DS1876" title="DS1876">DS1876存儲器
位于A2h的主器件用于總體器件配置和發(fā)送器1的控制,、校準(zhǔn)、報(bào)警,、預(yù)警及監(jiān)測,。
低地址字節(jié)存儲器，A2h地址從00h至7Fh,，包含報(bào)警和預(yù)警門限,、標(biāo)志位,、屏蔽位以及幾個(gè)控制寄存器、密碼輸入?yún)^(qū)(PWE)和表格選擇字節(jié),。
表01h,，A2h主要包含用戶EEPROM (PW1級訪問權(quán)限)，以及報(bào)警和預(yù)警使能字節(jié),。
表02h，A2h/B2h為多功能區(qū)域,，包含配置寄存器,、比例和偏移量、密碼,、中斷寄存器,，以及其它各種控制字節(jié)。所有功能和狀態(tài)可在地址A2h或B2h寫入和讀取,。
表04h,，A2h包含溫度索引查找表(LUT)，用于控制MOD1電壓,。MOD1 LUT可按照2°C間隔,，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)設(shè)置。該表還包含用于MOD1偏移的溫度索引LUT,。
表05h,，A2h默認(rèn)為空?？膳渲脼榘琈ASK位使能(表02h,，寄存器89h)的表01h、寄存器F8h-FFh的報(bào)警和預(yù)警使能字節(jié),。這種情況下,，表01h為空。
表06h,，A2h包含溫度索引LUT,，用于APC1電壓的控制。APC1 LUT可按照2°C間隔,，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)設(shè)置,。該表還包含用于APC1偏移的溫度索引LUT。
位于B2h的主器件用于發(fā)送器2的控制,、校準(zhǔn),、報(bào)警、預(yù)警及監(jiān)測,。
低地址字節(jié)存儲器,，B2h的地址從00h至7Fh,，包含預(yù)警和報(bào)警門限、標(biāo)志位,、屏蔽位以及幾個(gè)控制寄存器,、密碼輸入?yún)^(qū)(PWE)和表格選擇字節(jié)。
表01h,，B2h包含報(bào)警和預(yù)警使能字節(jié),。
表04h，B2h包含溫度索引LUT,，用于MOD2電壓的控制,。MOD2 LUT可按照2°C間隔，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)設(shè)置,。該表還包含用于MOD2偏移的溫度索引LUT,。
表05h，B2h默認(rèn)為空,?？膳渲脼榘琈ASK位使能(表02h，寄存器89h)的表01h,、寄存器F8h-FFh的報(bào)警和預(yù)警使能字節(jié),。這種情況下，表01h為空,。
表06h,，B2h包含溫度索引LUT，用于APC2電壓控制,。APC2 LUT可按照2°C間隔,，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)設(shè)置。該表還包含用于APC2偏移的溫度索引LUT,。
輔助存儲器(器件A0h)包含256字節(jié)EE存儲器,，通過地址00h–FFh訪問。輔助存儲器通過器件地址A0h選擇,。
關(guān)于每個(gè)字節(jié)的功能以及讀/寫權(quán)限的詳細(xì)信息,，請參考下列表格。
EEPROM
許多非易失(NV)存儲器位實(shí)際上是EEPROM的映射區(qū)域(請參考以下寄存器參考部分),，受控于表02h,、寄存器80h的SEEB位。
DS1876為關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲器提供EEPROM映射存儲地址,，可進(jìn)行多次寫操作,。默認(rèn)情況下，映射EEPROM位SEEB并不置位,，這些存儲器的操作與常規(guī)EEPROM相同,。通過置位SEEB,，存儲器功能類似于SRAM單元，允許無限次寫操作,，無需擔(dān)心EEPROM的寫次數(shù)問題,。這種功能還不占用EEPROM寫時(shí)間tWR。由于SEEB使能情況下的任何變化都不影響EEPROM,，所以掉電后不會保留這些更改,。上電值為SEEB禁用之前最后寫入的數(shù)值。該功能可用來限制校準(zhǔn)期間EEPROM的寫操作次數(shù),，或者在正常工作期間定期監(jiān)測門限,，有助于減少EEPROM的寫次數(shù)。存儲器說明給出了映射EEPROM的位置,。DS1876存儲器
寄存器參考
下表給出了低地址字節(jié)存儲器及表00h,、01h和02h的簡要參考,。關(guān)于每一位的功能說明,，請參考數(shù)據(jù)資料中相應(yīng)的寄存器說明。表04h至08h為LUT,，無需單獨(dú)說明,，所以未包括在內(nèi)。關(guān)于這些表的詳細(xì)信息,，請參考數(shù)據(jù)資料,。綠色行表示A2h和B2h器件的共用地址;紅色的行表示A2h和B2h器件的不同地址;黃色的行表示A2h和B2h器件的混合訪問地址。