交流供電的醫(yī)療電子系統(tǒng)安全標準要求電流隔離,，以保護病人和操作員免于觸電危險。由于導體直接連接儀器和病人,，其上面附著的液體和凝膠更增加了觸電風險,；因此用于這些系統(tǒng)的隔離器必須耐用和可靠。
光耦合器和變壓器通常用于醫(yī)療系統(tǒng)的隔離電路,，但其缺陷也是設(shè)計界所熟知的,。眾所周知，光耦合器速度慢,，在溫度和老化變化過程中性能很不穩(wěn)定,。它們都是單端器件,，因此具有較差的共模瞬變免疫（CMTI）。此外,，光耦合器基于砷化鎵（GaAs）處理工藝,，固有的內(nèi)在損耗導致在高溫和/或LED大電流條件下發(fā)光強度降低。這種衰減降低了光耦合器的可靠性,、性能和使用壽命,。雖然變壓器提供了優(yōu)于光電耦合器的更高速度和可靠性，但它們無法通過直流和低頻信號,，從而在系統(tǒng)定時（例如,，開啟時間和占空周期）應用中使用受限。而且變壓器一般體積大,、效率低,，往往需要額外的核心復位電路。
CMOS隔離器概述
不同于光耦合器,，互補金屬氧化物半導體（CMOS）隔離器提供了更好的性能,、可靠性、穩(wěn)定性,，省電性能和集成度,。不像變壓器， CMOS隔離器支持DC -150Mbps,，并占用更少的空間（每個封裝最多有6個隔離通道），而且效率更高,。這些特性通過如下CMOS隔離器基礎(chǔ)技術(shù)實現(xiàn)：
主流,、低功耗CMOS處理工藝代替GaAs：CMOS是最成熟、廣泛應用于全球的加工處理技術(shù),。先進的電路設(shè)計技術(shù)和CMOS技術(shù)使隔離器可達150Mbps數(shù)據(jù)傳輸速度,、10ns傳播延遲、5.6mW/通道的功耗,，以及其他許多業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格,。CMOS隔離器在最大操作電壓和溫度下平均無故障時間（MTTF）超過1000年，這是光耦合器的10倍,。
RF載波代替光：RF技術(shù)進一步降低隔離器操作功耗,，高精度鑒頻提高了噪聲抑制，器件封裝也比光耦合器更簡單,。
差分隔離代替單端隔離：差分信號路徑和接收靈敏度使的在無差錯操作下CMTI超過25kV/us,，良好的外部RF抗干擾特性可達300V/m，磁場抗擾度可超過1000A/m,，這些特性使得CMOS隔離器也適用于惡劣的工作環(huán)境（強電場和磁場）,。
專利的EMI抑制技術(shù)：CMOS隔離器滿足FCC的B部分規(guī)范，并通過汽車J1750（CISPR）測試。
安全認證
從系統(tǒng)觀點來看,，醫(yī)療設(shè)備根據(jù)操作電壓可分為不同的級別,。 I類設(shè)備工作于70V或更少，只需要對可接觸部分采用基本絕緣和保護接地,。II類設(shè)備工作于70V電壓以上,，要求增強或雙倍的絕緣。III類設(shè)備操作在25VAC或60VDC以下,，常稱為安全電壓（SELV）,。III類設(shè)備不需要隔離。
從組件觀點來看,，隔離器封裝尺寸在防止電弧跨越封裝表面時非常重要,，因此，安全機構(gòu)規(guī)定了特定測試電壓下的爬電（creepage）和電氣間隙（clearance）距離,。如圖1,，爬電是指沿絕緣表面放電的最小距離，電氣間隙（clearance）是指通過空氣放電的最短距離,。
圖1：爬電和電氣間隙
隔離器的核心是絕緣體,，介電強度決定了隔離器的電壓等級，隔離分類包括“基本型”和“增強型”,?；拘透綦x提供了對電擊的保護特性，但沒有考慮安全失效（failsafe）狀況（即故障不會導致系統(tǒng)自動轉(zhuǎn)變到一個安全,、可靠的狀態(tài)）,；基本型隔離裝置能夠被用戶使用，但必須被包含于系統(tǒng)之內(nèi),。
對于基本型隔離設(shè)備的認證測試是在1分鐘,、1.6kVRMS電壓下，最小漏電距離4mm,。增強型隔離為破壞安全操作提供兩級保護,，并允許用戶訪問。增強型隔離設(shè)備的認證測試是在1分鐘,、4.8kVRMS電壓下,，最小漏電間距8mm。醫(yī)療電子系統(tǒng)幾乎總是需要增強型隔離特性,，因為它要求具備安全失效保護特性,。
增強型CMOS隔離器符合國際標準IEC/EN/DIN EN 60747-5-2，CMOS隔離器也符合IEC-60601-1醫(yī)療標準絕緣要求,，該標準需要先通過UL（Underwriters Laboratories）1577或IEC-60601-1標準認證,。IEC-60601-1為基本型和增強型隔離規(guī)定了電介質(zhì)強度測試認證準則,，包括爬電和電氣間隙限制，還有電壓和時長,。詳見表1,。
表1：IEC60601-1 CMOS隔離器安全標準要求
光耦合器使用塑料復合化合物作為它們的主要絕緣材料，因此必須滿足內(nèi)部間距規(guī)范,，又稱絕緣穿透距離（DTI）,，該術(shù)語引自IEC 60601-1。對于光耦合器,，DTI是LED和光接收器Die之間的距離,，典型最小距離為0.4mm。CMOS隔離器使用半導體氧化物作為它們的主要絕緣材料,，比使用復合化合物封裝有更好的電介質(zhì)強度和一致性,，因此占用更少空間。為了通過IEC 60601-1認證,，安全監(jiān)管機構(gòu)執(zhí)行DTI測試,，即使CMOS隔離器在125度C溫度和250VACRMS外加電壓下進行10周測試，然后在4.8KVACRMS下進行1分鐘測試,。注意對于CMOS隔離器的DTI評測比光耦合器更加嚴格,。
醫(yī)療電子系統(tǒng)必須對外部干擾有免疫能力，如來局部磁場,、靜電,，電源線擾動（如線路電壓暫降，浪涌和瞬變）,。因此,，無論是光耦合器還是CMOS隔離器都必須通過IEC - 61000標準。使用測試限度見IEC 60601-1-2規(guī)范,，如表2所示。例如,，靜電放電（ESD）需符合IEC 61000-4-2規(guī)范,，并使用由IEC 60101-1-2規(guī)定的測試限度。 RF輻射及電源線擾動測試使用CISPR11測試方法,，它是J1750汽車規(guī)范的子集,。（CISPR不指定測試限度，它是一個測試方法的標準,。）對于輻射和電源線敏感性的限制需符合IEC 60601-1-2規(guī)范,。
表2：IEC 60601-1-2抗干擾要求
注：變量U是測試應用電平之前的交流主電壓
通過這些測試的要求是非常嚴格的：系統(tǒng)不能有任何組件故障、參數(shù)變化,、配置錯誤或誤報,。除了外場免疫力,，測試系統(tǒng)自身不能產(chǎn)生顯著射頻或傳導輻射。
典型醫(yī)療設(shè)備應用
圖2：心電圖（ECG）前端
心電圖應用
圖2顯示了一個心電圖（ECG）前端框圖,，來自設(shè)備放大器的模擬輸出經(jīng)過高通濾波器,，然后通過串行ADC轉(zhuǎn)換成數(shù)字格式。轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)通過增強型（5kV）數(shù)字隔離器進入控制器進行處理,。該數(shù)字隔離器每個通道都可進行高達150Mbps“無瓶頸”數(shù)據(jù)傳輸,。如果采用并行多個ADC輸出，則隔離功能可以使用少于4個的六通道隔離器實現(xiàn)（假設(shè)16位ADC）,。
圖3：基于ISOdriver的除顫器電源隔離
除顫器應用
圖3顯示了除顫器電源部分,，兩個高端/低端（high-side/low-side）隔離柵驅(qū)動器驅(qū)動全橋電路。注意,，此電路僅需要兩個標準高側(cè)柵極驅(qū)動器電路實現(xiàn)全橋驅(qū)動解決方案,。每個柵極驅(qū)動器具有片上輸入信號調(diào)整電路，包括施密特觸發(fā)輸入,， UVLO保護輸入,，輸出重疊保護和死區(qū)發(fā)生器。對于安全性至關(guān)重要的醫(yī)療系統(tǒng)來說,，這些功能對于可靠運行是關(guān)鍵性的,。
輸入端之后是增強型雙通道數(shù)字隔離器，其輸出連接到柵極驅(qū)動器,，每一個都相互隔離,，同時也與輸入隔離。電阻RDT1和RDT2決定了添加到每個循環(huán)中的死區(qū)時間,。如果死區(qū)時間不需要,，DT輸入端應當連接到本地VDD。
除了提供邏輯輸入柵極驅(qū)動器,，Silicon Labs也提供增強的,、功能兼容光耦合驅(qū)動器的替代產(chǎn)品。Si822x隔離柵驅(qū)動器能夠模仿光耦合器LED行為的輸入階段,，可直接替換諸如HCPL – 3120的柵驅(qū)動器產(chǎn)品,，也提供低功耗操作，工作溫度范圍內(nèi)有更好的性能和可靠性,。
醫(yī)療供電系統(tǒng)應用
圖4為相移調(diào)制全橋應用,，典型的用于龐大醫(yī)療系統(tǒng)中的供電系統(tǒng)，例如臨床核磁共振成像（MRIs）,。這些系統(tǒng)通常使用電流感應變壓器,，需要外部核心復位電路和特殊的布局。它們也有低幅度的輸出波形,，通常導致低的電磁干擾性能,。
隔離的交流電流傳感器,，例如Silicon Labs的Si850x/1x器件提供集成的復位電路，高2VP-P的滿量程輸出信號,，測量精度5％,，小尺寸和低功耗工作。它們可支持50kHz- 1MHz頻率范圍（全測量范圍為5,、10和20Amps）,，并有1kV和5 kV的額定隔離電壓。這些器件具有1.3mΩ低功耗輸入阻抗和2nH的串聯(lián)電感以降低振鈴,。圖4中的電流傳感器有“乒乓（Ping-Pong）”的輸出模式,，來自每個橋臂的電流信號分別傳輸?shù)礁髯宰儔浩鞔磐ㄆ胶獗O(jiān)控的輸出管腳。
圖4：相移調(diào)制全橋應用中的乒乓模式
當Q1和Q4處于開狀態(tài)時,，測量電流在OUT2管腳出現(xiàn),；當Q2和Q3處于開狀態(tài)時， 電流從OUT1輸出,。當電流發(fā)生環(huán)路時,，積分器復位觸發(fā)（即當Q1和Q2同時打開，或Q3和Q4同時打開時）,。
這些示例說明了如何在電路一級上應用CMOS隔離器到電子醫(yī)療系統(tǒng),。其他系統(tǒng)可能使用CMOS隔離器用于不同的電路功能，如電壓電平轉(zhuǎn)換或消除接地回路噪聲,。表3顯示了醫(yī)療電子系統(tǒng)從CMOS隔離技術(shù)中獲益的部分列表,。這些或其他應用程序的隔離需求導致大量CMOS隔離器使用案例，醫(yī)療電子市場不斷發(fā)展過程中,，CMOS隔離器技術(shù)最終將取代傳統(tǒng)隔離技術(shù),。
表3：COMS隔離產(chǎn)品在醫(yī)療系統(tǒng)中的應用示例
小結(jié)
電子醫(yī)療系統(tǒng)必須有集成的可靠的隔離，確保病人和操作者的安全,。嚴格的國際安全管理機構(gòu)為了得到一致的安全特性,，根據(jù)他們的規(guī)范發(fā)放醫(yī)療電子系統(tǒng)認證。隔離在這些系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用,，它必須是強健和可靠的,，并且僅需較少空間和成本。光耦合器和變壓器已經(jīng)為醫(yī)療系統(tǒng)形成了多種多樣的隔離電路方案,。然而隨著技術(shù)的發(fā)展，更小,、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了,，如單封裝、多通道數(shù)字隔離器,、AC電流感應器和隔離柵驅(qū)動器,。這些隔離產(chǎn)品采用主流CMOS技術(shù),，與傳統(tǒng)方案相比，提供顯著的優(yōu)勢,，僅為光耦合器失效率的1/10,，COMS隔離產(chǎn)品是眾多電子醫(yī)療系統(tǒng)的理想選擇。