國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車(chē)用 MOSFET 系列,，與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻,，并提高 30% 電流,。

　　這款新型車(chē)用 MOSFET 系列適合需要低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 的通用大負(fù)荷/高功率通孔應(yīng)用，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車(chē)電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開(kāi)關(guān),，以及各類(lèi)微型和全混合動(dòng)力汽車(chē),。新器件采用 IR 先進(jìn)的硅和封裝技術(shù)，在顯著提高性能的同時(shí)可與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)相匹配,。

　　在標(biāo)準(zhǔn) TO-262 通孔封裝中，除了 MOSFET 導(dǎo)通電阻,，源極和漏極引線電阻可增至1mΩ,。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線電阻降至不到 0.5 mΩ，大大減少了引線中的傳導(dǎo)損耗和熱量,，在特定的工作溫度下,，比傳統(tǒng)的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%。根據(jù)評(píng)估,，在直流電為 40A 和 60A 的條件下,，WideLead 引線溫度比標(biāo)準(zhǔn) TO-262分別低 30% 和 39%。此外,，隨著其它封裝技術(shù)的提高,，WideLead 比標(biāo)準(zhǔn) TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導(dǎo)通電阻。

　　IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“新型 WideLead TO-262 封裝的設(shè)計(jì)靈感來(lái)自于DirectFET封裝超低芯片自由阻抗的出色性能,，以及傳統(tǒng) TO-262 封裝的各種局限性,。IR 新型 WideLead 封裝中的 MOSFET 新系列在傳輸高電流的同時(shí)，大大降低了引線中的傳導(dǎo)損耗和自身熱量，從而為汽車(chē)應(yīng)用提供了一個(gè)堅(jiān)固可靠的解決方案,。”

　　所有 IR 車(chē)用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念,，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。

　　新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),，是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的,。它環(huán)保、無(wú)鉛,，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,。
產(chǎn)品規(guī)格