電流太大使采樣電阻上的壓降放大后超過(guò)＋5V的閾值時(shí),，MOSFET就會(huì)被關(guān)斷,，直到下一個(gè)時(shí)鐘周期開(kāi)始。

3 動(dòng)態(tài)性能試驗(yàn)

　　1）負(fù)載變化時(shí)輸出電壓的動(dòng)態(tài)特性

　　當(dāng)負(fù)載變化時(shí),，輸出電壓也在瞬間變化,，然后反饋到控制引腳，器件內(nèi)部的控制電路就會(huì)做出相應(yīng)的調(diào)整,，改變MOSFET器件開(kāi)關(guān)的占空比,，以實(shí)現(xiàn)輸出電壓穩(wěn)定的目的。

　　圖4（a）是負(fù)載變小時(shí)輸出電壓波形的變化情況,。負(fù)載變小,，輸出電壓變大，導(dǎo)致電壓反饋的誤差放大值變小,，脈寬調(diào)制器的輸出波形的占空比變小,，使輸出電壓變小，最終使輸出電壓趨向于穩(wěn)定值,。此時(shí),，輸出電壓的反饋值為＋5V。

　　圖4（b）是負(fù)載變大時(shí)的輸出電壓波形,。同理,，可以分析出輸出電壓的變化過(guò)程。

圖4 負(fù)載變化時(shí)輸出電壓的動(dòng)態(tài)特性圖