《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR 推出優(yōu)化版車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組, 適合高功率密度和高效率 DC-DC 應(yīng)用

2011-05-03
作者:IR

    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商– 國(guó)際整流器公司(International Rectifier,,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了一款優(yōu)化版車(chē)用DirectFET®2 功率MOSFET芯片組,,適合內(nèi)燃機(jī)混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)中的DC-DC應(yīng)用,。

    新型40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含AUIRL7732S2 MOSFET 和AUIRL7736M2 MOSFET,,有助于最大限度減少DC-DC 轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。這些器件也可用于更普遍的重載應(yīng)用,,如泵和風(fēng)扇的變頻驅(qū)動(dòng)器,以及替代接線(xiàn)盒應(yīng)用中的繼電器,。

    IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“DirectFET2 功率封裝提供了低電阻及低于D2Pak 10 倍的寄生電感,,從而保證優(yōu)良的高頻開(kāi)關(guān)性能,減少波形振鈴,,而這也有助于限制電磁干擾和濾波器的大小,。另外,新型車(chē)用DirectFET2 芯片組還具備雙面冷卻和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),,為DC-DC 轉(zhuǎn)換提供了理想的解決方案,。”

    AUIRL7732S2 邏輯電平MOSFET 具備低柵極電荷(Qg)的特點(diǎn),,PCB 占用空間比采用SO-8 封裝小38%,使其非常適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器中的控制MOSFET 位置,。AUIRL7736M2 MOSFET 適用于同步開(kāi)關(guān)位置,,具有低導(dǎo)通電阻,PCB大小與5x6 PQFN 或SO-8 封裝一致,。AUIRL7732S2 和AUIRL7736M2的低電感可以在更高頻率條件下實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)MOSFET 更好的開(kāi)關(guān)性能,。

    車(chē)用DirectFET2 產(chǎn)品線(xiàn)基于多年的研究與開(kāi)發(fā),旨在開(kāi)發(fā)出一個(gè)專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用,,且立足于高度可靠,、成熟的消費(fèi)級(jí)DirectFET 產(chǎn)品的產(chǎn)品平臺(tái)。

    新器件符合AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),,是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的,,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS) ,。

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